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高速電子ビーム描画装置（エリオニクス） (Electron Beam Lithography System (Elionix))
- 設備ID
- AT-093
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- エリオニクス (ELIONIX)
- 型番
- ELS-F130AN
- 仕様・特徴
- ・型式:LS-F130AN
・試料サイズ:～12インチφ、9インチ□のマスクブランクス
・電子銃:ZrO/W熱電界放射型
・加速電圧:130kV, 100kV, 50kV, 25kV
・最小ビーム径:1.7nm (@ 130kV)
・最小描画線幅:5nm (@ 130kV)
・最大スキャンクロック:100MHz
・ビーム電流強度:5pA～100nA
・フィールドサイズ:100μm □、250μm□、500μm□、1000μm□(100kV以下)、1500μm□(50kV以下)、3000μm□ (25kV以下)
・ビームポジション:1,000,000×1,000,000 (20bit DAC)
・位置決め分解能:0.1nm
・つなぎ精度:±10nm
・重ねあわせ精度:±15nm
・描画可能エリア:210mm×210mm
- 設備状況
- 稼働中
解析用PC（CAD及び近接効果補正用） (PC (PEC and CAD))
- 設備ID
- AT-094
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- ジェニシス (GenISys)
- 型番
- BEAMER
- 仕様・特徴
- ・型式:BEAMER
・近接効果補正
・パターン分割処理
・輪郭分離処理
・PSFシミュレーション
- 設備状況
- 稼働中
RF-DCスパッタ成膜装置（芝浦） (RF-DC Sputter Deposition Equipment（Shibaura）)
- 設備ID
- AT-095
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA)
- 型番
- i-Miller
- 仕様・特徴
- ・型式:CFS-4EP-LL、i-Miller
・試料サイズ:8インチ
・スパッタ源:3インチマグネトロン×3式
・スパッタ方式:直流スパッタ、高周波スパッタ
・基板テーブル:回転機構付
・逆スパッタ:200W
・ターゲット-基板間距離:82 mm
・基板加熱:なし
・膜厚分布:±5%以内@膜厚～600nm(SiO2、170 mmφ)
・到達真空度:10-5 Pa台
・スパッタガス:Ar、O2、N2
・成膜時ガス圧(標準):0.5Pa
・常備ターゲット:Al, Al2O3, Au, Cr, Cu, Nb, Pt, SiO2, Ta, Ta2O5, Ti, TiN, TiO2, W
- 設備状況
- 稼働中
単波長エリプソメータ (Single Wavelength Ellipsometer)
- 設備ID
- AT-096
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- 溝尻光学工業所 (Mizojiri-opt)
- 型番
- DHA-XA2M
- 仕様・特徴
- ・型式:DHA-XA2M
・試料サイズ:4インチφ
・光源:He/Neレーザー(632.8nm)、LD830(830nm)
・測定方式:回転検光子法
・入射角度:55°~75°
- 設備状況
- 稼働中
ECRスパッタ成膜・ミリング装置 (ECR sputter deposition and milling system)
- 設備ID
- AT-098
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- エリオニクス (ELIONIX)
- 型番
- EIS-200ERP
- 仕様・特徴
- ・型式:EIS-200ERP
・試料サイズ:75 mmφ
・イオンソース:ECR方式
・ガス種:Ar (最大流量5sccm)
・圧力:0.01 Pa
・加速電圧:30～3000 V
・マイクロ波:最大100 W
・材料ターゲットサイズ:100 mmφ
- 設備状況
- 稼働中
サムコ原子層堆積装置_2[AD-100LP] (Atomic Layer Deposition_2〔AD-100LP〕)
- 設備ID
- AT-099
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
![サムコ原子層堆積装置_2[AD-100LP]](data/facility_item/AT-099.jpg)
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- AD-100LP
- 仕様・特徴
- ・型式: AD100-LP (サムコ株式会社)
・試料サイズ:4インチ（2インチは3枚まで搭載可能）
・ステージ温度：50 ～ 500℃
・放電方式: 誘導結合式ICPプラズマ（ダウンフロー型、リモート型）
・ICP高周波電源: 300W（13.56MHz）
・試料導入方式: ロードロック式
・キャリアガス:N2
・反応ガス:H2O, O2、ピュアオゾン, N2、NH3、H2、Ar
・材料ガス:TMA,BDEAS
- 設備状況
- 稼働中
Ｓｉ深堀エッチング装置〔PlasmaPro_100〕 (Si Deep RIE)
- 設備ID
- AT-101
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- オックスフォードインスツルメント (Oxford Instruments Plasma)
- 型番
- PlasmaPro_100_Cobra
- 仕様・特徴
- ・型式:PlasmaPro_100_Cobra
・試料サイズ:4インチφ
・放電方式: 誘導結合式プラズマ(ICP)
・ICP高周波電源: 3kW（2 MHz）
・バイアス高周波電源: 300W（13.56MHz）、最小 15W
・試料導入方式: ロードロック式
・試料温度制御
・使用ガス: CF4, CHF3, SF6, C4F8, O2, Ar
- 設備状況
- 稼働中
原子層堆積装置_3〔FlexAL〕 (Atomic Layer Deposition_3〔FlexAL〕)
- 設備ID
- AT-102
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- オックスフォードインスツルメント (Oxford Instruments Plasma)
- 型番
- FlexAL
- 仕様・特徴
- ・型式:FlexAL（オックスフォードインスツルメンツ社製）
・試料サイズ:4インチφ
・基板温度:100-550℃
・プラズマALD:600W（誘導結合型）
・基板バイアス:100W
・反応ガス:重水, O2, ピュアオゾン, N2, H2, D2, NH3, ND3
・材料ポート:8ポート
・キャリアガス:Ar
・表面分析用 in-situ XPS
・膜厚計測用 in-situ 分光エリプソ（J.A.ウラーム社製 M-2000）
- 設備状況
- 稼働中
原子層堆積装置_3付帯ＸＰＳ装置（アルバック・ファイ） (X-ray Photoelectron Spectroscopy Analysis System (XPS))
- 設備ID
- AT-103
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック・ファイ (ULVAC-PHI,)
- 型番
- Quantera II
- 仕様・特徴
- ・型式:Quantera II
・試料サイズ:4インチφ
・X線源:単色化Al kα(ローランド直径 200 mm)
・光電子分光器:静電半球型(軌道直径279.4 mm)
・検出器:マルチチャネル検出器 (32 ch)
・スペクトル分析:0～1467 eV
・イメージング:最小ビーム径7.5μm, 最大走査範囲1.4 mmx1.4 mmのSXIイメージング
・最小スペクトル分析面積:7.5μmφ (20% - 80% knife edge法)
・エネルギ分解能:0.48 eV（Ag 3d5/2光電子ピーク半値幅）
・帯電中和:10 eV以下電子と5～10 eV Arイオン同時照射
・光電子取り出し角度:45°(標準)
- 設備状況
- 稼働中
原子層堆積装置_4〔FlexAL〕 (Atomic Layer Deposition_4〔FlexAL〕)
- 設備ID
- AT-104
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- オックスフォードインスツルメント (Oxford Instruments Plasma)
- 型番
- FlexAL
- 仕様・特徴
- ・型式:FlexAL
・試料サイズ:4インチφ
・基板温度:100-550℃
・プラズマALD:600W（誘導結合型）
・基板バイアス:100W
・反応ガス:H2O，O2，N2，H2，D2, NH3, ND3
・材料ポート:3ポート
・キャリアガス:Ar
・膜厚計測用 in-situ 分光エリプソ
- 設備状況
- 稼働中