共用設備検索結果
ポストメタライゼーションアニール（PMA）炉 (Post-metallization annealing furnaces)
- 設備ID
- RO-225
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- 神港精機 (SHINKO SEIKI Co., LTD)
- 型番
- 仕様・特徴
- 水素アニール 最高使用温度900℃
燐拡散炉 (Phosphorus diffusion furnaces)
- 設備ID
- RO-226
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- 神港精機 (SHINKO SEIKI Co., LTD)
- 型番
- 仕様・特徴
- 最高使用温度900℃
汎用熱処理装置 (Annealing furnaces for general purpose)
- 設備ID
- RO-227
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- 光洋サーモシステム ()
- 型番
- KTF453N-VP
- 仕様・特徴
- 各種材料窒素アニール用(400～1000℃)
連続発振レーザアニール装置（レーザ結晶化装置） (CW OSC Laser annealing (Laser crystallization))
- 設備ID
- RO-231
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- (自作) ()
- 型番
- (自作)
- 仕様・特徴
- レーザ出力：0.24 ～ 10.0 W、
レーザ径：1.15 mm×50μm (ラインビーム)、
スキャン速度：0.1 ～ 10 cm/s
卓上型ランプ加熱装置 (Infrared Gold Image Furnace / RTA System Mini Lamp Annealer)
- 設備ID
- HK-628
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- アドバンス理工 (ADVANCE RIKO,Inc.)
- 型番
- MILA-5000
- 仕様・特徴
- 温度範囲：RT ～ 1200℃
試料寸法：角 20mm × 厚 2mm
加熱雰囲気：大気中、真空中、不活性ガス中
到達真空度：6.5Pa（RP使用、室温無負荷）
赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #1] (RTA [RTP-6 #1])
- 設備ID
- NM-646
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #1]](data/facility_item/1687416772_11.jpg)
- メーカー名
- アドバンス理工株式会社 (ADVANCE RIKO,Inc.)
- 型番
- RTP-6
- 仕様・特徴
- ・温度範囲：室温～1000℃
・加熱方式：赤外ゴールドイメージ炉、９ゾーン制御
・加熱性能：最大 10℃/s
・プロセスガス：N2, Ar+H2(3%), Ar, O2, 真空置換機能あり
・試料台材質・サイズ：SiCコートグラファイト、６インチφ または Si、６インチ
高温イオン注入装置 (Ion implanter)
- 設備ID
- RO-212
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC, Inc.)
- 型番
- IMX-3500 （手動高温仕様）
- 仕様・特徴
- 500℃、 ～200ｋV，
Al，B，As，P，Si，F，Ar，N，He 等注入可能
真空アニール炉 (Vacuum annealing)
- 設備ID
- TU-109
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- アドバンス理工 (Advance Riko)
- 型番
- RHL-Pss98/98#
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～4インチ
赤外線ランプ加熱
基板温度：最高1000℃