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インピーダンスアナライザ (Impedance Analyzer)

設備ID
RO-514
設置機関
広島大学
設備画像
インピーダンスアナライザ
メーカー名
アジレント (Agilent)
型番
4294他
仕様・特徴
周波数 40Hz~110MHz 16048H

ホール効果測定装置 (Hall effect measuring device)

設備ID
RO-515
設置機関
広島大学
設備画像
ホール効果測定装置
メーカー名
ACCENT (ACCENT)
型番
HL5500PC
仕様・特徴
試料の抵抗値、キャリア濃度及び移動度を測定可

ウェハプローバ (Wafer prober)

設備ID
GA-011
設置機関
香川大学
設備画像
ウェハプローバ
メーカー名
カール・ズース (SUSS MicroTec)
型番
PM5
仕様・特徴
対応基板サイズ:直径1インチ~150mm
X・Y移動範囲(粗動):最大150mm×150mm
X・Y移動範囲(微動):10mm×10mm
Θ調整範囲:360°
高さ調整範囲:10mm
顕微鏡X・Y移動範囲:50mm×50mm

室温プローバー [HMP-400] (Room Temp. Prober [HMP-400])

設備ID
NM-657
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
室温プローバー [HMP-400]
メーカー名
ハイソル株式会社 (HiSOL, Inc.)
型番
HMP-400
仕様・特徴
・サンプルサイズ:最大4 inch Φ
・マニピュレーター:4本
・半導体パラメータアナライザ:IV 4系統, CV 1系統
・試料台加熱機能

低温プローバー [GRAIL-408-32-B] (Low Temp. Prober [GRAIL-408-32-B])

設備ID
NM-658
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
低温プローバー [GRAIL-408-32-B]
メーカー名
ナガセテクノエンジニアリング株式会社 (Nagase Techno-Engineering Co., Ltd.)
型番
GRAIL-408-32-B
仕様・特徴
・温度範囲:8~300 K
・サンプルサイズ:最大4 inch Φ
・マニピュレーター:4本
・半導体パラメータアナライザ:4系統
・高速パルスI-V測定

物理特性測定装置 (Physical Property Measurement System: PPMS)

設備ID
OS-128
設置機関
大阪大学
設備画像
物理特性測定装置
メーカー名
日本カンタム・デザイン株式会社 (Quantum Design Japan, Inc.)
型番
DynaCool-9
仕様・特徴
【用途】
 低温・高磁場での材料物性測定
【仕様】
 温度制御
  温度範囲1.85K~400K
  温度安定度±0.02%(T>20K)、 ±0.1%(T≦20K)
  温度可変速度 0.01K/分~12K/分
  冷却速度 40分:300K→1.9K
 磁場制御
  超電導マグネット ±9T
  磁場均一度 ±0.01% 1cm×3cm
  磁場分解能 0.16 Oe
【測定オプション】
 直流抵抗、電気輸送特性(ETO)、Van der Pauw-ホール輸送特性、試料回転機構、多機能プローブ

 ・精度の高い測定と測定時間の短縮(従来機より高度な温度制御システム、高真空システムが搭載、CAN(Controller Area Network)使用)
 ・ユーザーの要望に応えられるカスタマイズ性(多機能プローブにより 光学・マイクロ波等を用いた測定や、試料に追加の電極を必要とする測定が可能。
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