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パワーアナライザ (Power analyzer)
- 設備ID
- UT-956
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日置電機 (HIOKI E.E. CORPORATION)
- 型番
- PW6001
- 仕様・特徴
- モーターの力率、パワーデバイスの電力変換効率を高精度計測するパワーアナライザ
・電力基本確度±0.05％
・高い耐ノイズ性能と高い安定性 （80dB/100kHzのCMRR, ±0.01%/℃の温度特性）
・周波数帯域DC, 0.1Hz〜2MHz
- 設備状況
- 稼働中
ソースメーター (Source meter)
- 設備ID
- UT-957
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- ケースレー/テクトロニクス (Keithley/Tektronix)
- 型番
- 2450
- 仕様・特徴
- 4象限、高確度の電圧、電流印加・負荷と測定機能を組み合わせた製品です。安定度の高いDC電源と計測器クラスの6.5桁マルチメータを備えています。
・最大電力エンベロープ 60W DC
・V/Iレンジ 100nV～1,100 V、1pA～5A
- 設備状況
- 稼働中
直流電源 (DC power supply)
- 設備ID
- UT-958
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- TDKラムダ株式会社 (TDK-Lambda Co.)
- 型番
- Z+シリーズLV
- 仕様・特徴
- 超小型高電力密度の定電圧・停電流言源です。外部アナログ制御可能。USB、RS-232C、RS-485インターフェイス標準装備。
出力電圧・電流：0-60V、0-7A
- 設備状況
- 稼働中
マルチファンクションI/Oデバイス (Multfunction I/O Device)
- 設備ID
- UT-959
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- ナショナルインスツルメンツ (National Instruments)
- 型番
- USB-6251
- 仕様・特徴
- 16 AI （16 ビット、1.25 ms/s）、2 AO （2.86 MS/s）、24 DIO USB マルチファンクション I/O デバイスです。
・USB‑6251には、アナログI/O、デジタルI/O、2つの32ビットカウンタ/タイマ、デジタルトリガが備わっています。
・信頼性の高いDAQ機能を備えたこのデバイスは、実験オートメーションの簡単なアプリケーションから、研究、設計検証/テスト、製造テストまで、幅広いアプリケーションに対応します。
- 設備状況
- 稼働中
ポテンショ・ガルバノスタット (3D Printer using hot-melt plastic ink)
- 設備ID
- UT-960
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- サイエンティフィックインスツルメント (Scietific Instruments)
- 型番
- VersaSTAT4
- 仕様・特徴
- 電気化学アプリケーションに必須である速度、多用途性、及び精度を提供しています。電池及び燃料電池開発の充電／放電実験に対応します。
・fA分解能及びpA精度の弱電流パフォーマンス
・1Aまでの最大電流、 2A-20Aまでの追加ブースターオプション付
・高速なデータ取得及び走査レート向けの2µs時間基準
- 設備状況
- 稼働中
イオンビームスパッタ装置 (Ion Beam Sputter)
- 設備ID
- WS-001
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- 伯東株式会社 (Hakuto Co., Ltd.)
- 型番
- MILLATRON 820
- 仕様・特徴
- デュアルイオンビームスパッタ装置
試料サイズ ４インチ以下
４ターゲット
基板昇温可能（約400℃）
- 設備状況
- 稼働中
電子ビーム蒸着装置 (Electron Beam Vapor Deposition system )
- 設備ID
- WS-002
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- キヤノンアネルバ株式会社 (CANON ANELVA CORPORATION)
- 型番
- EVC-1501
- 仕様・特徴
- 試料サイズ ４インチ以下
Au, Cr, Ti専用
4インチウエハ18枚同時成膜可能（プラネタリーホルダー）
- 設備状況
- 稼働中
電子ビーム蒸着装置 (Electron Beam Vapor Deposition system )
- 設備ID
- WS-003
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- 株式会社アルバック (ULVAC, Inc.)
- 型番
- EBX-6D
- 仕様・特徴
- 試料サイズ ４インチ以下(プラネタリーホルダーにより、複数枚成膜可能)
金属(Cu, Cr, Ni, Al, Au, Ag等)および絶縁膜(SiO2, ZnO等)の成膜
- 設備状況
- 稼働中
原子層堆積装置 (Atomic Layer Deposition Systems)
- 設備ID
- WS-004
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- アプライドマテリアルズジャパン株式会社 (Applied Materials Japan, Inc.)
- 型番
- SUNALE R-150
- 仕様・特徴
- Al2O3膜を原子一層レベルで成膜可能
H2O及びO3使用可
基板サイズ小片～4インチ
4”, 6”ウエハ, 及び20×20mm試料対応
基板材料は原則としてダイヤモンドまたはSi
- 設備状況
- 稼働中
精密めっき装置群＋ドラフト群 (plating system)
- 設備ID
- WS-005
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- 特注品 (Custom-made products)
- 型番
- 特注品
- 仕様・特徴
- 各種無電解、電解めっきに対応、Auめっき、合金めっきに対応、基板サイズ4インチまで
- 設備状況
- 稼働中