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エッチング装置(ICP Al用) (Inductively coupled plasma etcher for Al)

設備ID
RO-414
設置機関
広島大学
設備画像
エッチング装置(ICP Al用)
メーカー名
株式会社ユーテック (YOUTECUniversal Technics Co.,Ltd )
型番
12-228PH
仕様・特徴
Cl2, BCl3, N2使用可能

エッチング装置(CDE SiN用) (Chemical dry etching system for Si3N4)

設備ID
RO-415
設置機関
広島大学
設備画像
エッチング装置(CDE SiN用)
メーカー名
神戸製鋼 (Kobe Steel, Ltd.)
型番
仕様・特徴
CF4, O2, N2使用可能

エッチング装置(レジスト Ashing用) (Asher)

設備ID
RO-416
設置機関
広島大学
設備画像
エッチング装置(レジスト Ashing用)
メーカー名
神戸製鋼 (Kobe Steel, Ltd.)
型番
仕様・特徴
O2, N2使用可能 レジストアッシング用

エッチング装置(ICP Poly-Siゲート用) (Inductively coupled plasma etcher for poly-Si)

設備ID
RO-417
設置機関
広島大学
設備画像
エッチング装置(ICP Poly-Siゲート用)
メーカー名
株式会社ユーテック (YOUTECUniversal Technics Co.,Ltd )
型番
12-228PH
仕様・特徴
Cl2, O2, N2, HBr使用可能

エッチング装置(汎用) (Dry etching system for general purpose)

設備ID
RO-418
設置機関
広島大学
設備画像
エッチング装置(汎用)
メーカー名
株式会社エイコー (EIKO CORPORATION)
型番
VX-20S
仕様・特徴
CF4, O2, N2使用可能

プローバ (High-temperature manual probe station)

設備ID
RO-511
設置機関
広島大学
設備画像
プローバ
メーカー名
日本マイクロニクス (Micronics Japan)
型番
C-51
仕様・特徴

半導体パラメータアナライザ (Semiconductor Parameter Analyzer)

設備ID
RO-512
設置機関
広島大学
設備画像
半導体パラメータアナライザ
メーカー名
アジレント (Agilent)
型番
4156他
仕様・特徴
トランジスタ特性測定(HP4156、プローバ含む)、
電源3ユニット、最小測定電流0.1pA

LCRメータ (LCR meter)

設備ID
RO-513
設置機関
広島大学
設備画像
LCRメータ
メーカー名
アジレント (Agilent)
型番
4284他
仕様・特徴

インピーダンスアナライザ (Impedance Analyzer)

設備ID
RO-514
設置機関
広島大学
設備画像
インピーダンスアナライザ
メーカー名
アジレント (Agilent)
型番
4294他
仕様・特徴

ホール効果測定装置 (Hall effect measuring device)

設備ID
RO-515
設置機関
広島大学
設備画像
ホール効果測定装置
メーカー名
ACCENT (ACCENT)
型番
HL5500PC
仕様・特徴
試料の抵抗値、キャリア濃度及び移動度を測定可
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