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超高精度電子ビーム描画装置 (Ultra high precision electron beam lithography system)

設備ID
RO-111
設置機関
広島大学
設備画像
 超高精度電子ビーム描画装置
メーカー名
エリオニクス (Elionix)
型番
ELS-G100
仕様・特徴
加速電圧:100kV,50kV, 25kV
電子ビームの最小スポットサイズ:ビーム電流1nAにおいて2.0nm以下
最小線幅:6nm

マスクレス露光装置 (Maskless photolithography system)

設備ID
RO-112
設置機関
広島大学
設備画像
 マスクレス露光装置
メーカー名
株式会社ナノシステムソリューションズ (NanoSystem Solutions, Inc.)
型番
DL-1000
仕様・特徴
DMDを用いたレーザー露光装置
最小画素:1μm

マスクレス露光装置 (Maskless photolithography system)

設備ID
RO-113
設置機関
広島大学
設備画像
 マスクレス露光装置
メーカー名
ハイデルベルグ・インストルメンツ (Heidelberg Instruments)
型番
MLA-150
仕様・特徴
DMDを用いたレーザー露光装置
最小画素:1μm

スピンコータ (Spin Coater)

設備ID
RO-121
設置機関
広島大学
設備画像
スピンコータ
メーカー名
タツモ(株) (TAZMO)
型番
仕様・特徴
レジスト塗布

レイアウト設計ツール (Mask layout design tool)

設備ID
RO-131
設置機関
広島大学
設備画像
レイアウト設計ツール
メーカー名
Tanner (Tanner)
型番
L-Edit
仕様・特徴
リソグラフィマスク設計用レイアウトエディター
IC,MEMSデバイス設計用ソフト。Tanner社L-Edit

イオン注入装置 (Ion implanter)

設備ID
RO-211
設置機関
広島大学
設備画像
イオン注入装置
メーカー名
アルバック (ULVAC, Inc.)
型番
IM-200M
仕様・特徴
5keV-150keV, B, As, P, Si, F, Ar, In, Sb, N, He 等注入可能

酸化炉 (Oxidation furnaces)

設備ID
RO-221
設置機関
広島大学
設備画像
酸化炉
メーカー名
東京エレクトロン (Tokyo Electron)
型番
仕様・特徴
最高使用温度1150℃

Rapid Thermal Anneal装置(RTA) (Rapid Thermal Annealing furnaces)

設備ID
RO-222
設置機関
広島大学
設備画像
Rapid Thermal Anneal装置(RTA)
メーカー名
サムコ (Samco Inc.)
型番
サムコ製 HT-1000
仕様・特徴
昇温速度最大200℃/s(N2, O2, Ar)

インプラ後アニール炉 (Diffusion furnaces for dopant activation)

設備ID
RO-223
設置機関
広島大学
設備画像
インプラ後アニール炉
メーカー名
東京エレクトロン (Tokyo Electron)
型番
370MI- MINI
仕様・特徴
最高使用温度1150℃

ウェル拡散炉 (Well diffusion furnaces)

設備ID
RO-224
設置機関
広島大学
設備画像
ウェル拡散炉
メーカー名
東京エレクトロン (Tokyo Electron)
型番
370MI- MINI
仕様・特徴
最高使用温度1150℃
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