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表面X線回折計

設備ID QS-113
分類 回折・散乱 > X線回折
成膜装置 > MBE(分子線エピタキシー)
装置名称 表面X線回折計 (Surface X-ray diffractometer)
設置機関 量子科学技術研究開発機構(QST)
設置場所 SPring-8 BL11XU
メーカー名 神津精機(株)ほか (Kohzu Precision Co., Ltd., etc.)
型番 なし(特別仕様)
キーワード 放射光、結晶成長リアルタイム観察、半導体ナノワイヤ、半導体量子ドット、半導体多層膜、表面・界面・粒界制御、高周波デバイス、高品質プロセス材料、パワーエレクトロニクス、ナノエレクトロニクスデバイス、量子効果デバイス、ワイドギャップ半導体、原子層薄膜、MBE、エピタキシャル成長
仕様・特徴 ・半導体ヘテロ構造や多層膜、半導体量子ドット結晶やナノワイヤなどの成長過程について、原子が一層づつ積み上がってゆく様子を、表面X線回折法によってリアルタイム観察できる装置。
・原子状窒素を利用する分子線エピタキシー法により、GaNやInNなどの窒化物半導体の成長を行うことができる。
・良質な電子材料の作成をサポート。
    表面X線回折計
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