共用設備検索結果
マニュアルウエハープローバー（２F） (Manual Wafer Prober)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- MJCKEYTHLEYHP (MJCKEYTHLEYHP)
- 型番
- MJC_708fT-0114200SCSHP4284A
- 仕様・特徴
- ・型式:MJC_708fT-011（マニュアルプローバ）
・試料サイズ:75～200 mmφ、 10～30 mm□
・300 mmウェーハ:中央付近のみ測定可能
・小片試料:0.5インチΦ（専用チャック）
・ステージトラベル:X, Y ±110 mm (取り出し用ストローク含まず)
・サブステージトラベル:X, Y ±5 mm (マイクロメータ駆動)
・Zトラベル:0, 0.3, 3.5 mm固定+3 mm
・プローブ接続:リモートセンシング対応(Force, Sence独立配線)
・プローブ数:3系統+チャックテーブル1系統
・プローブ先端径:R=12.5μm
KEITHLEY 4200-SCS
・SMU搭載数:4200-SMU(4200-PA付き)×4
・電流分解能:0.1fA～100pA
・最大電流:±100mA
・電圧レンジ:200mV～210V(4レンジ)
HP4284A LCRメータ
電界放出形走査電子顕微鏡［S4500/FE-SEM］ （２F） (Field Emission SEM (HITACHI S-4500))
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
- 型番
- S4500
- 仕様・特徴
- ・型式:S-4500
・試料サイズ:50 mmφ
・電子銃:冷陰極電界放出型電子銃
・加速電圧:0.5～30 kV
・分解能:1.5 nm (加速電圧15 kV, WD = 4 mm)
・試料ステージ制御:5軸モーター制御
・可動範囲:X:0～25 mm、Y:0～25 mm、Z:3～28 mm、R:360°、T:-5～45°
・検出器:2次電子検出器(2系統)
赤外線ランプ加熱炉（RTA） (RTA Furnace)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- アドバンス理工 (ADVANCE RIKO)
- 型番
- RTP-6S
- 仕様・特徴
- ・型式:RTP-6S
・試料サイズ:小片～4インチφ
・到達真空度:-4乗Pa台
・加熱方式: 試料上面より放物面反射赤外線輻射加熱方式
・加熱制御方式:プログラム起電力比較クローズドループ・コントロール方式(PID3項制御)
・加熱範囲:150 mmφ
・温度範囲:RT～1000℃
・最大加熱速度:20℃/sec(SiCサセプタ使用時は10℃/sec)
・均熱精度:ΔT=10℃(@700℃保定時 N2ガスフロー中)
・温度センサ:熱電対(シースR熱電対)
・雰囲気 ガス:N2, Ar, O2
高圧ジェットリフトオフ装置 ((High Pressure Jet Lift-off Equipment)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- カナメックス (Kanamex)
- 型番
- KLO-150CBU
- 仕様・特徴
- ・型式:KLO-150CBU
・試料サイズ:小片20mm□～150mmφ
・回転数:0～2000rpm
・NMP処理温度:80℃
高速電子ビーム描画装置（エリオニクス） (Electron Beam Lithography System (Elionix))
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- エリオニクス (ELIONIX)
- 型番
- ELS-F130AN
- 仕様・特徴
- ・型式:LS-F130AN
・試料サイズ:～12インチφ、9インチ□のマスクブランクス
・電子銃:ZrO/W熱電界放射型
・加速電圧:130kV, 100kV, 50kV, 25kV
・最小ビーム径:1.7nm (@ 130kV)
・最小描画線幅:5nm (@ 130kV)
・最大スキャンクロック:100MHz
・ビーム電流強度:5pA～100nA
・フィールドサイズ:100μm □、250μm□、500μm□、1000μm□(100kV以下)、1500μm□(50kV以下)、3000μm□ (25kV以下)
・ビームポジション:1,000,000×1,000,000 (20bit DAC)
・位置決め分解能:0.1nm
・つなぎ精度:±10nm
・重ねあわせ精度:±15nm
・描画可能エリア:210mm×210mm
解析用PC（CAD及び近接効果補正用） (PC (PEC and CAD))
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- ジェニシス (GenISys)
- 型番
- BEAMER
- 仕様・特徴
- ・型式:BEAMER
・近接効果補正
・パターン分割処理
・輪郭分離処理
・PSFシミュレーション
RF-DCスパッタ成膜装置（芝浦） (RF-DC Sputter Deposition Equipment（Shibaura）)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA)
- 型番
- i-Miller
- 仕様・特徴
- ・型式:CFS-4EP-LL、i-Miller
・試料サイズ:8インチ
・スパッタ源:3インチマグネトロン×3式
・スパッタ方式:直流スパッタ、高周波スパッタ
・基板テーブル:回転機構付
・逆スパッタ:200W
・ターゲット-基板間距離:82 mm
・基板加熱:なし
・膜厚分布:±5%以内@膜厚～600nm(SiO2、170 mmφ)
・到達真空度:10-5 Pa台
・スパッタガス:Ar、O2、N2
・成膜時ガス圧(標準):0.5Pa
・常備ターゲット:Al, Al2O3, Au, Cr, Cu, Nb, Pt, SiO2, Ta, Ta2O5, Ti, TiN, TiO2, W
単波長エリプソメータ (Single Wavelength Ellipsometer)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- 溝尻光学工業所 (Mizojiri-opt)
- 型番
- DHA-XA2M
- 仕様・特徴
- ・型式:DHA-XA2M
・試料サイズ:4インチφ
・光源:He/Neレーザー(632.8nm)、LD830(830nm)
・測定方式:回転検光子法
・入射角度:55°~75°
ECRスパッタ成膜・ミリング装置 (ECR sputter deposition and milling system)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- エリオニクス (ELIONIX)
- 型番
- EIS-200ERP
- 仕様・特徴
- ・型式:EIS-200ERP
・試料サイズ:75 mmφ
・イオンソース:ECR方式
・ガス種:Ar (最大流量5sccm)
・圧力:0.01 Pa
・加速電圧:30～3000 V
・マイクロ波:最大100 W
・材料ターゲットサイズ:100 mmφ
サムコ原子層堆積装置_2[AD-100LP] (Atomic Layer Deposition_2〔AD-100LP〕)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
![サムコ原子層堆積装置_2[AD-100LP]](data/facility_item/AT-099.jpg)
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- AD-100LP
- 仕様・特徴
- ・型式: AD100-LP (サムコ株式会社)
・試料サイズ:4インチ（2インチは3枚まで搭載可能）
・ステージ温度：50 ～ 500℃
・放電方式: 誘導結合式ICPプラズマ（ダウンフロー型、リモート型）
・ICP高周波電源: 300W（13.56MHz）
・試料導入方式: ロードロック式
・キャリアガス:N2
・反応ガス:H2O, O2、ピュアオゾン, N2、NH3、H2、Ar
・材料ガス:TMA,BDEAS