共用設備検索結果
Ｓｉ深堀エッチング装置〔PlasmaPro_100〕 (Si Deep RIE)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- オックスフォードインスツルメント (Oxford Instruments Plasma)
- 型番
- PlasmaPro_100_Cobra
- 仕様・特徴
- ・型式:PlasmaPro_100_Cobra
・試料サイズ:4インチφ
・放電方式: 誘導結合式プラズマ(ICP)
・ICP高周波電源: 3kW（2 MHz）
・バイアス高周波電源: 300W（13.56MHz）、最小 15W
・試料導入方式: ロードロック式
・試料温度制御
・使用ガス: CF4, CHF3, SF6, C4F8, O2, Ar
原子層堆積装置_3〔FlexAL〕 (Atomic Layer Deposition_3〔FlexAL〕)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- オックスフォードインスツルメント (Oxford Instruments Plasma)
- 型番
- FlexAL
- 仕様・特徴
- ・型式:FlexAL
・試料サイズ:4インチφ
・基板温度:100-550℃
・プラズマALD:600W（誘導結合型）
・基板バイアス:100W
・反応ガス:重水, O2, ピュアオゾン, N2, H2, D2, NH3, ND3
・材料ポート:8ポート
・キャリアガス:Ar
・表面分析用 in-situ XPS
・膜厚計測用 in-situ 分光エリプソ
原子層堆積装置_3付帯ＸＰＳ装置（アルバック・ファイ） (X-ray Photoelectron Spectroscopy Analysis System (XPS))
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック・ファイ (ULVAC-PHI,)
- 型番
- Quantera II
- 仕様・特徴
- ・型式:Quantera II
・試料サイズ:4インチφ
・X線源:単色化Al kα(ローランド直径 200 mm)
・光電子分光器:静電半球型(軌道直径279.4 mm)
・検出器:マルチチャネル検出器 (32 ch)
・スペクトル分析:0～1467 eV
・イメージング:最小ビーム径7.5μm, 最大走査範囲1.4 mmx1.4 mmのSXIイメージング
・最小スペクトル分析面積:7.5μmφ (20% - 80% knife edge法)
・エネルギ分解能:0.48 eV（Ag 3d5/2光電子ピーク半値幅）
・帯電中和:10 eV以下電子と5～10 eV Arイオン同時照射
・光電子取り出し角度:45°(標準)
原子層堆積装置_4〔FlexAL〕 (Atomic Layer Deposition_4〔FlexAL〕)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- オックスフォードインスツルメント (Oxford Instruments Plasma)
- 型番
- FlexAL
- 仕様・特徴
- ・型式:FlexAL
・試料サイズ:4インチφ
・基板温度:100-550℃
・プラズマALD:600W（誘導結合型）
・基板バイアス:100W
・反応ガス:H2O，O2，N2，H2，D2, NH3, ND3
・材料ポート:3ポート
・キャリアガス:Ar
・膜厚計測用 in-situ 分光エリプソ
3次元電界放出形走査電子顕微鏡（エリオニクス） (3 Dimensional Field Emission SEM)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- エリオニクス (ELIONIX)
- 型番
- ERA-9200
- 仕様・特徴
- ・型式:ERA-9200
・試料サイズ:4インチφ, 16mmt
・電子銃:ZrO/W熱電界放射型
・加速電圧:1～30 kV
・リタ―ディング電圧:3kV
・分解能:0.4nm以下（30kV）、0.5nm以下（15kV）、0.7nm以下（1kV）
・可動範囲:30×50mm（X-Y）、1～30mm（Z）、-5～45°（Tilt）
・検出器:2次電子検出器（４本）
６インチ電子ビーム真空蒸着装置（アールデック） (Electeron Beam Vacuum Evaporator)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- アールデック (R-DEC)
- 型番
- ADS-E86
- 仕様・特徴
- ・型式:ADS-E86
・試料サイズ:8インチφ
・蒸着方式:電子ビーム加熱蒸発
・蒸発源:6連装（6 kW）
・クルーシブル容量:12 ml
・基板ホルダ:冷却機構付(水冷)
・蒸発源―基板間:500 mm
・試料導入:ロードロック自動搬送
・真空排気システム:到達圧力1×10-5 Pa以下、オイルフリー、自動排気
・成膜:水晶振動子膜厚モニタによる自動制御
・膜厚分布:10 %以内@200mm
・常設ソース材料: Al, Al, Cu, Ti,
レーザー描画装置〔DWL66+〕 (Laser Beam Lithography)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- ハイデルベルグ (Heidelberg Instruments)
- 型番
- DWL66+
- 仕様・特徴
- ・型式:DWL66+
・試料サイズ:8インチφ、200mm×200mm×12mmt
・最小角型試料サイズ： 5mm×5mm
・描画エリア:200mm×200mm
・レーザー光源:405nm
・最小描画パターン:0.5μm （L&S）、0.3μm（孤立パターン）
