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プラズマアッシャー (Plasma Asher)

設備ID
WS-006
設置機関
早稲田大学
設備画像
プラズマアッシャー
メーカー名
ヤマト科学株式会社 (Yamato Scientific Co., Ltd.)
型番
PR500
仕様・特徴
使用ガス:O2ガス
試料サイズ:φ4インチ以下
用途:レジストの灰化除去
ドライエッチング後のO2アッシング)
有機系汚染物質のクリーニング
Si表面の親水化処理等
設備状況
稼働中

ICP-RIE装置 (Inductively Coupled Plasma reactive ion etching)

設備ID
WS-007
設置機関
早稲田大学
設備画像
ICP-RIE装置
メーカー名
サムコ株式会社 (Samco Inc.)
型番
RIE-101iPH
仕様・特徴
汎用反応性エッチング装置
Si、Ti等の微細エッチング可
基板サイズは~4inch
設備状況
稼働中

CCP-RIE装置 (Capacitive Coupled Plasma reactive ion etching)

設備ID
WS-008
設置機関
早稲田大学
設備画像
CCP-RIE装置
メーカー名
サムコ株式会社 (Samco Inc.)
型番
RIE-10NR
仕様・特徴
SF6、CHF3によるSi、SiO2等のエッチング及びO2によるアッシング
設備状況
稼働中

Deep-RIE装置 (deep reactive ion etching)

設備ID
WS-009
設置機関
早稲田大学
設備画像
 Deep-RIE装置
メーカー名
サムコ株式会社 (Samco Inc.)
型番
RIE-400iPB
仕様・特徴
Siの深堀り可能、基板サイズ小片~4インチ、Si基板のみ
設備状況
稼働中

集束イオン/電子ビーム加工観察装置 (Focused Ion Beam Scanning Electron Microscopy)

設備ID
WS-010
設置機関
早稲田大学
設備画像
集束イオン/電子ビーム加工観察装置
メーカー名
株式会社 日立ハイテク (Hitachi High-Tech Corporation)
型番
NB-5000
仕様・特徴
FIB加工中の同時SEM観察可能
~80万倍, 試料サイズ最大30mmΦ
エネルギー分散型X線元素分析機能(EDAX)
・ シリコンドリフトディテクター (SDD検出器)
・ エネルギー分解能: 133eV以下
・ 検出元素:B~U
・ 定性分析/定量分析/マッピング機能搭載
STEM機能付き(薄膜化した後の高精度観察が可能)
設備状況
稼働中

電界放出型 走査電子顕微鏡  (Field-Emission Scanning Electron Microscope)

設備ID
WS-011
設置機関
早稲田大学
設備画像
電界放出型 走査電子顕微鏡
メーカー名
株式会社 日立ハイテク (Hitachi High-Tech Corporation)
型番
S-4800
仕様・特徴
試料サイズ最大20mm角
セミインレンズ方式による高分解能(~x600k)
EDAXによる元素分析
設備状況
稼働中

電界放出型 走査電子顕微鏡  (Field-Emission Scanning Electron Microscope)

設備ID
WS-012
設置機関
早稲田大学
設備画像
電界放出型 走査電子顕微鏡
メーカー名
株式会社 日立ハイテク (Hitachi High-Tech Corporation)
型番
SU8240
仕様・特徴
二次電子分解能
0.8nm (加速電圧15kV、WD=4mm、倍率270kx)
1.1nm (照射電圧1kV、WD=1.5mm、倍率200kx)
照射電圧 0.01~30kV
倍率 20~1,000,000倍
可動範囲:X 0~110mm,Y 0~80mm,R 360°
Z 1.5~40mm,T -5~70°
IM4000形イオンミリング装置付き(サンプルの断面ミリングと平面ミリング可能)
EDS System付き(元素分析可能)
設備状況
稼働中

電界放出型 走査電子顕微鏡  (Field-Emission Scanning Electron Microscope)

設備ID
WS-013
設置機関
早稲田大学
設備画像
電界放出型 走査電子顕微鏡
メーカー名
株式会社 日立ハイテク  (Hitachi High-Tech Corporation)
型番
S5500
仕様・特徴
試料サイズ 平面5.0mmX9.5mmX3.5mmH
断面2.0mmX6.0mmX5.0mmH
倍率 ~×2M (高倍率モード)
設備状況
稼働中

紫外線露光装置 (ultraviolet lithography)

設備ID
WS-014
設置機関
早稲田大学
設備画像
紫外線露光装置
メーカー名
ズース マイクロテック グループ (SUSS MicroTec Group)
型番
MA6/BA6
仕様・特徴
ズースマイクロテック社製MA6
小片~4インチまで露光可能
最小線幅1μm
UV両面マスクアライナー
設備状況
稼働中

電子ビーム描画装置 (Electron Beam Lithography Exposure)

設備ID
WS-015
設置機関
早稲田大学
設備画像
電子ビーム描画装置
メーカー名
株式会社エリオニクス (ELIONIX INC.)
型番
ELS-7500
仕様・特徴
最小線幅:10 nm
基板サイズ10mm角~4インチ
加速電圧:5~50 kV
設備状況
稼働中
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