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LPCVD装置（SiN用）

設備ID	RO-312
分類	成膜装置 > 化学蒸着（CVD）装置
装置名称	LPCVD装置（SiN用） (Low-pressure CVD reactor for SiN deposition)
設置機関	広島大学
設置場所	CR西棟１F
メーカー名	東京エレクトロン (Tokyo Electron)
型番
キーワード	対応wafer：２inch、cut wafer
仕様・特徴	ジクロルシランとアンモニアの反応基板温度750℃