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インプラ後アニール炉

設備ID	RO-223
分類	熱処理・ドーピング > 熱処理、レーザーアニール
装置名称	インプラ後アニール炉 (Diffusion furnaces for dopant activation)
設置機関	広島大学
設置場所	CR西棟１F
メーカー名	東京エレクトロン (Tokyo Electron)
型番	370MI- MINI
キーワード	２inch、cut wafer
仕様・特徴	最高使用温度1150℃