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3次元電界放出形走査電子顕微鏡(エリオニクス) (3 Dimensional Field Emission SEM)

設備ID
AT-107
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
3次元電界放出形走査電子顕微鏡(エリオニクス)
メーカー名
エリオニクス (ELIONIX)
型番
ERA-9200
仕様・特徴
・型式:ERA-9200
・試料サイズ:4インチφ, 16mmt
・電子銃:ZrO/W熱電界放射型
・加速電圧:1~30 kV
・リタ―ディング電圧:3kV
・分解能:0.4nm以下(30kV)、0.5nm以下(15kV)、0.7nm以下(1kV)
・可動範囲:30×50mm(X-Y)、1~30mm(Z)、-5~45°(Tilt)
・検出器:2次電子検出器(4本)
設備状況
稼働中

6インチ電子ビーム真空蒸着装置(アールデック) (Electeron Beam Vacuum Evaporator)

設備ID
AT-109
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
6インチ電子ビーム真空蒸着装置(アールデック)
メーカー名
アールデック (R-DEC)
型番
ADS-E86
仕様・特徴
・型式:ADS-E86
・試料サイズ:8インチφ
・蒸着方式:電子ビーム加熱蒸発
・蒸発源:6連装(6 kW)
・クルーシブル容量:12 ml
・基板ホルダ:冷却機構付(水冷)
・蒸発源―基板間:500 mm
・試料導入:ロードロック自動搬送
・真空排気システム:到達圧力1×10-5 Pa以下、オイルフリー、自動排気
・成膜:水晶振動子膜厚モニタによる自動制御
・膜厚分布:10 %以内@200mm
・常設ソース材料: Al, Al, Cu, Ti,
設備状況
稼働中

レーザー描画装置〔DWL66+〕 (Laser Beam Lithography)

設備ID
AT-110
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
レーザー描画装置〔DWL66+〕
メーカー名
ハイデルベルグ (Heidelberg Instruments)
型番
DWL66+
仕様・特徴
・型式:DWL66+
・試料サイズ:8インチφ、200mm×200mm×12mmt
・最小角型試料サイズ: 5mm×5mm
・描画エリア:200mm×200mm
・レーザー光源:405nm
・最小描画パターン:0.5μm (L&S)、0.3μm(孤立パターン)
・重ね合わせ描精度:0.25μm(5mm×5mm以内)、0.5μm(100mm×100mm以内)
・裏面パターンとの重ね合わせ精度:1μm
・グレースケール露光:1000階調
設備状況
稼働中

大面積電子ビーム描画装置[BODEN50] (Electron Beam Lithography System〔ELS-BODEN50〕)

設備ID
AT-115
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
大面積電子ビーム描画装置[BODEN50]
メーカー名
エリオニクス (ELIONIX)
型番
ELS-BODEN50
仕様・特徴
最大試料サイズ:8インチφ
加速電圧:50kV
最小描画サイズ:20nm(@1nA)
フィールドサイズ:最大1.5mm□
最大ビーム電流:800nA
最大スキャンクロック:100MHz
設備状況
稼働中

EB用自動現像装置(カナメックス) (Automatic Development System for EB Litography)

設備ID
AT-116
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
EB用自動現像装置(カナメックス)
メーカー名
カナメックス (KANAMEX)
型番
仕様・特徴
試料サイズ:2~6インチ、小片10mm□、20mm□       レシピ数:100
現像:2系統(酢酸nアミル、TMAH2.38%)
リンス:2系統(IPA、純水)
現像液温度制御:10~30℃
設備状況
稼働中

多機能型薄膜X線回折装置(XRD) (Multifunctiolal X-ray Diffractometer (XRD))

設備ID
AT-117
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
多機能型薄膜X線回折装置(XRD)
メーカー名
パナリティカル (PANalytical)
型番
X'Pert3 MRD
仕様・特徴
試料サイズ:最大100mmφ
試料ステージ:垂直型
試料形態:薄膜
測定:2θ/θ、2θ/ω、in-plane2θχ/φ、逆格子空間マッピング測定、ロッキングカーブ測定、極点測定、面内マッピング測定、反射率測定
設備状況
稼働中

多機能型光電子分光分析装置(XPS) (Multifunctional X-ray Photoelectron Spectroscopy Analysis System (XPS))

設備ID
AT-118
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
多機能型光電子分光分析装置(XPS)
メーカー名
アルバック・ファイ (ULVAC PHI)
型番
Model 900
仕様・特徴
搭載分析機能:XPS, UPS, 走査型オージェ電子分光分析, 低エネルギー逆光電子分光, 反射電子エネルギー損失分光他
最大試料サイズ:80 mm×80 mm, 高さ12 mm
試料加熱冷却範囲:-100 ~ 500℃
設備状況
稼働中

マスクレス露光装置[MLA150] (Maskless Lithography System [MLA150])

設備ID
AT-119
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
マスクレス露光装置[MLA150]
メーカー名
ハイデルベルグ (Heidelberg Instruments)
型番
MLA150
仕様・特徴
・型式:MLA150
・光源:半導体レーザー(375nm )
・ステージ位置決め精度:10nm(X軸,Y軸)
・最大ウエハーサイズ:φ8インチ
・最大描画エリア:200mm×200mm
・アドレスグリッド:40nm
・最小描画パターン:500nm(L&Sパターン)
・エッジラフネス:60nm(3σ)
・CD均一性:100nm(3σ)
・重ね合わせ描画精度:0.25μm(5mm×5mm)、
            0.5μm(100mm×100mm)
・ 裏面パターンとの重ね合わせ描画精度:1μm
設備状況
稼働中

陽電子プローブマイクロアナライザー(PPMA) (Positron Probe MicroAnalyzer (PPMA))

設備ID
AT-501
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
陽電子プローブマイクロアナライザー(PPMA)
メーカー名
産総研自主開発 (AIST Original)
型番
仕様・特徴
電子の反粒子である陽電子のマイクロビームを作り、物質中の陽電子寿命のマッピング測定を行う装置。
原子が1個抜けた原子空孔、ナノボイドのサイズ、分布の評価が可能。
・陽電子源 : 電子加速器対生成方式
・陽電子ビーム径 : 0.01 mm ~ 10 mm
・陽電子ビームエネルギー : 1-30 keV
・寿命測定時間分解能 : 200-300 ps
設備状況
稼働中

超伝導蛍光収量X線吸収微細構造分析装置 (SC-XAFS) (X-ray Absorption Fine Structure Spectroscopy with a Superconducting Fluorescence Detector (SC-XAFS))

設備ID
AT-502
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
超伝導蛍光収量X線吸収微細構造分析装置 (SC-XAFS)
メーカー名
産総研自主開発 (AIST Original)
型番
仕様・特徴
エネルギー分散超伝導検出器を搭載し、母材中の微量軽元素や重い元素のL、M線のX線吸収微細構造測定により、特定の微量元素の原子スケール構造解析を行う。省エネ半導体ドーパント、酸化物、磁性体などの原子配位や電子状態を評価する。
・蛍光X線エネルギー分解能 : 10 eV
・エネルギー範囲 : 70eV-5000eV(<1keV:超伝導、> 2keV:半導体)
・アレイ検出器素子数 :100
・光子計数率 : 1 Mcps
・冷却 : 液体ヘリウムを使用せず機械式冷凍機による自動冷却(0.3K)
設備状況
稼働中
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