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クロスセクションポリッシャー (Cross Section Polisher)

設備ID
UT-610
設置機関
東京大学
設備画像
クロスセクションポリッシャー
メーカー名
日本電子㈱ (JEOL)
型番
IB15930CP
仕様・特徴
アルゴンプラズマにより断面出しが容易になる。位置合わせ顕微鏡あり。電子顕微鏡撮影用サンプル作製に最適。
設備状況
稼働中

イオンシャワー装置 (Ion shower)

設備ID
UT-611
設置機関
東京大学
設備画像
イオンシャワー装置
メーカー名
エリオニクス (Elionix)
型番
EIS-200ERT-VE-G
仕様・特徴
真空中で加速されたイオンビームにより、サブミクロン領域でのアンダーカット・サイドカットの少ない異方性エッチングが可能です。 またスパッタによるCr, Wなどの成膜か可能です。使用ガス(イオン):Ar
設備状況
稼働中

4インチ高真空EB蒸着装置 ( Ultra high vacuum evaporator)

設備ID
UT-700
設置機関
東京大学
設備画像
4インチ高真空EB蒸着装置
メーカー名
自作 (DIY)
型番
NSPⅡ
仕様・特徴
東大拠点で独自設計・自作した蒸着装置で、いわゆる抵抗加熱蒸着と電子線(EB)加熱蒸着との両方がが可能。
主な材料はAu,Cr,Al。
設備状況
稼働中

川崎ブランチスパッタリング装置 (Multple Cathode Magnetron Sputtering System, CFS-4EP-LL)

設備ID
UT-701
設置機関
東京大学
設備画像
川崎ブランチスパッタリング装置
メーカー名
芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)
型番
CFS-4EP-LL
仕様・特徴
ターゲット材をアルゴンプラズマによってスパッタリングし、基板に製膜するスパッタリング装置です。
ターゲット材は日々変動するので都度相談ください。φ200以下のシリコン、ガラス専用。
設備状況
稼働中

川崎ブランチECRスパッタリング装置 (Electron-Cyclotron Resonance (ECR) Ion Beam Sputter Deposition System, EIS-230W)

設備ID
UT-702
設置機関
東京大学
設備画像
川崎ブランチECRスパッタリング装置
メーカー名
エリオニクス (ELIONIX)
型番
EIS-230W
仕様・特徴
ターゲット材をアルゴンプラズマによってスパッタリングし、基板に製膜するスパッタリング装置です。
109と比較して高周波の高密度プラズマを用いているところが違いです。
ターゲット材は日々変動するので都度相談ください。φ100以下の基板用
設備状況
稼働中

8インチ汎用スパッタ装置 (General purpose Sputtering machine, ULVAC SIH-450)

設備ID
UT-703
設置機関
東京大学
設備画像
8インチ汎用スパッタ装置
メーカー名
アルバック (ULVAC)
型番
SIH-450
仕様・特徴
4インチウエーハ8枚、8インチウエーハ2枚導入可能。
6インチターゲット2枚、4インチターゲット1枚が可能。RFとDCスパッタリングが可能。
Al,SiO2,TiN,Taターゲットがあります。その他のターゲット導入も相談に乗ります(在庫がない場合注文から導入まで数ヶ月かかることもありますので相談はお早めに。)
設備状況
稼働中

高密度汎用スパッタリング装置 (Sputter )

設備ID
UT-704
設置機関
東京大学
設備画像
高密度汎用スパッタリング装置
メーカー名
芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)
型番
CFS-4ES
仕様・特徴
ターゲット超豊富です。サンプルサイズ: 8inch
ターゲットサイズ: 3inch ターゲット種類 : Ag, Al,Al2O3,Al-Nd, Au,AuGeNi, AuZnNi, Cr, Cu, GaN,ITO, IZO, Ni,Pt, SiO2, Si3N4,Ta, TbFeCo, Ti,TiO2,Pd ※, ZAO, Zn, ZnO
設備状況
稼働中

金メッキ装置 (Gold electroplating apparatus)

設備ID
UT-706
設置機関
東京大学
設備画像
金メッキ装置
メーカー名
山本鍍金試験器 (Yamamoto-MS)
型番
仕様・特徴
欠片~4”までの金電解メッキ
設備状況
稼働中

銅メッキ装置 (Copper electroplating apparatus)

設備ID
UT-707
設置機関
東京大学
設備画像
銅メッキ装置
メーカー名
山本鍍金試験器 (Yamamoto-MS)
型番
仕様・特徴
欠片~4”までの金電解メッキ
設備状況
稼働中

超臨界銅成膜装置 (Supercritical Flude (SCF) Deposition)

設備ID
UT-708
設置機関
東京大学
設備画像
超臨界銅成膜装置
メーカー名
自作 (DIY)
型番
仕様・特徴
自作2㎝角まで。東京大学霜垣・百瀬研究室との協力による。
設備状況
稼働中
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