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光干渉式膜厚測定装置 (Film thickness measurement instruments)

設備ID
GA-016
設置機関
香川大学
設備画像
光干渉式膜厚測定装置
メーカー名
シータメトリシス (ThetaMetrisis)
型番
FR-Scanner-AIO-Mic-XY200
仕様・特徴
測定膜厚範囲(SiO2):10nm – 80μm(10X)
測定精度:0.2% or 2nm
測定波長範囲:380nm~1020nm
多層膜測定:4層まで可能
測定スポット径:10,25,50,100μm
光源:ハロゲンランプ
サンプルサイズ:Max.200 x 200 mm
光学フィルター:Y-48、R-60
その他:自動マッピング
設備状況
稼働中

ダブル球面収差補正走査透過型電子顕微鏡 (Double Cs-corrected scanning transmission electron microscope)

設備ID
HK-101
設置機関
北海道大学
設備画像
ダブル球面収差補正走査透過型電子顕微鏡
メーカー名
日本FEI (FEI)
型番
Titan3 G2 60-300
仕様・特徴
・加速電圧:60kV-300kV
・TEM分解能:0.07nm、STEM分解能:0.07nm
・X-FEG電子銃
・モノクロメーター搭載
・照射系球面収差補正器
・結像系球面収差補正器
・Super-X EDS検出器
・Gatan GIF QuantumER分光器
・分析試料ホルダー、トモグラフィー試料ホルダー
・遠隔観察
・遠隔オペレーション
設備状況
稼働中

マルチビーム超高圧電子顕微鏡 (Multi-Beam HVEM)

設備ID
HK-103
設置機関
北海道大学
設備画像
マルチビーム超高圧電子顕微鏡
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
ARM-1300
仕様・特徴
・加速電圧:1250kV
・TEM分解能:0.12nmn
・LaB6熱電子銃
・300K、400Kイオン加速器
・ナノ秒パルスレーザー
・He-Cd CWレーザー
・フェムト秒レーザー
・CCD分光器
・遠隔観察
設備状況
稼働中

集束イオンビーム加工装置 (FIB)

設備ID
HK-105
設置機関
北海道大学
設備画像
集束イオンビーム加工装置
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
JEM-9320FIB
仕様・特徴
・イオン加速電圧:5 ~ 30 kV
・倍率:150(50)~300,000
・真空系:ターボ分子ポンプ(TMP)、ロータリーポンプ(RP)
・チップオンホルダー
・バルクホルダー
・ピックアップ装置
・遠隔観察装置
設備状況
稼働中

量子・電子制御ナノマテリアル顕微物性測定装置 (Microscopic measuring equipment for physical properties on quantum/electronic controlled nano-materials)

設備ID
HK-107
設置機関
北海道大学
設備画像
量子・電子制御ナノマテリアル顕微物性測定装置
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
JEM-ARM200F NEOARM
仕様・特徴
・加速電圧:80kV-200kV
・TEM分解能:0.1nm、STEM分解能:0.07nm
・冷陰極電界放出型電子銃
・照射系球面収差補正器
・結像系球面収差補正器
・HAADF-ABF同時取得機能
・EDS検出器
・加熱・バイアス印加TEM二軸傾斜ホルダー
設備状況
稼働中

X線光電子分光装置 (X-ray photoelectron spectroscope)

設備ID
HK-201
設置機関
北海道大学
設備画像
X線光電子分光装置
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
JPS-9200
仕様・特徴
標準X線源Mg/Alツインアノード
モノクロX線源
エネルギー分解能:0.65eV(モノクロX線源)
アルゴンイオンエッチング銃
分析径:30μmφ~3mmφ
最大20点まで連続分析可、分析エリア:20mm×50mm
トランスファーベッセル
画面共有システムによる遠隔立ち会い
設備状況
稼働中

環境セル対応透過電子顕微鏡 (Transmission electron microscope for Environmental cell (E-TEM))

設備ID
HK-301
設置機関
北海道大学
設備画像
環境セル対応透過電子顕微鏡
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
JEM-2010
仕様・特徴
加速電圧:200kV
分析機能:EDS
環境セル加熱ホルダー装備
設備状況
稼働中

電界放出形走査電子顕微鏡 (Field-emission scanning electron microscope (FE-SEM))

設備ID
HK-302
設置機関
北海道大学
設備画像
電界放出形走査電子顕微鏡
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
JSM-6500F
仕様・特徴
加速電圧:1kV~30kV
分析機能:EBSD
設備状況
稼働中

電界放出形電子プローブマイクロアナライザー (Field emission electron probe micro analyzer (FE-EPMA))

設備ID
HK-303
設置機関
北海道大学
設備画像
電界放出形電子プローブマイクロアナライザー
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
JXA-8530F
仕様・特徴
加速電圧:1~30kV
分析機能:WDS
反射電子検出器装備
軟X線発光分光器装備
設備状況
稼働中

集束イオンビーム加工・観察装置 (Focused Ion Beam and Scanning Electron Microscope system(FIB-SEM))

設備ID
HK-304
設置機関
北海道大学
設備画像
集束イオンビーム加工・観察装置
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
JIB-4600F/HKD
仕様・特徴
加速電圧:1~30kV
分析機能:EDS、EBSD、3D観察
像分解能:5nm(30kV)
反射電子検出器装備
設備状況
稼働中
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