共用設備検索結果
顕微レーザーラマン分光装置(RAMAN) (Laser Raman Spectrometer（RAMAN）)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- サーモフィッシャー (Thermo Fisher Scientific)
- 型番
- DXR-Raman Microscope
- 仕様・特徴
- ・励起光:532nm（高輝度DPSS）、780nm（高輝度ダイオード）
・測定波数範囲:50-3300cm-1
・スペクトル分解能:
フルレンジグレーティング;5 cm-1
高分解能グレーティング;3 cm-1
・最高空間分解能:1μmφ[使用レーザーの回折限界による]
・コンフォーカルによる深さ分解能:2μm～
・XYオートステージ:（可動範囲：76mm×100mm程度、0.1μｍStep）
・ X-Yと深さ方向のラマンマッピングが可能
顕微フーリエ変換赤外分光装置(FT-IR) (Fourier Transform Infrared Spectrometer (FT-IR))
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- サーモフィッシャー (Thermo Fisher Scientific)
- 型番
- Nicolet6700(本体)、Continuμm(顕微)
- 仕様・特徴
- ・光源:ETC EverGlo光源（9600～20cm-1）
・最高分解能:0.09cm-1
・測定波数範囲
350-7800cm-1 (本体: 検出器DTGS使用時 )、
600-7800cm-1（本体及び顕微：検出器MCT-A使用時）
・測定方法
本体：透過、ATR(ダイヤモンド、Ge)
顕微：透過、反射、オートステージによるマッピング機能
磁気特性測定システム(MPMS) (Magnetic Property Measurement System (MPMS))
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- 日本カンタムデザイン (Quantum Design Japan)
- 型番
- MPMS-5S
- 仕様・特徴
- ・型式:MPMS-5S
・試料サイズ:5 mmφ × 5 mm
・測定感度:1×10-8 emu
・温度範囲:1.9～400 K （ストローホルダは～350 K）
・温度スイープ:最大 10 K / min
・超伝導マグネット:±5 T
・オーブン(300～800K)オプションあり
X線回折装置(XRD) (X-ray Diffractometer（XRD）)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- リガク (Rigaku)
- 型番
- Ultima_Ⅲ
- 仕様・特徴
- ・型式:Ultima_III
・試料サイズ: 100mmφ×9mm
・試料ステージ:水平型(インプレーン測定機構付)
・傾斜多層膜放物面モノクロメータ付
・チャンネルカットモノクロメータ
・ 受光モノクロメータ
・ 6試料交換装置
・小角散乱光学系等の利用可
・ 試料形態:薄膜、粉
・ソフトウエア：定性分析、定量分析、反射率、極点、逆格子マップ、結晶子サイズ、結晶粒サイズ、結晶化度等
薄膜エックス線回折装置 (Thin Film X-ray Diffractometer 〔ATX-G, RIGAKU〕)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- リガク (Rigaku)
- 型番
- ATX_G
- 仕様・特徴
- ・型式:ATX_G型
・試料サイズ:120mmφ, 10mmt
・ステージ:4軸ゴニオメータ（インプーレーン測定）
入射光学系
・定格出力:50kV,300mA
・多層膜放物面モノクロメータ付
・ゲルマニウム4結晶モノクロメーター付
微小部蛍光X線分析装置 (Microscopic X-Ray Fluorescent Analyzer（XRF）)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテクサイエンス (Hitachi High-Tech)
- 型番
- SEA_5210Ａ
- 仕様・特徴
- ・型式:SEA_5210A
・試料サイズ: 80mm□, 35mmt（上面照射方式）
・分析元素:Na～U
・試料形態:固形、薄膜（液及び粉は要許可）
・コリメータ:0.1, 1, 2.5mmφ
・雰囲気:大気、真空
・ソフトウエア:定性分析、定量分析（FP法、検量線法）、薄膜分析（膜厚、組成）、元素マッピング
エックス線光電子分光分析装置(XPS) (X-ray Photoelectron Spectroscopy Analysis System (XPS))
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- 島津製作所 (SHIMADZU)
- 型番
- KRATOS ANALYTICAL
- 仕様・特徴
- ・型式:KRATOS ANALYTICAL
・試料サイズ: 100 mmφ、, 高さ10mm （専用ホルダ使用で約20mm迄可）
・X線源:Rowland 円直径 500mm モノクロメータ付Al Kα （1486.6 eV）
・光電子分光器:軌道半径165mm 静電二重半球型アナライザー/球面鏡アナライザー複合型
・検出器:ディレイラインディテクター（DLD）システム
・スペクトル分析:100チャネル同時計測
・イメージング:256×256画素（最大分解能3μm）
・最小スペクトル分析面積:15μmΦ
・エネルギ分解能:0.48 eV以下（Ag 3d5/2光電子ピーク半値幅）
・帯電中和 均一低エネルギー電子照射
・光電子取り出し角度:垂直（標準）、0～90°（傾斜観察ホルダ使用）
* 傾斜観察時は試料サイズの制限があります。
・エッチングイオン銃:Ar＋、多原子（コロネンC24H12 ）イオン
・搭載オプション:He紫外線光源（UPS用 21.2, 40.2 eV）
プラズマCVD薄膜堆積装置（SiN） (Plasma-assisted CVD (SiN))
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- PD-220SN
- 仕様・特徴
- ・型式:PD-220NS
・試料サイズ:8インチ
・成膜種:SiO2, Si3N4
・電極間隔:25mm (上部電極:Al製、下部電極:SUS製)
・高周波電源:300W（13.5MHｚ）
・ステージ加熱:350℃（抵抗加熱方式 ）
化合物半導体エッチング装置（ICP-RIE） (ICP-RIE (Compound Semiconductors))
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- RIE-400iPS
- 仕様・特徴
- ・型式:RIE-400iPS
・試料サイズ:４インチ
・放電方式:誘導結合式プラズマ(ICP)
・試料導入方式:ロードロック式
・高周波電源:最大500W （13.56MHz）
・バイアス高周波電源:最大300W（13.56MHz）
・使用ガス:Cl2、BCl3、HBr、Ar、O2、CF4、SF6
物理特性測定装置（PPMS） (Physical Property Measurement System (PPMS))
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- 日本カンタム・デザイン (Quantum Design Japan)
- 型番
- MODEL6000
- 仕様・特徴
- ・型式:MODEL6000
・試料サイズ:10mmx10mm
・測定可能温度範囲:1.9～400 K
・温度可変速度:0.01K/分～6K/分
・磁場印加（超伝導マグネット）:±14 T(通常は7 Tまで）
・測定機能:直流抵抗測定(DC)、Hall抵抗測定
・交流抵抗測定オプションあり