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スパッタ成膜装置(芝浦) (Sputtering System(Shibaura))

設備ID
AT-025
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
スパッタ成膜装置(芝浦)
メーカー名
芝浦メカトロニクス (SHIBAURA)
型番
i-Miller
仕様・特徴
・型式:CFS-4EP-LL、i-Miller
・試料サイズ:8インチφ, 5mmt
・スパッタ源:3インチマグネトロン方式×3式
・高周波電源:最大出力500 W(使用最大200 W)
・RF制御:自動制御
・逆スパッタリング:200W
・試料搬送:ロードロック室付
・基板テーブル:回転機構付
・ターゲット-基板間:85 mm
・加熱温度:最大300 ℃
・膜厚分布:±5%以内@膜厚2~3 kÅ、SiO2成膜時、170 mmφ内
・到達真空度:2×10-4 Pa
・反応ガス:Ar, O2, N2
・成膜時ガス圧:0.2~1 Pa
・常備ターゲット:金属・酸化物・窒化物等、60種

メッキ装置 (Electroplating Equipment)

設備ID
AT-029
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
メッキ装置
メーカー名
山本鍍金試験器 (Yamamoto-ms)
型番
仕様・特徴
・試料サイズ:2インチ、4インチφ
・水槽:4インチウエハ用 アクリル製二重底タイプ、浴容量 4L
・ヒーター:ウエハ水槽用ヒーター 100V,100W
・陽極板:含燐銅
・濾過器:ミニフィルター20APFA型(PTFEチューブ/4.8 (dm3/min.)/0.5μmカートリッジタイプ)
・揺動装置:4インチ用パドル撹拌装置(回転数表示式)
・電源:入力電圧 AC100~200V±10%(50/60Hz±5%)
・出力電圧 DC 0~15V
・出力電流 0~10A
・最小分解能 10mV,1mA,0.1mC
・温度調整機能 1KW(ON/OFF PID制御)
・めっき液:微細配線、パンプ用無光沢硫酸銅(XP-CS)
・その他:筆めっき用にリード線付き筆具(筆先カーボン)あり

プラズマCVD薄膜堆積装置 (Plasma-assisted CVD(TEOS/SiO2))

設備ID
AT-030
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
プラズマCVD薄膜堆積装置
メーカー名
サムコ (Samco)
型番
PD-20SS
仕様・特徴
・型式:PD-20SS
・試料サイズ8インチ
・有効成膜範囲:220mmφ
・排気系:ロータリーポンプ+メカニカルブースターポンプ
・圧力制御:オートプレッシャーコントローラー(コンダクタンス可変型)
・高周波電源:300W(13.56MHz)
・電極間隔:25mm(上部電極:Al製、下部電極:SUS製)
・ガス噴出口:上部電極一体式シャワー状マニホールド
・ステージ加熱機構:抵抗加熱方式(400℃)
・導入ガス:C2F6, O2, TEOS

原子層堆積装置_1[FlexAL] (Atomic Layer Deposition_1〔FlexAL〕)

設備ID
AT-031
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
原子層堆積装置_1[FlexAL]
メーカー名
オックスフォードインスツルメント (Oxford Instruments Plasma)
型番
FlexAL
仕様・特徴
・型式:FlexAL
・試料サイズ:8インチφ
・基板温度:100-550℃
・プラズマALD:600W(誘導結合型)
・基板バイアス:100W
・反応ガス:H2O, O2, N2, H2, NH3
・材料ポート:8ポート
・常備材料ガス:TMA, DEZn, 3DMAS, TTIP, TDMATi, TBTDMTa, TEMAHf, Ru(EtCp)2, TBTDEN, TEMAZr, TDMAHf
・キャリアガス:Ar
・膜厚計測用 in-situ 分光エリプソ

クロスセクションポリッシャー(ALD付帯) (Cross Section Polisher)

設備ID
AT-032
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
クロスセクションポリッシャー(ALD付帯)
メーカー名
日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
型番
IM4000
仕様・特徴
・型式:IM4000
・試料サイズ:15mm(W)×15mm(D)×7mm(H)
・イオンガン:冷陰極ペニング型
・使用ガス:アルゴン
・加速電圧:1~6kV
・放電電圧:1.5kV
・断面ミリングレート:100~300µm/h (加速電圧6kV時) ※材料により異なる
・スイング角度:OFF~±40°

アルゴンミリング装置 (Argon Ion Milling System)

設備ID
AT-033
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
アルゴンミリング装置
メーカー名
伯東 (Hakuto)
型番
3-IBE
仕様・特徴
形式:3-IBE カウフマン型DCイオン源
試料サイズ:最大4インチ
ミリングガス:Ar
ビーム加速電圧:100~1200V
イオン入射角:-90°~90°(0°が試料表面に垂直入射)

集束イオンビーム加工観察装置(FIB) (Focused Ion Beam System(FIB))

設備ID
AT-034
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
集束イオンビーム加工観察装置(FIB)
メーカー名
日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
型番
FB-2100
仕様・特徴
・型式:FB-2100
・試料サイズ: 18mmφ以下, 高さ10mm以下
・イオン源:ガリウム液体金属イオン源
・加速電圧:2kV, 5kV, 10kV~40 kV (低加速電圧対応)
・像分解能:6 nm (SIM)
・ビーム径:3µm, 1.3µm, 600 nm, 320 nm, 120 nm, 60 nm, 10 nm
・イオンビーム電流:0.1nA~68nA (大電流対応)
・デポジションガス:タングステンカルボニル
・マニュピレータシステム:シングルプローブ
・試料ステージ制御:5軸チルトステージ
・ステージ傾斜角度:最大45°

二次イオン質量分析装置(D-SIMS) (Secondary Ion Mass Spectrometer (D-SIMS))

設備ID
AT-038
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
二次イオン質量分析装置(D-SIMS)
メーカー名
アルバックファイ (ULVAC PHI)
型番
ADEPT-1010
仕様・特徴
・型式:ADEPT-1010
・試料サイズ:50mmφ
・一次イオン: O2(加速電圧 0.25-8.0kV)、Cs(加速電圧 0.25-11.0kV)
・ビーム径:75μmφ以下
・二次イオン質量分析計:四重極型
・分析モード:質量スペクトル測定、ライン分析、デプスプロファイル、二次イオンイメージ像

ウェハー酸化炉 (Oxidation Furnace)

設備ID
AT-041
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
ウェハー酸化炉
メーカー名
マテルス (MATELS)
型番
MAT-200KS
仕様・特徴
・型式:MAT-200KS
・試料サイズ:最大4インチφ×25枚(長さ150 mm)
・ヒーター:カンタルRAC200,220L×3ゾーン
・常用温度:1100 ℃(到達時間:2時間)
・温度分布:1100 ℃±2 ℃(範囲長さ200 mm)
・炉心管:石英、136 mmΦ×長さ1090 mm
・試料室:ドライ、ウェット雰囲気
・使用ガス:O2, N2, H2O

触針式段差計 (Contact Profiler)

設備ID
AT-045
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
触針式段差計
メーカー名
KLA テンコール (KLA-Tencor)
型番
Alpha-Step IQ
仕様・特徴
・型式:Alpha-Step IQ
・試料サイズ:4インチ
・測定再現性:1σ≤8Å
・膜厚測定範囲:400 μm
・走査距離:最大10mm
・走査速度:2~200 μm /sec
・サンプリングレート:50, 100, 200, 500, 1000ポイント /sec
・測定レンジ:20, 400 μm
・針圧設定範囲:1~100 mg
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