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ウェハー酸化炉 (Oxidation Furnace)

設備ID
AT-041
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
ウェハー酸化炉
メーカー名
マテルス (MATELS)
型番
MAT-200KS
仕様・特徴
・型式:MAT-200KS
・試料サイズ:最大4インチφ×25枚(長さ150 mm)
・ヒーター:カンタルRAC200,220L×3ゾーン
・常用温度:1100 ℃(到達時間:2時間)
・温度分布:1100 ℃±2 ℃(範囲長さ200 mm)
・炉心管:石英、136 mmΦ×長さ1090 mm
・試料室:ドライ、ウェット雰囲気
・使用ガス:O2, N2, H2O

赤外線ランプ加熱炉(RTA) (RTA Furnace)

設備ID
AT-089
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
赤外線ランプ加熱炉(RTA)
メーカー名
アドバンス理工 (ADVANCE RIKO)
型番
RTP-6S
仕様・特徴
・型式:RTP-6S
・試料サイズ:小片~4インチφ
・到達真空度:-4乗Pa台
・加熱方式: 試料上面より放物面反射赤外線輻射加熱方式
・加熱制御方式:プログラム起電力比較クローズドループ・コントロール方式(PID3項制御)
・加熱範囲:150 mmφ
・温度範囲:RT~1000℃
・最大加熱速度:20℃/sec(SiCサセプタ使用時は10℃/sec)
・均熱精度:ΔT=10℃(@700℃保定時 N2ガスフロー中)
・温度センサ:熱電対(シースR熱電対)
・雰囲気 ガス:N2, Ar, O2

化合物半導体光素子用酸化炉 (Oxidation System for Vertical Cavity Surface Emitting Laser)

設備ID
IT-022
設置機関
東京工業大学
設備画像
化合物半導体光素子用酸化炉
メーカー名
エピクエスト (EpiQuest)
型番
Hivox3001
仕様・特徴
化合物半導体用AlAs酸化用 最大加熱温度500度
最大ウェハサイズ3インチ
赤外線カメラによるin-situモニタ付き

電界電離ガスイオン源搭載集束イオンビーム装置 (GFIS-FIB)

設備ID
JI-016
設置機関
北陸先端科学技術大学院大学(JAIST)
設備画像
電界電離ガスイオン源搭載集束イオンビーム装置
メーカー名
日立ハイテクサイエンス (Hitachi High-Tech Science)
型番
MR-GFIS
仕様・特徴
N2イオンビームによる低汚染のFIB加工
最少加工幅:約10nm

シリコン専用の各種熱処理(酸化、拡散)装置一式 (Thermal treatment furnaces (oxidation, diffusion))

設備ID
TT-009
設置機関
豊田工業大学
設備画像
シリコン専用の各種熱処理(酸化、拡散)装置一式
メーカー名
縦型:ディー・エス・アイ テクノロジー 横型:光洋サーモシステム (縦型:DSITechnology Co.LTD 横型:Koyo Thermo Systems Co., Ltd.)
型番
縦型:MD-100P 横型:4001PSI
仕様・特徴
横型および縦型酸化・拡散炉一式
・シリコンウェハの酸化および不純物拡散(リンおよびボロン)
・φ3インチまでのシリコン基板

高温熱処理装置(セラミックス電気管状炉) (Electric Furnace)

設備ID
OS-112
設置機関
大阪大学
設備画像
高温熱処理装置(セラミックス電気管状炉)
メーカー名
誠南工業株式会社 (Seinan Industries Co., Ltd)
型番
ARF-30K
仕様・特徴
【特徴】
石英管内で試料の熱処理を行なう電気炉です。
800℃までの昇温が可能です。
【仕様】
試料サイズ:20mm
加熱温度:~800℃
真空度:10-4Pa台
雰囲気ガス:O2、Ar
自然冷却方式

酸化炉 (Oxidation furnaces)

設備ID
RO-221
設置機関
広島大学
設備画像
酸化炉
メーカー名
東京エレクトロン (Tokyo Electron)
型番
仕様・特徴
最高使用温度1150℃

Rapid Thermal Anneal装置(RTA) (Rapid Thermal Annealing furnaces)

設備ID
RO-222
設置機関
広島大学
設備画像
Rapid Thermal Anneal装置(RTA)
メーカー名
サムコ (Samco Inc.)
型番
サムコ製 HT-1000
仕様・特徴
昇温速度最大200℃/s(N2, O2, Ar)

インプラ後アニール炉 (Diffusion furnaces for dopant activation)

設備ID
RO-223
設置機関
広島大学
設備画像
インプラ後アニール炉
メーカー名
東京エレクトロン (Tokyo Electron)
型番
370MI- MINI
仕様・特徴
最高使用温度1150℃

ウェル拡散炉 (Well diffusion furnaces)

設備ID
RO-224
設置機関
広島大学
設備画像
ウェル拡散炉
メーカー名
東京エレクトロン (Tokyo Electron)
型番
370MI- MINI
仕様・特徴
最高使用温度1150℃
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