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急速加熱理装置 (Rapid thermal annealing)

設備ID
NU-202
設置機関
名古屋大学
設備画像
急速加熱理装置
メーカー名
AG Associates (AG Associates)
型番
Heatpulse 610
仕様・特徴
・温度範囲:400~1200℃
・昇温速度:200℃/sec

電気炉 (Electric furnance)

設備ID
NU-218
設置機関
名古屋大学
設備画像
電気炉
メーカー名
光洋リンドバーグ (KOYO Lindberg)
型番
MODEL272-2
仕様・特徴
・温度範囲:400-1100℃
・ドライ酸化用

酸化・拡散炉 (Oxidization and diffusion furnance)

設備ID
NU-219
設置機関
名古屋大学
設備画像
酸化・拡散炉
メーカー名
光洋リンドバーグ (KOYO Lindberg)
型番
MODEL270-M100
仕様・特徴
・温度範囲:600-1150℃
・ウェット酸化用

超臨界洗浄・乾燥装置 (Supercritical Rinser & Dryer)

設備ID
KT-117
設置機関
京都大学
設備画像
超臨界洗浄・乾燥装置
メーカー名
(株)レクザム (Rexxam Co., Ltd.)
型番
SCRD401
仕様・特徴
超臨界CO2により微細構造物を変形・破壊せずに洗浄・乾燥が可能。
・基板サイズ:MAXΦ4

熱酸化炉 (Thermal Oxidation Furnace )

設備ID
KT-207
設置機関
京都大学
設備画像
熱酸化炉
メーカー名
光洋サーモシステム(株) (Koyo Thermo Systems Co., Ltd.)
型番
MT-8X28-A
仕様・特徴
ドライまたはウェット状態でウエハの高温加熱が可能(常用最高温度1,050℃)
・基板サイズ:MAXΦ6×25枚/バッチ
・常用最高温度:1,050℃
・雰囲気:N2、O2(乾燥または湿潤状態)

レーザアニール装置 (KrF Laser Annealing System )

設備ID
KT-215
設置機関
京都大学
設備画像
レーザアニール装置
メーカー名
AOV(株) (AOV Co., ltd.)
型番
LAEX-1000
仕様・特徴
KrFレーザーを結像マスクを介して真空チャンバー内のサンプルに縮小投影することで、ターゲット表面のアニーリングを実現。
・波長:248nm
・ビーム縮小率:7.95
・分解能:5.3μm@L/S

高性能マッフル炉 (Muffle Furnace)

設備ID
KT-229
設置機関
京都大学
設備画像
高性能マッフル炉
メーカー名
アズワン(株) (AS ONE CORPORATION)
型番
HPM-2N
仕様・特徴
アズワン 高性能マッフル炉 HPM-2N
設定温度 100℃~1280℃

赤外線ランプ加熱装置 (Rapid Thermal Annealing System)

設備ID
KT-237
設置機関
京都大学
設備画像
赤外線ランプ加熱装置
メーカー名
アドバンス理工(株) (ADVANCE RIKO, Inc.)
型番
RTP-6
仕様・特徴
赤外線ランプを用いた汎用的な急速アニール装置。
・基板サイズ:MAXΦ6
・温度:RT~1100℃
・雰囲気:各種ガス(N2、Ar、H2/4%)、真空、大気

赤外線加熱単結晶製造装置(FZ炉) (Infrared image furnace for single crystal growth (Floating zone furnace))

設備ID
CT-029
設置機関
公立千歳科学技術大学
設備画像
赤外線加熱単結晶製造装置(FZ炉)
メーカー名
キヤノンマシナリー (Canon Machinery)
型番
SC-M50XS
仕様・特徴
・光源:キセノンランプ
・最高加熱温度:2,700 ℃
・結晶成長速度:0.2~50 mm/h

超高温炉 (Rapid Thermal Annealing (RTA) System)

設備ID
BA-022
設置機関
筑波大学
設備画像
超高温炉
メーカー名
サーモ理工 (THERMO RIKO CO., LTD)
型番
SR1800TS
仕様・特徴
・ 真空中で試料加熱を行うことができ、最大昇温速度は300℃/sec、最高到達温度は1800℃.
・ 昇温速度、熱処理時間等の詳細な熱処理条件をプログラムすることが可能.
・ 試料ホルダーはグラファイト製に加え、石英製も備えられており、酸化性雰囲気での熱処理も可能.
加熱方式:赤外線導入加熱方式、最高到達温度:1800℃、最大昇温速度:300℃/sec、最大到達真空度:5 × 10-5 Pa、加熱面積:φ15mm.
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