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LPCVD装置(SiN用)
LPCVD装置(SiN用)
設備ID
RO-312
分類
成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置
装置名称
LPCVD装置(SiN用) (Low-pressure CVD reactor for SiN deposition)
設置機関
広島大学
設置場所
CR西棟1F
メーカー名
東京エレクトロン (Tokyo Electron)
型番
キーワード
対応wafer:2inch、cut wafer
仕様・特徴
ジクロルシランとアンモニアの反応基板温度750℃
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