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低損傷走査型分析電子顕微鏡 (Low Damage Field Emission Scanning Electron Microscope)
- 設備ID
- UT-101
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JSM-7500FA
- 仕様・特徴
- □ 主な特長
ジェントルビーム機能を搭載し加速電圧1kVで1.4nmの高分解能
□ 主な仕様
・二次電子像分解能：1.0nm（15kV）、1.4nm（1kV）
・倍率：×25～×1,000,000
・加速電圧：0.1kV～30kV
- 設備状況
- 稼働中
高分解能走査型分析電子顕微鏡 (Field Emission Scanning Electron Microscope)
- 設備ID
- UT-102
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JSM-7800F Prime
- 仕様・特徴
- □ 主な仕様
（1）本体
加速電圧：0.5～30 kV
0.5～2.9 kVは10 Vステップ
2.9～30 kVは100 Vステップ
二次電子分解能：1.0 nm（加速電圧15kV, 通常時）
1.5 nm（加速電圧1kV, 通常時）
0.7 nm（加速電圧15kV, GB時）
1.2 nm（加速電圧1kV, GB時）
0.7 nm（加速電圧1kV, GBSH時）
倍率：×25 ～ 1,000,000
プローブ電流：10-12 ～ 2×10-7 A
（2）エネルギー分散形X線分析装置（JEOL JED-2300F）
検出器：シリコンドリフト検出器
エネルギー分解能：129 eV
検出可能元素：Be ～ U
（3）カソードルミネッセンス測定装置（HORIBA MP-32S）
波長測定領域：185 nm ～ 900 nm（PMT）
200 nm ～ 1100 nm（CCD）
※ 光経路が空気中であるため、紫外領域の感度は低減される
（4）半導体反射電子検出器（RBEI）
（5）走査透過型電子検出器（STEM）
- 設備状況
- 稼働中
高分解能走査型電子顕微鏡 (Field Emission Scanning Electron Microscope)
- 設備ID
- UT-103
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JSM-7000F
- 仕様・特徴
- □ 主な仕様
（１）本体
加速電圧：0.5～30kV 0.5～2.9kVは10Vステップ可変
2.9～30kVは100Vステップ可変
二次電子分解能：1.2nm（加速電圧30kV），3.0nm (加速電圧1kV）
倍率：×10（WD40）～500,000
プローブ電流：10-12～2×10-7A
（２）結晶方位測定装置（株式会社TSLソリューションズ）
ソフトウェアー OIM Ver7.3.1
（３）高感度反射電子検出器
（４）走査透過電子検出器(STEM)
- 設備状況
- 稼働中
低真空走査型電子顕微鏡 (Low-vacuum Scannning Electron Microscope)
- 設備ID
- UT-104
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JSM-6510LA
- 仕様・特徴
- □ 主な仕様
（１）本体
加速電圧：0.5～30kV 0.5～3.0kVは100Vステップ可変 3～30kVは1kVステップ可変
二次電子分解能：
高真空モード：3.0nm（加速電圧30kV），15.0nm（加速電圧1kV）
低真空モード：4.0nm（加速電圧30kV）
倍率：×5～300,000
プローブ電流：1pA～1μA
試料室圧力調整範囲：10～270Pa
（２）エネルギー分散型X線分析装置（日本電子）
検出器：エクストラミニカップEDS検出器
エネルギー分解能129eV以下
検出可能元素 Be～U
分析時分解能：3.0nm（加速電圧15kV・プローブ電流15nA・WD10mm）
（３）反射電子検出器（Si P-N複合型半導体検出器）
- 設備状況
- 稼働中
高分解能走査型分析電子顕微鏡 (High-resolution scanning analytical electron microscope)
- 設備ID
- UT-105
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JSM-IT800SHL
- 仕様・特徴
- □ 主な仕様
（1）本体
加速電圧：0.01～30 kV
0.5～2.9 kVは10 Vステップ
二次電子分解能：1.0 nm（加速電圧15kV, 通常時）
0.5 nm（加速電圧15kV）
0.7 nm（加速電圧1kV）
0.9 nm（加速電圧500V）
写真倍率：×10 ～ 2,000,000
