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インプラ後アニール炉

    インプラ後アニール炉
    インプラ後アニール炉
機器ID RO-223
分類 熱処理・ドーピング > 熱処理、レーザーアニール
装置名称 インプラ後アニール炉 (Diffusion furnaces for dopant activation)
設置機関 広島大学
設置場所 CR西棟1F
メーカー名 東京エレクトロン (Tokyo Electron)
型番 370MI- MINI
キーワード 2inch、cut wafer
仕様・特徴 最高使用温度1150℃
機関代表メールアドレス nanofab=ml.hiroshima-u.ac.jp ([=]を[@]にしてください)
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