共用設備検索
共用設備検索結果
"デバイス特性"で検索した結果 56件
- 56件中 31～40件
- ＜
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- ＞
- 設備ID
- BA-016
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- キーサイト (Keysight)
- 型番
- B1505A
- 仕様・特徴
- 高電圧・高電流のIV測定、CV測定に対応。
電圧・電流特性： 印加電圧 3000V、電流 20A（パルスモード）.
容量・電圧特性： 測定周波数 1kHz ～ 5MHz、最小分解能： 1mHz.
- 設備ID
- BA-017
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- 浜松ホトニクス / TNSシステムズ / 東機通商 (Hamamatsu Photonics K.K. / TNS Systems LLC / Toki Commercial Co., Ltd)
- 型番
- THEMOS-1000
- 仕様・特徴
- 半導体デバイスの故障に起因する発光・発熱などをとらえて故障個所を特定する高解像度エミッション顕微鏡。赤外線画像の観測により、発熱分布（温度分布）の検出や、電流リーク箇所の同定が可能。発熱分布の時間依存性計測により、温度の時間的な広がりが観測可能。パワーデバイス特性評価装置B1505Aと組み合わせることでプローバーとして利用可能。
検出波長：3.7μm～5.1μm
最大視野：3cm × 2cm
最小視野：0.7mm × 0.7mm
最小空間分解能：2.8μm
雑音等価温度差：25mK
時間分解能：3μsec.
ステージ温度：室温～200℃
- 設備ID
- BA-021
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- ナガセテクノエンジニアリング / TNSシステムズ / 東機通商 (Nagase Techno-Engineering Co., Ltd / TNS Systems LLC / Toki Commercial Co., Ltd)
- 型番
- CMPS-308-4K-6P-20
- 仕様・特徴
- ・さまざまな試作デバイスを極低温（～5K）から室温に至る広い温度領域での電気特性を低ノイズ状態で測定可能.
・計測器としてB2912A (2ch SMU、10fA, 210V)を設置. また、他の計測器（持込可）も接続可能.
冷却時間：40K台まで約４時間. ４K台までさらに1時間.
温度安定性：±0.2 K 以下.
電流ノイズ：±50 fA 以下、リーク電流：±50 fA 以下.
マニピュレータ：4基.
基板バイアス印加.
- 設備ID
- AT-049
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
![ナノプローバ[N-6000SS]](data/facility_item/AT-049.jpg)
- メーカー名
- 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
- 型番
- N-6000SS
- 仕様・特徴
- ・型式:N-6000SS
・試料サイズ:15mm×15mm、厚さ1mm以下
・試料ステージ:加熱・冷却機能付
・可動範囲:15mm×15mm以上
・付加機能:EBAC（Electron Beam Absorbed Current）
プローブユニット
・ユニット数:6本（探針数）
・駆動方式:ピエゾ素子使用
・微動範囲:5μm（X,Y軸）
・粗動範囲:5mm（X,Y軸）
電子光学系
・電子銃:冷陰極電界放出型電子顕微鏡
・加速電圧:0.5～5kV （※EBACモード:最大30kV）
・イメージシフト:±100μm以上（2kV、WD=15mm）
デバイスアナライザ
・型式:B1500（Agilent製）
・モジュール:B1520A MFCMU [1KHz～5MHz CV機能]
B1517A HRSMU [100mA/42V 電流/電圧出力、1fA/0.5μV電流/電圧測定分解能]
- 設備ID
- AT-050
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- ケースレーインスツルメンツ (Keithley Instruments)
- 型番
- K-89PS40μR, K-89PS150μR
- 仕様・特徴
- ・型式:K-89PS40μR, K-89PS150μR
・試料サイズ: 4インチ□
・プローブ材質:タングステンカーバイト
・針間:1mm
・プローブ径:40μm, 150μm
・針圧:約800g, 約200g
