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TEM用ハイスループットイオン研磨システム

設備ID UT-157
分類 微小加工装置 > イオンミリング(TEM試料作製)
微小加工装置 > イオンミリング(TEM試料作製)
装置名称 TEM用ハイスループットイオン研磨システム (High-throughput ion polishing system for TEM)
設置機関 東京大学
設置場所
メーカー名 gatan (gatan)
型番 PIPSⅡ
キーワード 試料作製、透過走査型電子顕微鏡、高分解能電子顕微鏡、分析電子顕微鏡、元素分析、TEM、STEM、半導体、セラミックス
仕様・特徴 【特長】ハイスループットイオン研磨システムの試料ホルダー
    より試料を取り外すことなく既設装置である
    イオンスライサーに搭載可能であること。
【仕様】
本体
 ミリングアングル -10°~+10° 調整可能
 イオンエネルギー 100 eV ~8 keV
 イオン電流密度 1イオン銃あたり 10 mA/cm2
 試料回転 1~6 rpm まで可変
 X,Y可動範囲 ±0.5 mm
冷却ステージ
 デュアーの保持時間 約6~7時間
 ヒーター1 ステージの温度調整用 (-120°C~+25°C)
 ヒーター2 冷却したステージを室温戻し用
 温度領域 -120°C~室温
 試料冷却 -120°Cまで可能
    TEM用ハイスループットイオン研磨システム
    TEM用ハイスループットイオン研磨システム
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