・重ね合わせ描精度:0.25μm(5mm×5mm以内)、0.5μm(100mm×100mm以内)
・裏面パターンとの重ね合わせ精度：1μm
・グレースケール露光:1000階調
陽電子プローブマイクロアナライザー(PPMA) (Positron Probe MicroAnalyzer (PPMA))
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- 産総研自主開発 (AIST Original)
- 型番
- 仕様・特徴
- 電子の反粒子である陽電子のマイクロビームを作り、物質中の陽電子寿命のマッピング測定を行う装置。
原子が1個抜けた原子空孔、ナノボイドのサイズ、分布の評価が可能。
・陽電子源 ： 電子加速器対生成方式
・陽電子ビーム径 ： 0.01 mm ～ 10 mm
・陽電子ビームエネルギー ： 1-30 keV
・寿命測定時間分解能 ： 200-300 ps
超伝導蛍光収量Ｘ線吸収微細構造分析装置 (SC-XAFS) (X-ray Absorption Fine Structure Spectroscopy with a Superconducting Fluorescence Detector (SC-XAFS))
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- 産総研自主開発 (AIST Original)
- 型番
- 仕様・特徴
- エネルギー分散超伝導検出器を搭載し、母材中の微量軽元素や重い元素のL、M線のＸ線吸収微細構造測定により、特定の微量元素の原子スケール構造解析を行う。省エネ半導体ドーパント、酸化物、磁性体などの原子配位や電子状態を評価する。
・蛍光Ｘ線エネルギー分解能 ： 10 eV
・エネルギー範囲 ： 70eV-5000eV(<1keV:超伝導､> 2keV:半導体)
・アレイ検出器素子数 ：100
・光子計数率 ： 1 Mcps
・冷却 ： 液体ヘリウムを使用せず機械式冷凍機による自動冷却（0.3K)
可視－近赤外過渡吸収分光装置 (VITA) (Visible/Near-Infrared Transient Absorption Spectrometer (VITA))
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- (1) ナノ秒可視・近赤外蛍光寿命計測装置：産総研自主開発、(2) ナノ秒可視・近赤外過渡吸収分光装置：産総研自主開発、(3) ピコ秒可視蛍光寿命計測装置：産総研自主開発、(4) ピコ秒可視・近赤外過渡吸収分光装置：産総研自主開発 ((1) Nanosecond Visible/Near-Infrared Fluorescence Spectrometer：AIST Original, (2) Nanosecond Visible/Near-Infrared Transient Absorption Spectrometer：AIST Original, (3) Picosecond Visible/Near-Infrared Fluorescence Spectrometer：AIST Original, (4) Picosecond Visible/Near-Infrared Transient Absorption Spectrometer：AIST Original)
- 型番
- 仕様・特徴
- (1) ナノ秒可視・近赤外蛍光寿命計測装置
液体、溶液、結晶、フィルムなどの蛍光スペクトルと蛍光寿命を測定する装置。
励起光源にレーザーダイオードやピコ秒のNd:YAGレーザーを用いており、非常に簡便に計測ができる。
寿命測定は時間相関単一光子計数法または高速オシロスコープによる直接法を用いており、弱い励起条件での計測が可能であるとともに、8桁程度の信号ダイナミックレンジのデータが取得できる。
・時間分解能:約200 ps
・励起波長:278, 342, 355, 408, 455, 532, 560, 637 nm
・測定波長範囲:350 nm～1600 nm
・測定雰囲気：-270 ℃～室温～+100 ℃
(2) ナノ秒可視・近赤外過渡吸収分光装置
液体、溶液、結晶、フィルムなどの過渡吸収スペクトルと減衰挙動を測定する装置。
励起光源に波長可変のTi:Sapphireレーザーを用いており、様々な測定対象に対応可能。
従来装置と比べて測定感度が高いことが特徴であり、吸光度変化として<0.001の計測が可能。
・時間分解能: 1 ns程度
・励起光: 100 fsパルス、波長240～2400 nm
・測定波長範囲: 400 nm～6000 nm
・測定雰囲気: 室温大気中(特殊環境は要相談)
(3) ピコ秒可視蛍光寿命計測装置
この装置は、40 psの時間分解能、時間レンジ1 ～ 100 ns、400 ～ 900 nmの観測波長領域を有する、時間分解蛍光スペクトル測定装置。
固体中励起子寿命、励起子拡散長、色素分子蛍光寿命の評価が可能。
・形式: C4334-01
・励起光:100 fsパルス、波長240～800 nm
・測定雰囲気: 室温大気中(特殊環境は要相談)
・時間分解能：40 psの時間分解能時間 ﾚﾝｼﾞ1～100 ns、400～900 nm
(4) ピコ秒可視・近赤外過渡吸収分光装置
200 fsの時間分解能、240 ～ 11000 nmの観測波長領域、<0.001の吸収測定精度を有する過渡吸収分光装置。
固体中キャリア寿命、界面電荷分離反応の速度・収率、励起子拡散長を評価。
・測定モード:透過・正反射・拡散反射型ﾎﾟﾝﾌﾟ-ﾌﾞﾛｰﾌﾞ法
・励起光:100～150 fsパルス、波長240～2400 nm
・測定雰囲気:室温大気中(特殊環境は要相談)
・時間分解能：200 fsの時間分解能、240～11000 nm