共用設備検索

共用設備検索結果

フリーワード検索

電界放出形走査電子顕微鏡[S4500/FE-SEM] (2F) (Field Emission SEM (HITACHI S-4500))

設備ID
AT-088
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
電界放出形走査電子顕微鏡[S4500/FE-SEM] (2F)
メーカー名
日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
型番
S4500
仕様・特徴
・型式:S-4500
・試料サイズ:50 mmφ
・電子銃:冷陰極電界放出型電子銃
・加速電圧:0.5~30 kV
・分解能:1.5 nm (加速電圧15 kV, WD = 4 mm)
・試料ステージ制御:5軸モーター制御
・可動範囲:X:0~25 mm、Y:0~25 mm、Z:3~28 mm、R:360°、T:-5~45°
・検出器:2次電子検出器(2系統)

赤外線ランプ加熱炉(RTA) (RTA Furnace)

設備ID
AT-089
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
赤外線ランプ加熱炉(RTA)
メーカー名
アドバンス理工 (ADVANCE RIKO)
型番
RTP-6S
仕様・特徴
・型式:RTP-6S
・試料サイズ:小片~4インチφ
・到達真空度:-4乗Pa台
・加熱方式: 試料上面より放物面反射赤外線輻射加熱方式
・加熱制御方式:プログラム起電力比較クローズドループ・コントロール方式(PID3項制御)
・加熱範囲:150 mmφ
・温度範囲:RT~1000℃
・最大加熱速度:20℃/sec(SiCサセプタ使用時は10℃/sec)
・均熱精度:ΔT=10℃(@700℃保定時 N2ガスフロー中)
・温度センサ:熱電対(シースR熱電対)
・雰囲気 ガス:N2, Ar, O2

高圧ジェットリフトオフ装置 ((High Pressure Jet Lift-off Equipment)

設備ID
AT-092
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
高圧ジェットリフトオフ装置
メーカー名
カナメックス (Kanamex)
型番
KLO-150CBU
仕様・特徴
・型式:KLO-150CBU
・試料サイズ:小片20mm□~150mmφ
・回転数:0~2000rpm
・NMP処理温度:80℃

高速電子ビーム描画装置(エリオニクス) (Electron Beam Lithography System (Elionix))

設備ID
AT-093
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
高速電子ビーム描画装置(エリオニクス)
メーカー名
エリオニクス (ELIONIX)
型番
ELS-F130AN
仕様・特徴
・型式:LS-F130AN
・試料サイズ:~12インチφ、9インチ□のマスクブランクス
・電子銃:ZrO/W熱電界放射型
・加速電圧:130kV, 100kV, 50kV, 25kV
・最小ビーム径:1.7nm (@ 130kV)
・最小描画線幅:5nm (@ 130kV)
・最大スキャンクロック:100MHz
・ビーム電流強度:5pA~100nA
・フィールドサイズ:100μm □、250μm□、500μm□、1000μm□(100kV以下)、1500μm□(50kV以下)、3000μm□ (25kV以下)
・ビームポジション:1,000,000×1,000,000 (20bit DAC)
・位置決め分解能:0.1nm
・つなぎ精度:±10nm
・重ねあわせ精度:±15nm
・描画可能エリア:210mm×210mm

解析用PC(CAD及び近接効果補正用) (PC (PEC and CAD))

設備ID
AT-094
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
解析用PC(CAD及び近接効果補正用)
メーカー名
ジェニシス (GenISys)
型番
BEAMER
仕様・特徴
・型式:BEAMER
・近接効果補正
・パターン分割処理
・輪郭分離処理
・PSFシミュレーション

RF-DCスパッタ成膜装置(芝浦) (RF-DC Sputter Deposition Equipment(Shibaura))

設備ID
AT-095
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
RF-DCスパッタ成膜装置(芝浦)
メーカー名
芝浦メカトロニクス (SHIBAURA)
型番
i-Miller
仕様・特徴
・型式:CFS-4EP-LL、i-Miller
・試料サイズ:8インチ
・スパッタ源:3インチマグネトロン×3式
・スパッタ方式:直流スパッタ、高周波スパッタ
・基板テーブル:回転機構付
・逆スパッタ:200W
・ターゲット-基板間距離:82 mm
・基板加熱:なし
・膜厚分布:±5%以内@膜厚~600nm(SiO2、170 mmφ)
・到達真空度:10-5 Pa台
・スパッタガス:Ar、O2、N2
・成膜時ガス圧(標準):0.5Pa
・常備ターゲット:Al, Al2O3, Au, Cr, Cu, Nb, Pt, SiO2, Ta, Ta2O5, Ti, TiN, TiO2, W

単波長エリプソメータ (Single Wavelength Ellipsometer)

設備ID
AT-096
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
単波長エリプソメータ
メーカー名
溝尻光学工業所 (Mizojiri-opt)
型番
DHA-XA2M
仕様・特徴
・型式:DHA-XA2M
・試料サイズ:4インチφ
・光源:He/Neレーザー(632.8nm)、LD830(830nm)
・測定方式:回転検光子法
・入射角度:55°~75°

ECRスパッタ成膜・ミリング装置 (ECR sputter deposition and milling system)

設備ID
AT-098
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
ECRスパッタ成膜・ミリング装置
メーカー名
エリオニクス (ELIONIX)
型番
EIS-200ERP
仕様・特徴
・型式:EIS-200ERP
・試料サイズ:75 mmφ
・イオンソース:ECR方式
・ガス種:Ar (最大流量5sccm)
・圧力:0.01 Pa
・加速電圧:30~3000 V
・マイクロ波:最大100 W
・材料ターゲットサイズ:100 mmφ

サムコ原子層堆積装置_2[AD-100LP] (Atomic Layer Deposition_2〔AD-100LP〕)

設備ID
AT-099
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
サムコ原子層堆積装置_2[AD-100LP]
メーカー名
サムコ (Samco)
型番
AD-100LP
仕様・特徴
・型式: AD100-LP (サムコ株式会社)
・試料サイズ:4インチ(2インチは3枚まで搭載可能)
・ステージ温度:50 ~ 500℃
・放電方式: 誘導結合式ICPプラズマ(ダウンフロー型、リモート型)
・ICP高周波電源: 300W(13.56MHz)
・試料導入方式: ロードロック式
・キャリアガス:N2
・反応ガス:H2O, O2、ピュアオゾン, N2、NH3、H2、Ar
・材料ガス:TMA,BDEAS

Si深堀エッチング装置〔PlasmaPro_100〕 (Si Deep RIE)

設備ID
AT-101
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
Si深堀エッチング装置〔PlasmaPro_100〕
メーカー名
オックスフォードインスツルメント (Oxford Instruments Plasma)
型番
PlasmaPro_100_Cobra
仕様・特徴
・型式:PlasmaPro_100_Cobra
・試料サイズ:4インチφ
・放電方式: 誘導結合式プラズマ(ICP)
・ICP高周波電源: 3kW(2 MHz)
・バイアス高周波電源: 300W(13.56MHz)、最小 15W
・試料導入方式: ロードロック式
・試料温度制御
・使用ガス: CF4, CHF3, SF6, C4F8, O2, Ar
スマートフォン用ページで見る