プローブ電流：数 pA～500 nA（30kV）
：数 pA～100 nA（5kV）
（2）エネルギー分散形X線分析装置
検出器：シリコンドリフト検出器 100mm2
エネルギー分解能：129 eV
検出可能元素：Be ～ U
（3）シンチレータ反射電子検出器（SBED）
（4）上方電子検出器（UED）
（5）透過電子検出器（TED）
（6）低真空対応
（7）非暴露対応
- 設備状況
- 稼働中
CADデータ連動3次元機能融合デバイス評価用前処理システム (Preprocessing system for device evaluation that integrates 3D functions linked with CAD data)
- 設備ID
- UT-152
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
- 型番
- XVision200TB
- 仕様・特徴
- □ 主な特徴
・デバイス評価用前処理システム
・透過電子顕微鏡用薄膜試料作製にも対応
□ 主な仕様
・ FIB分解能：4nm@30kV、最大電流45nA
・ SEM分解能：3nm@5kV、加速電圧1～30kV
・ 最大8インチステージ
・ Arビーム照射
・ W,C,絶縁膜デポ XeF,有機系エッチングガス
・ CADデータオーバレイ表示
・ レーザー顕微鏡と共通の座標系
- 設備状況
- 稼働中
クロスセクションポリッシャー(CP) (Cross Section Polisher)
- 設備ID
- UT-153
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JEOL SM-090010JEOL SM-090020
- 仕様・特徴
- □ 主な特徴
表面に対して垂直な断面が制作可能。
□ 主な仕様
イオン加速電圧：2 ～ 6 kV
イオンビーム径半値幅：500 μm（加速電圧：6kV, 試料：Si）
ミリングスピード：1.3 μm/min以上（加速電圧：6kV, 試料：Si）
最大搭載試料サイズ：11mm×9mm×2mm
試料移動範囲：X軸±3mm Y軸：±3mm
試料角度調節範囲：±5°
使用ガス：アルゴンガス
- 設備状況
- 稼働中
イオンスライサー (Ion slicer)
- 設備ID
- UT-154
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- EM09100IS
- 仕様・特徴
- □ 主な仕様
・イオン加速電圧：1～8 kV
・傾斜角：最大6°(0.1°刻み)
・試料ガス：アルゴン
□ 主な特長
冊状試料にイオン研磨処理を行い、薄膜試料を作製
- 設備状況
- 稼働中
集束イオンビーム加工観察装置（FIB） (MultiBeam System (FIB))
- 設備ID
- UT-156
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JIB-PS500i
- 仕様・特徴
- □ 特長
・ 高分解能 FE-SEM を搭載し、ピンポイントでの断面作製が可能
・ 高分解能 SEM で FIB 加工状況をリアルタイムにモニタ可能
・ インレンズサーマル電子銃を搭載し、最大 500nA の大電流による安定した高速分析が可能
・ STEM観察が可能（BF,HAADF）
□ 主な仕様
FIB（収束イオンビーム）
・ イオン源：Ga液体金属イオン源
・ 加速電圧：0.5～30kV
・ 倍率：×50～×300,000
・ イオンビーム加工形状：矩形、ライン、スポット
SEM（電子ビーム）
・ 加速電圧：0.01～30kV
・ 倍率：×20～×1,000,000
・ 像分解能：0.7nm（加速電圧15kV）、1.0nm（加速電圧1kV）
- 設備状況
- 稼働中
TEM用ハイスループットイオン研磨システム (High-throughput ion polishing system for TEM)
- 設備ID
- UT-157
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- gatan (gatan)
- 型番
- PIPSⅡ
- 仕様・特徴
- 【特長】ハイスループットイオン研磨システムの試料ホルダー
より試料を取り外すことなく既設装置である
イオンスライサーに搭載可能であること。
【仕様】
本体
ミリングアングル -10°～+10° 調整可能
イオンエネルギー 100 eV ～8 keV
イオン電流密度 1イオン銃あたり 10 mA/cm2
試料回転 1～6 rpm まで可変
X,Y可動範囲 ±0.5 mm
冷却ステージ
デュアーの保持時間 約6～7時間
ヒーター1 ステージの温度調整用 (-120°C～+25°C)
ヒーター2 冷却したステージを室温戻し用
温度領域 -120°C～室温
試料冷却 -120°Cまで可能
- 設備状況
- 稼働中