共用設備検索結果
"分光・表面分析"で検索した結果 112件
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- メーカー名
- 日本電子 (JEOL )
- 型番
- JEM-ARM300F
- 設備画像
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 仕様・特徴
- ・加速電圧 60, 80, 300kV
・TEM非線形情報限界 60pm
・TEM格子分解能 50pm
・STEM空間分解能 58pm
・CMOSカメラ 動画撮影機能搭載
・デュアルEDS検出器 合計立体角1.2Sr
・EELS エネルギー分解能0.7eV
- メーカー名
- 日本エフイー・アイ (FEI)
- 型番
- FEI Titan Cubed
- 設備画像
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 仕様・特徴
- ・加速電圧80kV－300kV
・分解能70pm (300kV)
・エネルギー分解能80meV (80kV)
・ダブルコレクター
・モノクロメータ
- メーカー名
- 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Technologies Corporation)
- 型番
- HF-3000S
- 設備画像
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 仕様・特徴
- ・加速電圧：100－300kV
・分解能0.2nm (300kV)
- メーカー名
- 島津製作所 (Shimazu)
- 型番
- ICPE-9000
- 設備画像
- 設置機関
- 東北大学
- 仕様・特徴
- ・プラズマ光源：軸・横方向観測、ミニプラズマトーチ
・高周波電源：水晶発振器、最大出力；1.6 kW、半導体高周波回折素子
・光学器：エシェル分光器、波長範囲：167～800 nm、半導体検出器、分解能；0.005 nm(@200 nm)
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL)
- 型番
- JEM-ARM200CF
- 設備画像
- 設置機関
- 東京大学
- 仕様・特徴
- □ 主な仕様
・冷陰極電界放出電子銃
・加速電圧: 30 - 200 kV
・分解能: 0.071 nm (200 kV), 0.11 nm (60 kV)
・分析機能: EDS, EELS
・収差補正装置（プローブ補正）
・遠隔操作利用可
- メーカー名
- アルバックファイ㈱ (ULVAC-PHI, Inc. )
- 型番
- PHI 5000 VersaProbe
- 設備画像
- 設置機関
- 東京大学
- 仕様・特徴
- □ 主な特長
・ 走査型マイクロフォーカスＸ線源による微小領域分析（最小分析領域10μm）
・ ＳＸＩ(Scanning X-ray Image)により、正確・迅速に微小な分析位置を特定
・ 低エネルギー電子とイオンの同時照射により、絶縁物試料を容易に帯電中和
・ 5軸（X、Y、Z、Tilt、Rotation）モータ駆動による多点分析
□ 主な仕様
・ 最小ビーム径：10μｍ以下
・ 最高エネルギー分解能：0.5eV以下(Ag3d 5/2)
・ 最大感度：1,000,000cps(Ag3d 5/2の半値幅1.0eVのとき)
・ 到達圧力：6.7×10-8Pa以下
- メーカー名
- ジェー・エー・ウーラム・ジャパン (J.A.Woollam)
- 型番
- M-2000U
- 設備画像
- 設置機関
- 東京大学
- 仕様・特徴
- □ 主な仕様
・測定波長：193～1690nm
・チャンネル数：690同時計測
・回転補償子型
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- PHI680
- 設備画像
- 設置機関
- 東京大学
- 仕様・特徴
- 元素分析装置。 対象の極表面から出て来るオージェ電子のエネルギー分光計測によって元素を調べることが出来る。
アルゴンミリングと併用でき、深さ方向のプロファイルを測定することができる。
- メーカー名
- リガク社 (Rigaku)
- 型番
- NEX CG(EXDL 300)
- 設備画像
- 設置機関
- 名古屋大学
- 仕様・特徴
- ・・エネルギー分散型 ・最大出力：50W
・二次ターゲット：Cu、Mo、Al、RX-9、Si
・検出器：Silicon Drift Detector ・試料サイズ：φ20
- メーカー名
- JASCO社 (JASCO)
- 型番
- ECD J-702YS VCD FVS-6000 DRCD PCD-466
- 設備画像
- 設置機関
- 名古屋大学
- 仕様・特徴
- ECD J-702Y（電子円二色性）
器：ヘッドオン型光電子倍増管
・測定波長範囲：163～900nm（標準検出器）
・CD分解能：0.0005mdeg（±10mdeg）, 0.01mdeg（±200mdeg）, 0.1mdeg（±2000mdeg）
・ペルチェ式温度コントローラ装備
・クライオスタット装備
VCD FVS-6000（振動円二色性）
・測定波数範囲：3200～850 cm-1 (PV-MCT)
・測定波数範囲：4000～2000 cm-1 (InSb)
・分解：0.5, 1, 2, 4, 8, 16cm-1
・光学系：シングルビーム
・干渉計：28°入射マイケルソン干渉計
・光源：高輝度セラミック光源
・検出器：PV-MCT, InSb
DRCD PCD-466（拡散反射円二色性分光装置）
・光源：450W Xeランプ 水冷方式
・検出器：ヘッドオン型光電子倍増管・測定波長範囲：163～900nm（標準検出器）
・CD分解能：0.0005mdeg（±10mdeg）, 0.01mdeg（±200mdeg）, 0.1mdeg（±2000mdeg）
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