共用設備検索結果
スパッタ成膜装置(芝浦） (Sputtering System（Shibaura）)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA)
- 型番
- i-Miller
- 仕様・特徴
- ・型式:CFS-4EP-LL、i-Miller
・試料サイズ:8インチφ, 5mmt
・スパッタ源:3インチマグネトロン方式×3式
・高周波電源:最大出力500 W(使用最大200 W)
・RF制御:自動制御
・逆スパッタリング:200W
・試料搬送:ロードロック室付
・基板テーブル:回転機構付
・ターゲット-基板間:85 mm
・加熱温度:最大300 ℃
・膜厚分布:±5%以内@膜厚2～3 kÅ、SiO2成膜時、170 mmφ内
・到達真空度:2×10-4 Pa
・反応ガス:Ar, O2, N2
・成膜時ガス圧:0.2～1 Pa
・常備ターゲット:金属・酸化物・窒化物等、60種
メッキ装置 (Electroplating Equipment)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- 山本鍍金試験器 (Yamamoto-ms)
- 型番
- 仕様・特徴
- ・試料サイズ:2インチ、4インチφ
・水槽:4インチウエハ用 アクリル製二重底タイプ、浴容量 4L
・ヒーター:ウエハ水槽用ヒーター 100V,100W
・陽極板:含燐銅
・濾過器:ミニフィルター20APFA型(PTFEチューブ/4.8 (dm3/min.)/0.5μmカートリッジタイプ)
・揺動装置:4インチ用パドル撹拌装置(回転数表示式)
・電源:入力電圧 AC100～200V±10%(50/60Hz±5%)
・出力電圧 DC 0～15V
・出力電流 0～10A
・最小分解能 10mV,1mA,0.1mC
・温度調整機能 1KW(ON/OFF PID制御)
・めっき液:微細配線、パンプ用無光沢硫酸銅(XP-CS)
・その他:筆めっき用にリード線付き筆具(筆先カーボン)あり
プラズマCVD薄膜堆積装置 (Plasma-assisted CVD（TEOS/SiO2）)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- PD-20SS
- 仕様・特徴
- ・型式:PD-20SS
・試料サイズ8インチ
・有効成膜範囲:220mmφ
・排気系:ロータリーポンプ＋メカニカルブースターポンプ
・圧力制御:オートプレッシャーコントローラー（コンダクタンス可変型）
・高周波電源:300W（13.56MHz）
・電極間隔:25mm（上部電極:Al製、下部電極:SUS製）
・ガス噴出口:上部電極一体式シャワー状マニホールド
・ステージ加熱機構:抵抗加熱方式（400℃）
・導入ガス:C2F6, O2, TEOS
原子層堆積装置_1[FlexAL] (Atomic Layer Deposition_1〔FlexAL〕)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
![原子層堆積装置_1[FlexAL]](data/facility_item/AT-031.jpg)
- メーカー名
- オックスフォードインスツルメント (Oxford Instruments Plasma)
- 型番
- FlexAL
- 仕様・特徴
- ・型式:FlexAL
・試料サイズ:8インチφ
・基板温度:100-550℃
・プラズマALD:600W（誘導結合型）
・基板バイアス:100W
・反応ガス:H2O, O2, N2, H2, NH3
・材料ポート:8ポート
・常備材料ガス:TMA, DEZn, 3DMAS, TTIP, TDMATi, TBTDMTa, TEMAHf, Ru(EtCp)2, TBTDEN, TEMAZr, TDMAHf
・キャリアガス:Ar
・膜厚計測用 in-situ 分光エリプソ
クロスセクションポリッシャー(ALD付帯) (Cross Section Polisher)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
- 型番
- IM4000
- 仕様・特徴
- ・型式:IM4000
・試料サイズ:15mm(W)×15mm(D)×7mm(H)
・イオンガン:冷陰極ペニング型
・使用ガス:アルゴン
・加速電圧:1～6kV
・放電電圧:1.5kV
・断面ミリングレート:100～300µm/h (加速電圧6kV時) ※材料により異なる
・スイング角度:OFF～±40°
アルゴンミリング装置 (Argon Ion Milling System)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- 伯東 (Hakuto)
- 型番
- 3-IBE
- 仕様・特徴
- 形式：3-IBE カウフマン型DCイオン源
試料サイズ：最大4インチ
ミリングガス：Ar
ビーム加速電圧：100～1200V
イオン入射角：-90°～90°（0°が試料表面に垂直入射）
集束イオンビーム加工観察装置(FIB) (Focused Ion Beam System（FIB）)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
- 型番
- FB-2100
- 仕様・特徴
- ・型式:FB-2100
・試料サイズ: 18mmφ以下, 高さ10mm以下
・イオン源:ガリウム液体金属イオン源
・加速電圧:2kV, 5kV, 10kV～40 kV （低加速電圧対応）
・像分解能:6 nm （SIM）
・ビーム径:3µm, 1.3µm, 600 nm, 320 nm, 120 nm, 60 nm, 10 nm
・イオンビーム電流:0.1nA～68nA （大電流対応）
・デポジションガス:タングステンカルボニル
・マニュピレータシステム:シングルプローブ
・試料ステージ制御:5軸チルトステージ
・ステージ傾斜角度:最大45°
二次イオン質量分析装置(D-SIMS) (Secondary Ion Mass Spectrometer (D-SIMS))
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- アルバックファイ (ULVAC PHI)
- 型番
- ADEPT-1010
- 仕様・特徴
- ・型式:ADEPT-1010
・試料サイズ:50mmφ
・一次イオン: O2（加速電圧 0.25-8.0kV）、Cs（加速電圧 0.25-11.0kV）
・ビーム径:75μmφ以下
・二次イオン質量分析計:四重極型
・分析モード:質量スペクトル測定、ライン分析、デプスプロファイル、二次イオンイメージ像
ウェハー酸化炉 (Oxidation Furnace)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- マテルス (MATELS)
- 型番
- MAT-200KS
- 仕様・特徴
- ・型式:MAT-200KS
・試料サイズ:最大4インチφ×25枚(長さ150 mm)
・ヒーター:カンタルRAC200,220L×3ゾーン
・常用温度:1100 ℃（到達時間:2時間）
・温度分布:1100 ℃±2 ℃(範囲長さ200 mm)
・炉心管:石英、136 mmΦ×長さ1090 mm
・試料室:ドライ、ウェット雰囲気
・使用ガス:O2, N2, H2O
触針式段差計 (Contact Profiler)
- 設備ID
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- KLA テンコール (KLA-Tencor)
- 型番
- Alpha-Step IQ
- 仕様・特徴
- ・型式:Alpha-Step IQ
・試料サイズ:4インチ
・測定再現性:1σ≤8Å
・膜厚測定範囲:400 μm
・走査距離:最大10mm
・走査速度:2～200 μm /sec
・サンプリングレート:50, 100, 200, 500, 1000ポイント /sec
・測定レンジ:20, 400 μm
・針圧設定範囲:1～100 mg