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高速電子ビーム描画装置（エリオニクス） (Electron Beam Lithography System (Elionix))
- 設備ID
- AT-093
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- エリオニクス (ELIONIX)
- 型番
- ELS-F130AN
- 仕様・特徴
- ・型式:LS-F130AN
・試料サイズ:～12インチφ、9インチ□のマスクブランクス
・電子銃:ZrO/W熱電界放射型
・加速電圧:130kV, 100kV, 50kV, 25kV
・最小ビーム径:1.7nm (@ 130kV)
・最小描画線幅:5nm (@ 130kV)
・最大スキャンクロック:100MHz
・ビーム電流強度:5pA～100nA
・フィールドサイズ:100μm □、250μm□、500μm□、1000μm□(100kV以下)、1500μm□(50kV以下)、3000μm□ (25kV以下)
・ビームポジション:1,000,000×1,000,000 (20bit DAC)
・位置決め分解能:0.1nm
・つなぎ精度:±10nm
・重ねあわせ精度:±15nm
・描画可能エリア:210mm×210mm
- 設備状況
- 稼働中
電子線描画装置 (Electron Beam Lithography)
- 設備ID
- BA-005
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- ELIONIX (ELIONIX)
- 型番
- ELS-7500EX
- 仕様・特徴
- 電子銃エミッター：ZrO/W熱電界放射型
加速電圧：5～50 kＶ
最小線幅：10 nm
試料サイズ：最大4インチ
ステージ移動範囲： X:100 mm以上 Y:110 mm以上
重ねあわせ精度：40 nm
フィールド継ぎ精度：40 nm
- 設備状況
- 稼働中
電子線描画装置 (Electron beam lithography system)
- 設備ID
- GA-001
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- エリオニクス (Elionix)
- 型番
- ELS-7500EX
- 仕様・特徴
- 加速電圧：50kV、30kV、20kV
描画可能な最小線幅10nm
フィールドつなぎ精度50nm 以下
描画対象：6インチまで対応可能
所要時間：線幅1μm／2インチウエハ；5～6時間
線幅10nm／2インチウエハ；4日間
- 設備状況
- 稼働中
超高精度電子ビーム描画装置(100kV) (Ultra-high precision electron-beam lithography system(100kV))
- 設備ID
- HK-601
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- エリオニクス (ELIONIX)
- 型番
- ELS-7000HM
- 仕様・特徴
- 加速電圧：100kV
試料サイズ：最大6インチ
- 設備状況
- 稼働中
超高精度電子ビーム描画装置(125kV) (Ultra-high precision electron-beam lithography system(125kV))
- 設備ID
- HK-602
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- エリオニクス (ELIONIX)
- 型番
- ELS-F125
- 仕様・特徴
- 加速電圧：125kV
試料サイズ：最大6インチ
- 設備状況
- 稼働中
超高速スキャン電子線描画装置(130kV) (High-speed scanning electron-beam lithography system(130kV))
- 設備ID
- HK-603
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- エリオニクス (ELIONIX)
- 型番
- ELS-F130HM
- 仕様・特徴
- 加速電圧：130kV
試料サイズ：最大8インチ
- 設備状況
- 稼働中
電子ビーム描画装置(30kV) (Electron-beam lithography system(30kV))
- 設備ID
- HK-701
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- エリオニクス (ELIONIX)
- 型番
- ELS-3700
- 仕様・特徴
- 電子銃エミッター：LaB6
加速電圧：1～30kV
最小線幅：100nm
試料サイズ：最大4インチ
円弧スキャン可
- 設備状況
- 稼働中
電子ビーム露光装置 (Electron beam lithograph system)
- 設備ID
- IT-038
- 設置機関
- 国立大学法人 東京科学大学（旧：国立大学法人 東京工業大学）
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JBX-8100
- 仕様・特徴
- スポットビーム、ベクタースキャン方式。 ビーム径3nm以下(100kV)、最小線幅8nm。つなぎ精度:仕様20nm/実測7.6nm（フィールドサイズ1000um)、重ね合わせ精度:仕様20nm/9.8nm（フィールドサイズ1000um）試料最大150㎜φウエーハまで 不定形も可能
JEOL01,51,52などの日本電子製電子ビーム露光用パターンデータファイルが入出力可能。
各露光基板形状に基づいたモンテカルロシミュレーションによって点拡がり関数(PSF)を導出でき、得られたPSFに基づく近接効果補正が可能なソフトウェア（GenISys Beamer）を含む。
- 設備状況
- 稼働中
高速高精度電子ビーム描画装置 (Ultra-High Precision Electron Beam Lithography)
- 設備ID
- KT-101
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- (株)エリオニクス (ELIONIX INC.)
- 型番
- ELS-F125HS
- 仕様・特徴
- 加速電圧125kVを採用した電子線描画装置。最小ビーム径をΦ1.7nmにすることにより最小加工線幅5nmが可能。
・加速電圧：125kV、100kV、75kV、50kV、25kV
・最小ビーム径：1.7nm＠125kV
・描画最小線幅：5nm＠125kV
- 設備状況
- 稼働中
大面積超高速電子ビーム描画装置 (Large Area and Ultra-High Speed Electron Beam Lithography)
- 設備ID
- KT-115
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- (株)アドバンテスト (ADVANTEST CORPORATION)
- 型番
- F7000S-KYT01
- 仕様・特徴
- 1Xnmの解像性能で、研究開発から製造までの幅広い用途に対応。
・加速電圧：50kV（ビーム電流：640A）
・解像度：1Xnm
・基板：□10mm～Φ8
・露光方式：CP、VSB（超高速描画対応）
- 設備状況
- 稼働中