・ステージZ軸移動:40mm(ラックピニオン式)
・針圧調整:ウエイト加減方式
・デジタルソースメータ(抜粋)
最大印加電圧 ±210V, 電流 ±1.05A(MAX 21V), ±1.05mA(MAX 210V)
最小設定分解能 5μV(200mVレンジ), 50 pA(1μAレンジ)
- 設備ID
- AT-051
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- アジレントテクノロジー (Agilent)
- 型番
- 4156C
- 仕様・特徴
- ・型式:4156C
・試料サイズ:150φ×10mm以下
・最小電流レンジと測定分解能:±10 pAレンジ（電圧 0～±100 V）⇒ 1 fA
・最大電流レンジと測定分解能:±100 mAレンジ（電圧 0～±20 V）⇒ 100 nA
・最小電圧レンジと測定分解能:±2 Vレンジ（電流 0～±100 mA）⇒ 2 µV
・最大電圧レンジと測定分解能:±100 Vレンジ（電流 0～±20 mA）⇒ 100 µV
- 設備ID
- AT-052
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- ケースレー
アジレント (Keithley
Agilent)
- 型番
- Model 82-WIN, 4284A LCRメータ
- 仕様・特徴
- ・型式:Model 82-WIN（ケースレー社製）, 4284A LCRメータ（アジレントテクノロジーズ社製）
・試料サイズ:2インチ
・Model 82-WIN: Quasistatic C-Vと高周波C-V（100kHz or 1MHz）の同時特性評価
・4284A LCRメータ:低周波20Hz～高周波1MHzの主にC-V特性評価、及び 周波数変化時の容量であるC-F特性評価
- 設備ID
- AT-086
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- MJCKEYTHLEYHP (MJCKEYTHLEYHP)
- 型番
- MJC_708fT-0114200SCSHP4284A
- 仕様・特徴
- ・型式:MJC_708fT-011（マニュアルプローバ）
・試料サイズ:75～200 mmφ、 10～30 mm□
・300 mmウェーハ:中央付近のみ測定可能
・小片試料:0.5インチΦ（専用チャック）
・ステージトラベル:X, Y ±110 mm (取り出し用ストローク含まず)
・サブステージトラベル:X, Y ±5 mm (マイクロメータ駆動)
・Zトラベル:0, 0.3, 3.5 mm固定+3 mm
・プローブ接続:リモートセンシング対応(Force, Sence独立配線)
・プローブ数:3系統+チャックテーブル1系統
・プローブ先端径:R=12.5μm
KEITHLEY 4200-SCS
・SMU搭載数:4200-SMU(4200-PA付き)×4
・電流分解能:0.1fA～100pA
・最大電流:±100mA
・電圧レンジ:200mV～210V(4レンジ)
HP4284A LCRメータ
- 設備ID
- WS-022
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- プローバ：長瀬産業株式会社（特注品）
測定装置：アジレント社製B1505A
(NAGASE & CO., LTD.)
- 型番
- プローバ：長瀬産業社製（特注品）
測定装置：アジレント社製B1505A
- 仕様・特徴
- 10K～600Kの真空環境下での高耐圧デバイス(2000V又は20A MAX)測定可能、25mmx25mm以下（測定範囲）
測定装置：アジレント社製B1505A
3000V までの電圧印加と高精度測定
最小パルス幅50 μs の
大電流モジュール（最大20 A）
カーブトレーサ・モードでの
デバイスのクイックチェック
- 設備ID
- WS-023
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- キーサイト・テクノロジー株式会社 (Keysight Technologies, Inc.)
- 型番
- プローバ：長瀬産業社製（特注品）
測定装置：アジレント社製B1500A
LCRメータ4284A
- 仕様・特徴
- ・0.1 fAおよび0.5 μVまでの電流／電圧（IV）測定をサポート
・ハイ・パワー／メモリ・デバイス・テストのための高電圧パルス発生（最大±40 V）をサポート
・準静的および中間周波数キャパシタンス／電圧（CV）測定をサポート
"デバイス特性"で検索した結果 56件
- 56件中 31～40件
- ＜
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- ＞