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LPCVD装置(SiN用)

設備ID RO-312
分類 成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置
装置名称 LPCVD装置(SiN用) (Low-pressure CVD reactor for SiN deposition)
設置機関 広島大学
設置場所 CR西棟1F
メーカー名 東京エレクトロン (Tokyo Electron)
型番
キーワード 対応wafer:2inch、cut wafer
仕様・特徴 ジクロルシランとアンモニアの反応基板温度750℃
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