共用設備検索結果
メタル拡散炉 (Metal diffusion furnace)
- 設備ID
- TU-104
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 光洋リンドバーグ (Koyo)
- 型番
- Model270
- 仕様・特徴
- 温度：最高1000℃
中電流イオン注入装置 (Middle-current ion implanter)
- 設備ID
- TU-105
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日新イオン機器 (Nissin)
- 型番
- NH-20SR
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～4インチ
カセットtoカセット
加速電圧：～160kV
最大電流：0.6mA
ランプアニール装置 (Rapid thermal annealing)
- 設備ID
- TU-107
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- AG Associates (AG Associates)
- 型番
- AG4100
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～6インチ
カセットtoカセット
赤外線ランプ加熱
基板温度：最高1100℃
昇温速度：100℃／sec
水素アニール装置 (Hydrogen annealing)
- 設備ID
- TU-108
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- オリジナル (Original)
- 型番
- -
- 仕様・特徴
- 東北大学大学院工学研究科 金森 義明 教授が開発した装置
赤外線ランプ加熱
温度：最高1100℃
酸素加圧RTA付高温スパッタ装置 (High-temp. sputtering and O2 annealing)
- 設備ID
- TU-164
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- ユーテック (Youtec)
- 型番
- 21-0604
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～8インチ
3チャンバ構成：金属用(DC)スパッタチャンバ、酸化物用(RF)スパッタチャンバ、酸素加圧アニールチャンバ
基板温度：最高700℃（ランプ加熱方式）
ゾルゲル自動成膜装置 (Automatic sol-gel deposition)
- 設備ID
- TU-170
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- テクノファイン (Technofine)
- 型番
- PZ-604
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：4インチ
スピンコート、ベーク、ランプアニールの繰り返しを自動処理可能
イナートガスオーブン (Inert Gas Oven)
- 設備ID
- UT-801
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 光洋サーモシステム (Koyo Thermo Systems)
- 型番
- INH-9CD
- 仕様・特徴
- 窒素ガスを導入して、窒素雰囲気でプログラムした通りにベークできる電気炉。600℃まで昇温可能。残留ガス濃度20ppm (カタログスペック)
高速ランプアニール装置 (Lamp Annealer)
- 設備ID
- UT-802
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 米倉製作所 (YONEKURA MFG)
- 型番
- MS-HP2-9
- 仕様・特徴
- φ3inchまで（条件によってφ4inchまで可能）。大気および窒素雰囲気。昇温速度200℃/minまで、到達温度1000℃まで可能。
イオン注入装置 (Ion implantation)
- 設備ID
- NU-201
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日新電機 (Nissin Electric)
- 型番
- NH-20SR-WMH
- 仕様・特徴
- ・加速電圧：5-200kV
・注入電流1 µA～100 µA