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微細パターン形成装置群(スピンコーター、マスクアライナー) (Photolithography system (Mask aligner, Spincoater))

メーカー名
Neutronix-Quintel/ミカサ ( Neutronix-Quintel/Mikasa)
型番
Q 2001CT/MS-A100
設備画像
微細パターン形成装置群(スピンコーター、マスクアライナー)
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
Neutronix-Quintel社製Q 2001CT(2.5インチマスク用コンタクトアライナー)
マスク-ウエハ間隔;0-180μm
基板;1cm角~4インチφ マスク;2.5インチ角、5インチ角
光源;200W水銀ランプ(350~450nm)
解像度;0.6~1.0μm
マニュアルアライメント;1.0μm
照度分布;≤5%@3.5インチφ

ミカサ社製MS-A100(スピンコーター)
基板: 5mm角から4インチφまで

反応性イオンエッチング装置 (Reactive Ion Etching System)

メーカー名
サムコ (Samco)
型番
RIE-10NR
設備画像
反応性イオンエッチング装置
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
8インチウエハ対応
高周波出力;300W
発振周波数;13.56MHz
ガス;CF4、CHF3、O2

半導体特性評価システム (Electrical Measurement System)

メーカー名
キーサイト (Keysight)
型番
B1500A
設備画像
半導体特性評価システム
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
IV測定、CV測定、高速パルスドIV測定に対応。
IV測定範囲;0.1fA~1A/0.5μV~200V
タイムサンプリング;100μs
パルス最小測定幅;100μs(MCSMU)
容量測定 周波数範囲;1kHz~5MHz
パルスド測定 波形生成分解能;10ns 測定分解能;5ns

触針式表面段差計 (Stylus Profilemeter)

メーカー名
KLA-TENCOR (KLA-TENCOR)
型番
Alpha-Step D-500
設備画像
触針式表面段差計
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
測定長さ; 30 mm
サンプルステージ直径; 140 mm
サンプル厚さ(最大); 20 mm
垂直測定レンジ(最大);1200 μm
垂直測定分解能;0.038 nm (2.5 μm Range)
観察倍率;×1, ×1.3, ×2, ×4

X線光電子分光装置 (X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS))

メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
JPS-9010TR
設備画像
X線光電子分光装置
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
Mg / Al ツインアノード X 線銃
単色化 AlKα線(Ag 3d5/2 半値幅:0.65 eV)
静電半球型分光器
試料傾斜機構(0 ~ 90°)
中和電子銃・Ar イオンエッチング銃搭載
試料加熱機構(要相談)

パワーデバイス特性評価装置 (Power Device Electrical Measurement System)

メーカー名
キーサイト (Keysight)
型番
B1505A
設備画像
パワーデバイス特性評価装置
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
高電圧・高電流のIV測定、CV測定に対応。
電圧・電流特性: 印加電圧 3000V、電流 20A(パルスモード).
容量・電圧特性: 測定周波数 1kHz ~ 5MHz、最小分解能: 1mHz.

IRエミッション顕微鏡 (IR Emission Microscope)

メーカー名
浜松ホトニクス / TNSシステムズ / 東機通商 (Hamamatsu Photonics K.K. / TNS Systems LLC / Toki Commercial Co., Ltd)
型番
THEMOS-1000
設備画像
IRエミッション顕微鏡
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
半導体デバイスの故障に起因する発光・発熱などをとらえて故障個所を特定する高解像度エミッション顕微鏡。赤外線画像の観測により、発熱分布(温度分布)の検出や、電流リーク箇所の同定が可能。発熱分布の時間依存性計測により、温度の時間的な広がりが観測可能。パワーデバイス特性評価装置B1505Aと組み合わせることでプローバーとして利用可能。
検出波長:3.7μm~5.1μm
最大視野:3cm × 2cm
最小視野:0.7mm × 0.7mm
最小空間分解能:2.8μm
雑音等価温度差:25mK
時間分解能:3μsec.
ステージ温度:室温~200℃

イオンミリング (Ion Milling System)

メーカー名
日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
型番
IM4000PLUS
設備画像
イオンミリング
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
断面ミリングと平面ミリングに対応したハイブリッドタイプのイオンミリング装置
<断面ミリングホルダ>
使用ガス:Ar(アルゴン)ガス
加速電圧:0~6kV
最大ミリングレート(材料Si):500μm/hr以上
最大試料サイズ:20(W)×12(D)×7(H)mm
試料移動範囲:X ±7mm 、 Y 0~+3mm
<平面ミリングホルダ>
使用ガス:Ar(アルゴン)ガス
加速電圧:0~6kV
最大試料サイズ:Φ50 × 25(H) mm
試料移動範囲:X 0~+5mm

分光エリプソメータ (Ellipsometer)

メーカー名
堀場製作所 (Horiba)
型番
UVISEL Plus
設備画像
分光エリプソメータ
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
PEMを利用した位相変調方式により、外光の影響を受けにくい分光エリプソメーター

測定波長:190~2100 nm(波長分解能力:2 nm)
スポットサイズ:0.05, 0.1, 1mmφ(垂直入射時)を選択

顕微ラマン (Raman)

メーカー名
日本分光 (JASCO)
型番
NRS-5100
設備画像
顕微ラマン
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
分光器;収差補正型ツェルニターナ配置モノクロメータ
焦点距離;f=300mm
測定端数範囲;50~8000cm-1
最高分解能;1cm-2/pixel
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