共用設備検索結果
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汎用ICPエッチング装置 (General purpose ICP etching machine)
- 設備ID
- UT-600
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- CE-300I
- 仕様・特徴
- 誘導性結合プラズマ（ICP）エッチング装置で、こちらは汎用装置。
4”丸型ウエーハの入る装置。
利用可能ガスは、アルゴン、SF6、CF4、CHF3、O2。
主に酸化膜のエッチングや、イオンミリングによる金属のエッチングに利用。
- 設備状況
- 稼働中
川崎ブランチ化合物用エッチング装置 (Inductively Coupled Plasma (ICP) Dry Etching System, )
- 設備ID
- UT-601
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- オックスフォード・インストゥルメンツ (Oxford Instruments)
- 型番
- Plasma Pro 100 ICP-180
- 仕様・特徴
- 誘導結合プラズマ（ICP）によるエッチング装置です。
化合物半導体基板（GaAs,InP,GaN等）を得意とします。4”丸型ウエーハ導入可能。
導入ガス種：Ar,O2,H2,CH4,N2,Cl2,SF6,He
- 設備状況
- 稼働中
気相フッ酸エッチング装置 (Vapor Phase HF Etcher )
- 設備ID
- UT-602
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- IDONUS (IDONUS)
- 型番
- 仕様・特徴
- 8インチ装置、Vapor HF専用、気相フッ化水素（HF水溶液を蒸発）によって、選択的にシリコン酸化膜をエッチングし、MEMSデバイスの可動構造体、中空構造を形成するための装置です。独自構造によって、フッ酸に直接触れることなく、安全に利用することができます。静電チャックによって、任意形状の基板をチャック下エッチングのほか、4，6，8インチの丸ウエーハは機械的クランプを行えます。
- 設備状況
- 稼働中
汎用高品位ICPエッチング装置 ( ICP-RIE machine)
- 設備ID
- UT-603
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- NE-550
- 仕様・特徴
- CE-300Iの上位機種（ULVACのフラッグシップモデル）です。大津・八井研究室の協力により利用可能になりました。SiO2、ガラスのエッチングも可能です。
4”装置 塩素・フッ素系汎用。 Cl2, BCl3, Ar, O2, CF4，CHF3, SF6, C3F8
- 設備状況
- 稼働中
高速シリコン深掘りエッチング装置 (Ultra Rapid Silicon Deep Reactive Ion Etching Machine)
- 設備ID
- UT-604
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- SPTS (SPTS)
- 型番
- MUC-21 ASE-Pegasus
- 仕様・特徴
- 高密度プラズマにより（ICPパワー3kWまで。1800W常用）、低ダメージ、高速にてエッチングが可能です。（例：EBレジストを用い、scalloping100nm程度で100μm開口のトレンチを20分エッチングして深さ135μm可能）。4”装置。100nmクラスの開口可能。特殊レシピ有。また、SF6による「ドライリリース」や、C4F8による酸化膜エッチングなど、組み合わせで便利に使えるレシピも利用できます。
- 設備状況
- 稼働中
塩素系ICPエッチング装置 ( ICP-RIE machine)
- 設備ID
- UT-605
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- CE-S
- 仕様・特徴
- オペレーションの容易さで評判のCE-300Iの後継機。
8”装置（任意サンプル貼り付けエッチング可能）
Cl2, BCl3, SF6, CHF3, Ar, O2によるエッチングが可能ですが、主に使い分けとしてCl系のエッチングを行っています。
- 設備状況
- 稼働中
汎用平行平板RIE装置 (Reactive Ion Etching system)
- 設備ID
- UT-606
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (SAMCO)
- 型番
- RIE-10NR
- 仕様・特徴
- 8”装置。SF6, CHF3, CF4, Ar, O2によるエッチングが可能。ヘリウム背圧冷却が不要
- 設備状況
- 稼働中
集積回路パターン微細加工（FIB）装置 (FIB for LSI Repair)
- 設備ID
- UT-607
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- FEI (FEI)
- 型番
- 400ACE
- 仕様・特徴
- LSI配線を効率的に修正するための装置です。DCG P2Xを置き換えました。ガスを利用した金属配線カット、絶縁膜堆積、金属配線堆積が可能。大規模集積回路（VLSI）の配線修正を最も得意とする装置です。それ以外の利用は東大拠点では微細構造解析で公開しているXvision 200TBの利用がお勧めです。（案内します）
- 設備状況
- 稼働中
汎用NLDエッチング装置 (Neutral Loop Discharge (NLD) plasm dry etching system)
- 設備ID
- UT-608
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- NLD-5700Si
- 仕様・特徴
- ガラスの深掘りが可能なニュートラルループディスチャージ（NLD）エッチング装置。当面は技術補助のみ。
- 設備状況
- 稼働中
XeF2ドライエッチングシステム (XeF2 Dry Etching System)
- 設備ID
- UT-609
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ株式会社 (SAMCO Inc.)
- 型番
- VPE-4F
- 仕様・特徴
- MEMSの中空構造が得られるXeF2ガスを用いドライエッチング装置
- 設備状況
- 稼働中