共用設備検索結果
ウェハー酸化炉 (Oxidation Furnace)
- 設備ID
- AT-041
- 設置機関
- 産業技術総合研究所(AIST)
- 設備画像

- メーカー名
- マテルス (MATELS)
- 型番
- MAT-200KS
- 仕様・特徴
- ・型式:MAT-200KS
・試料サイズ:最大4インチφ×25枚(長さ150 mm)
・ヒーター:カンタルRAC200,220L×3ゾーン
・常用温度:1100 ℃(到達時間:2時間)
・温度分布:1100 ℃±2 ℃(範囲長さ200 mm)
・炉心管:石英、136 mmΦ×長さ1090 mm
・試料室:ドライ、ウェット雰囲気
・使用ガス:O2, N2, H2O
赤外線ランプ加熱炉(RTA) (RTA Furnace)
- 設備ID
- AT-089
- 設置機関
- 産業技術総合研究所(AIST)
- 設備画像

- メーカー名
- アドバンス理工 (ADVANCE RIKO)
- 型番
- RTP-6S
- 仕様・特徴
- ・型式:RTP-6S
・試料サイズ:小片~4インチφ
・到達真空度:-4乗Pa台
・加熱方式: 試料上面より放物面反射赤外線輻射加熱方式
・加熱制御方式:プログラム起電力比較クローズドループ・コントロール方式(PID3項制御)
・加熱範囲:150 mmφ
・温度範囲:RT~1000℃
・最大加熱速度:20℃/sec(SiCサセプタ使用時は10℃/sec)
・均熱精度:ΔT=10℃(@700℃保定時 N2ガスフロー中)
・温度センサ:熱電対(シースR熱電対)
・雰囲気 ガス:N2, Ar, O2
化合物半導体光素子用酸化炉 (Oxidation System for Vertical Cavity Surface Emitting Laser)
- 設備ID
- IT-022
- 設置機関
- 東京工業大学
- 設備画像

- メーカー名
- エピクエスト (EpiQuest)
- 型番
- Hivox3001
- 仕様・特徴
- 化合物半導体用AlAs酸化用 最大加熱温度500度
最大ウェハサイズ3インチ
赤外線カメラによるin-situモニタ付き
電界電離ガスイオン源搭載集束イオンビーム装置 (GFIS-FIB)
- 設備ID
- JI-016
- 設置機関
- 北陸先端科学技術大学院大学(JAIST)
- 設備画像

- メーカー名
- 日立ハイテクサイエンス (Hitachi High-Tech Science)
- 型番
- MR-GFIS
- 仕様・特徴
- N2イオンビームによる低汚染のFIB加工
最少加工幅:約10nm
シリコン専用の各種熱処理(酸化、拡散)装置一式 (Thermal treatment furnaces (oxidation, diffusion))
- 設備ID
- TT-009
- 設置機関
- 豊田工業大学
- 設備画像

- メーカー名
- 縦型:ディー・エス・アイ テクノロジー 横型:光洋サーモシステム (縦型:DSITechnology Co.LTD 横型:Koyo Thermo Systems Co., Ltd.)
- 型番
- 縦型:MD-100P 横型:4001PSI
- 仕様・特徴
- 横型および縦型酸化・拡散炉一式
・シリコンウェハの酸化および不純物拡散(リンおよびボロン)
・φ3インチまでのシリコン基板
高温熱処理装置(セラミックス電気管状炉) (Electric Furnace)
- 設備ID
- OS-112
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像

- メーカー名
- 誠南工業株式会社 (Seinan Industries Co., Ltd)
- 型番
- ARF-30K
- 仕様・特徴
- 【特徴】
石英管内で試料の熱処理を行なう電気炉です。
800℃までの昇温が可能です。
【仕様】
試料サイズ:20mm
加熱温度:~800℃
真空度:10-4Pa台
雰囲気ガス:O2、Ar
自然冷却方式
酸化炉 (Oxidation furnaces)
- 設備ID
- RO-221
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像

- メーカー名
- 東京エレクトロン (Tokyo Electron)
- 型番
- 仕様・特徴
- 最高使用温度1150℃
Rapid Thermal Anneal装置(RTA) (Rapid Thermal Annealing furnaces)
- 設備ID
- RO-222
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像

- メーカー名
- サムコ (Samco Inc.)
- 型番
- サムコ製 HT-1000
- 仕様・特徴
- 昇温速度最大200℃/s(N2, O2, Ar)
インプラ後アニール炉 (Diffusion furnaces for dopant activation)
- 設備ID
- RO-223
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像

- メーカー名
- 東京エレクトロン (Tokyo Electron)
- 型番
- 370MI- MINI
- 仕様・特徴
- 最高使用温度1150℃
ウェル拡散炉 (Well diffusion furnaces)
- 設備ID
- RO-224
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像

- メーカー名
- 東京エレクトロン (Tokyo Electron)
- 型番
- 370MI- MINI
- 仕様・特徴
- 最高使用温度1150℃