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電子ビーム描画装置 (Electron Beam Lithgraphy System)
- 設備ID
- MS-103
- 設置機関
- 自然科学研究機構 分子科学研究所
- 設備画像

- メーカー名
- エリオニクス (Elionix Inc.)
- 型番
- ELS-G100
- 仕様・特徴
- 最大加速電圧100kV, 最小ビーム径1.8nm, 最小描画線幅6nm
- 設備状況
- 稼働中
電子ビーム描画装置 [ELS-BODEN100] (EB Lithography [ELS-BODEN100])
- 設備ID
- NM-635
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![電子ビーム描画装置 [ELS-BODEN100]](data/facility_item/1687416131_11.jpg)
- メーカー名
- 株式会社エリオニクス (ELIONIX INC.)
- 型番
- ELS-BODEN100
- 仕様・特徴
- 【遠隔利用可】
加速電圧:100kV
電流値:100pA~20nA
フィールドサイズ:100, 250, 500, 1000mm(デフォルト)
最小ドットピッチ:0.2nm
最小ショットタイム:10 nsec/dot(分解能:0.1nsec)
フィールドつなぎ精度:(30nm以下)
重ね合わせ精度:(35nm以下)
最大試料サイズ:~8インチΦ
対応CADフォーマット:GDSII, DXF、他
画像検出器:SE、BSE
自動/手動アライメント機能
- 設備状況
- 稼働中
電子ビーム描画装置 [JBX-8100FS] (EB Lithography [JBX-8100FS])
- 設備ID
- NM-661
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![電子ビーム描画装置 [JBX-8100FS]](data/facility_item/1701398235_11.jpg)
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JBX-8100FS
- 仕様・特徴
- 1. 最高加速電圧200kV
2. クロック周波数125MHz
3. 12カセット自動搬送
4. 最大8インチウェハ対応
- 設備状況
- 稼働中
電子線露光装置 (Electron beam lithography)
- 設備ID
- NU-206
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像

- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JBX6300FS
- 仕様・特徴
- ・加速電圧:25/50/100kV
・最小ビーム径:2nm
・ビーム電流:100pA-2nA
・重ね合わせ精度:±9nm
・最大試料サイズ:4inchφ
- 設備状況
- 稼働中
高精度電子線描画装置 (Scanning electron microscope with add-on lithography system )
- 設備ID
- NU-249
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像

- メーカー名
- 日本電子 サンユー電子 (JEOL Sanyu Electron)
- 型番
- JSM-7000FK SPG-724
- 仕様・特徴
- ・分解能:1.2 nm(30kV)
・倍率:×10~×1,000,000
・試料室:最大200 mm
・描画方式:ラスタースキャン方式/ブロックスキャン方式
・描画フィールド:50 µm□/100 µm□/200 µm□/500 µm□(ラスタースキャン),2,500 µm□,1ブロック=2.5 µm□(ブロックスキャン)
- 設備状況
- 稼働中
超高精細電子ビームリソグラフィー装置 (Ultra high definition electron beam lithography system)
- 設備ID
- OS-103
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像

- メーカー名
- エリオニクス (ELIONIX)
- 型番
- ELS-100T
- 仕様・特徴
- 【特徴】
最小ビーム径φ1.7nmにて線幅10nm以下の細線描画が可能。
【仕様】
描画最小線幅:5nm
繋ぎ重ね精度:15nm以下
電子銃:ZrO/W熱電界放射型
描画方式:ベクタースキャン方式
加速電圧:125kV, 100kV, 75kV, 50kV
描画フィールド:75µm□~2400µm□
最大試料サイズ:6inch
- 設備状況
- 稼働中
自動搬送電子ビーム描画装置 (Automatic Transport Electron Beam Lithography System)
- 設備ID
- OS-104
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像

- メーカー名
- エリオニクス (ELIONIX)
- 型番
- ELS-BODEN-OU4801
- 仕様・特徴
- 【特徴】
ZnO/W熱電解放射型電子銃の採用により、最小ビーム径1.5nmφの極細線用ビームを長時間安定して使用することができます。また最高150kVの加速電圧を採用し、最小線幅4nmの描画が可能です。
【仕様】
加速電圧:150kV
最小電子ビーム径:φ1.5nm
最小描画線幅:4nm
ビーム電流可変域:5pA-100nA
描画フィールドサイズ:□100μm、□250μm、□500μm
- 設備状況
- 稼働中
高速大面積電子ビームリソグラフィー装置 (High speed and large area electron beam lithography system)
- 設備ID
- OS-105
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像

- メーカー名
- エリオニクス (ELIONIX)
- 型番
- ELS-S50LBC
- 仕様・特徴
- 【特徴】
加速電圧50kVで1µAのビーム電流が得られる。最高クロック周波数100MHzの高速ビーム変更システムを搭載し、大面積を高スループットで描画することに特化。
【仕様】
電子銃:ZrO/W熱電界放出型(TFE)
描画方式:ベクタースキャン方式
加速電圧:20, 30, 50kV
ビーム電流:100pA~1µA
描画フィールド:100µm□~3000µm□
試料サイズ:10~25mm□、3インチ□、4インチ・6インチφウエハ
- 設備状況
- 稼働中
超高精度電子ビーム描画装置 (Ultra high precision electron beam lithography system)
- 設備ID
- RO-111
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像

- メーカー名
- エリオニクス (Elionix)
- 型番
- ELS-G100
- 仕様・特徴
- 試料サイズ:2~6インチ直径の定型ウエハ
加速電圧:100kV,50kV, 25kV
電子ビームの最小スポットサイズ:ビーム電流1nAにおいて2.0nm以下
最小線幅:6nm
- 設備状況
- 稼働中
電子ビーム描画装置 (Electron beam drawing equipment)
- 設備ID
- TT-031
- 設置機関
- 豊田工業大学
- 設備画像

- メーカー名
- クレステック (Crestec)
- 型番
- CABL-AP50S/RD
- 仕様・特徴
- 描画最小径10nm
つなぎ精度50nm/最大1000μm□
グラデーション歪補正可能
- 設備状況
- 稼働中