共用設備検索結果
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パリレンコーター (Parylene Coater)
- 設備ID
- UT-709
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 米国SCS社 (Specialty Coating Systems)
- 型番
- PDS2010
- 仕様・特徴
- 8インチまでの成膜が可能。
- 設備状況
- 稼働中
ニッケルめっき装置 (Nikkel Electroplating)
- 設備ID
- UT-710
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 山本鍍金試験器 (Yamamoto-MS)
- 型番
- 仕様・特徴
- 欠片～4”までのニッケル電解メッキ
- 設備状況
- 稼働中
LL式高密度汎用スパッタリング装置 (2018) (LL-type High-density General Purpose Sputtering System)
- 設備ID
- UT-711
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)
- 型番
- CFS-4EP-LL !-Miller (2018)
- 仕様・特徴
- 真空引きが速く、通常10分程度でスパッタリング開始が可能。また、膜質の安定も期待できます。ターゲットはUT-704と共通。 Pt/Au/Cr/Tiを装着。デフォルト以外のターゲットを利用する場合は互換装置のUT-716を利用します。
サイドスパッタ方式、スパッタターゲット：3inchx4、ホルダーサイズ：Φ220mm、到達圧力：5x10E-4 Pa以下、RF50W(DC)、加熱温度：最大300℃
- 設備状況
- 稼働中
8元電子線蒸着装置 (Electron Beam Evaporator)
- 設備ID
- UT-712
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- エイコー (EIKO)
- 型番
- EB-380
- 仕様・特徴
- 蒸着材料を一度に8種類装填できる多様な実験を支援する電子ビーム蒸着。
- 設備状況
- 稼働中
カーボンコーター (Carbon coater )
- 設備ID
- UT-713
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 明和フォーシス (Meiwafosis )
- 型番
- CADE-4T
- 仕様・特徴
- 帯電しやすい試料をカーボンでコーティングして鮮明な走査電子顕微鏡増が得られます。
- 設備状況
- 稼働中
電子線顕微鏡観察用コーター (Coater for SEM analysis)
- 設備ID
- UT-714
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- Gatan (Gatan)
- 型番
- PECS
- 仕様・特徴
- スパッタによりカーボン膜など観察用の薄膜を堆積できます
- 設備状況
- 稼働中
2インチ3元電子線蒸着装置 (2-inch 3-target Electron Beam (EB) Evaporator)
- 設備ID
- UT-715
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- BB7873
- 仕様・特徴
- ウエーハサイズ2インチもしくはそれ以下のチップサンプルに対応可能。一般的なEB蒸着装置です。ロードロックを備えており、試料交換時間が短い。到達真空度は10E-5 Pa台。膜厚計、試料加熱ランプあり。
- 設備状況
- 稼働中
LL式高密度汎用スパッタリング装置(2024) (LL-type High-density General Purpose Sputtering System)
- 設備ID
- UT-716
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)
- 型番
- CFS-4EP-LL !-Miller (2024)
- 仕様・特徴
- 真空引きが速く、通常10分程度でスパッタリング開始が可能。また、膜質の安定も期待できる。ターゲットはCFS-4ESと共通。 デフォルトはPt/Au/Cr/Tiを装着。それ以外のターゲットは支援員の技術補助で交換を行う。UT-711と互換。
サイドスパッタ方式、スパッタターゲット：3inchx3、ホルダーサイズ：Φ220mm、到達圧力：5x10E-4 Pa以下、RF50W(DC)、加熱温度：最大300℃
- 設備状況
- 稼働中
原子層堆積(ALD)製膜装置 (Atomic Layer Deposition Apparatus)
- 設備ID
- UT-717
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- オックスフォード・インストゥルメンツ (Oxford Instruments)
- 型番
- FlexAL ALD
- 仕様・特徴
- サーマル方式とリモートズマ方式のALDができます。チャンバーを150℃まで加熱し水分除去とプリカーサの徐記促進が可能です。
・ロードロック方式
・基板サイズ 2,3,4,6,8インチ、8インチ以下の不定形基板
・下部電極は550℃まで昇温可能。バイアス電圧は0から-200V。
・Ru, TaN, SiO2の成膜が可能。成膜材料についてはご相談承ります。
- 設備状況
- 稼働中
プラズマCVD装置 (Plasma CVD apparatus)
- 設備ID
- UT-718
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- SPPテクノロジーズ (SPT Technologies Co. Ltd.)
- 型番
- APX-Cetus
- 仕様・特徴
- SiO2, SiNの成膜が可能です。
低ストレス膜の形成、ストレスの制御が可能です。
Al配線上への成長やTSVへの埋め込み成長などカバレージに優れています。
・SiO2, Si2N4の成膜ができます。
・使用ガス：SiH4, C4F8, O2, N2
・基板サイズ：3、4インチ、8インチ、不定形基板(8インチ以下)
- 設備状況
- 稼働中