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極低温プローブステーション (Cryogenic Probe station )

メーカー名
ナガセテクノエンジニアリング / TNSシステムズ / 東機通商 (Nagase Techno-Engineering Co., Ltd / TNS Systems LLC / Toki Commercial Co., Ltd)
型番
CMPS-308-4K-6P-20
設備画像
極低温プローブステーション
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
・さまざまな試作デバイスを極低温(~5K)から室温に至る広い温度領域での電気特性を低ノイズ状態で測定可能.
・計測器としてB2912A (2ch SMU、10fA, 210V)を設置. また、他の計測器(持込可)も接続可能.
冷却時間:40K台まで約4時間. 4K台までさらに1時間.
温度安定性:±0.2 K 以下.
電流ノイズ:±50 fA 以下、リーク電流:±50 fA 以下.
マニピュレータ:4基.
基板バイアス印加.

超高温炉 (Rapid Thermal Annealing (RTA) System)

メーカー名
サーモ理工 (THERMO RIKO CO., LTD)
型番
SR1800TS
設備画像
超高温炉
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
・ 真空中で試料加熱を行うことができ、最大昇温速度は300℃/sec、最高到達温度は1800℃.
・ 昇温速度、熱処理時間等の詳細な熱処理条件をプログラムすることが可能.
・ 試料ホルダーはグラファイト製に加え、石英製も備えられており、酸化性雰囲気での熱処理も可能.
加熱方式:赤外線導入加熱方式、最高到達温度:1800℃、最大昇温速度:300℃/sec、最大到達真空度:5 × 10-5 Pa、加熱面積:φ15mm.

ドライエッチングシステム (Dry Etching Equipment)

メーカー名
芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION)
型番
CDE-7-4
設備画像
ドライエッチングシステム
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
・リモートプラズマ方式よる低ダメージの等方性ケミカルドライエッチング装置.
・Siの表面や溝の平滑化・DRIE後のスキャロップ除去などが可能.
プラズマ電源:マイクロ波 2.45GHz 1.0kW
エッチングガス:CF4, O2, N2, Ar
試料サイズ:6インチウェーハ対応(小さな試料も可)

ワイヤボンダー (Manual Wire Bonder)

メーカー名
WEST BOND (WEST BOND)
型番
7476D
設備画像
ワイヤボンダー
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
チップキャリアへのボンディング
ボンディング方式:超音波/熱圧着ウェッジボンド方式
ボンディングウェッジ:45, 90度
ワイヤ種:アルミ線・金線
試料サイズ:50mm角以下、DIPパッケージ
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