共用設備検索結果
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エリプソメータ (Film thickness measuring system)
- 設備ID
- GA-012
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- 溝尻光学 (Mizojiri-opt)
- 型番
- DHA-XA/M8
- 仕様・特徴
- 膜厚と屈折率を測定可能
処理物：～12インチウェハ 光源波長：632.8nm（He-Neレーザー）
入射角：55°～75°，90°
入射角設定単位：0.01°
最小分解能：1Å
分布計測分解能：0.01mm
- 設備状況
- 稼働中
ショットキー電界放出形走査電子顕微鏡群 (Field emission scanning electron microscope)
- 設備ID
- GA-013
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子, 日本電子, 日本電子, ディエナー (JEOL, JEOL, JEOL, diener)
- 型番
- JSM-IT800SHL, JCM-7000, JFC-3000FC, Femto
- 仕様・特徴
- ・JSM-IT800SHL
サンプルサイズ：～φ100mm
分解能：0.7nm(20kV)1.3nm(1kV)
倍率：×27～5,480,000(表示倍率)
加速電圧：0.01～30kV
分析機能：EDS
・JCM-7000
サンプルサイズ：～φ25mm(傾斜回転有)～φ80mm(傾斜回転無)
倍率：×10～100,000
加速電圧：5kV、10kV、15kV(3段)
- 設備状況
- 稼働中
白色干渉搭載レーザ顕微鏡 (White light interference type Laser Microscope)
- 設備ID
- GA-014
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- キーエンス (KEYENCE)
- 型番
- VK-X3100
- 仕様・特徴
- 倍率：×42～28,800
視野範囲：11?7398 μm
測定原理：レーザー共焦点、フォーカスバリエーション、白色干渉、分光干渉
レーザ光源波長：半導体レーザ404 nm
- 設備状況
- 稼働中
ウエハスピン現像装置 (Wafer spin developer )
- 設備ID
- GA-015
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- 滝沢産業 (TAKIZAWA SANGYO)
- 型番
- AD-1200（無機用），AD-1200（有機用）
- 仕様・特徴
- 基板サイズ：φ4"以下
基板ホルダー：真空吸着式
基板回転数：0～3000rpm 可変式
処理時間：999sec/stop（1sec単位）
使用薬液：無機系アルカリ液対応と有機溶剤対応
処理方法：スプレースイングアーム式
- 設備状況
- 稼働中
光干渉式膜厚測定装置 (Film thickness measurement instruments)
- 設備ID
- GA-016
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- シータメトリシス (ThetaMetrisis)
- 型番
- FR-Scanner-AIO-Mic-XY200
- 仕様・特徴
- 測定膜厚範囲（SiO2）：10nm – 80μm（10X）
測定精度：0.2% or 2nm
測定波長範囲：380nm～1020nm
多層膜測定：4層まで可能
測定スポット径：10,25,50,100μm
光源：ハロゲンランプ
サンプルサイズ：Max.200 x 200 mm
光学フィルター：Y-48、R-60
その他：自動マッピング
- 設備状況
- 稼働中