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マスクレス露光装置 (Maskless lithography)

設備ID
NU-231
設置機関
名古屋大学
設備画像
マスクレス露光装置
メーカー名
ナノシステムソリューションズ (Nanosystem Solutions)
型番
DL-1000
仕様・特徴
・最大露光面積:200 mm x 200 mm
・最小画素:1 µm(高精細露光機能付)
・つなぎ合わせ精度:0.1 µm
・重ね合わせ精度:±1 µm
・オートフォーカス機能有
設備状況
稼働中

レーザ描画装置 (Laser lithography)

設備ID
NU-244
設置機関
名古屋大学
設備画像
レーザ描画装置
メーカー名
Heidelberg Instruments (Heidelberg Instruments)
型番
mPG101-UV
仕様・特徴
・対応基板:100 mm ×100 mm
・加工精度:3 µm
・最小アドレスグリッド:100 nm
・対応データ:DXF,CIF,BMP
設備状況
稼働中

3次元レーザ・リソグラフィシステム群 (3 dimentional laser lithography system)

設備ID
NU-246
設置機関
名古屋大学
設備画像
3次元レーザ・リソグラフィシステム群
メーカー名
Nanoscribe KISCO (Nanoscribe KISCO)
型番
Photonic Professional SCLEAD3CD2000
仕様・特徴
Nanoscribe Photonic Professional
・2次元加工精度:100 nm
・3次元加工精度:150 nm
・対応データ:DXF, STL
KISCO SCLEAD3CD2000
・設計温度:100 ℃
・設計圧力:20 MPa
設備状況
稼働中

マスクレス露光装置 (Maskless lithography)

設備ID
NU-260
設置機関
名古屋大学
設備画像
マスクレス露光装置
メーカー名
ネオアーク (NEOARK)
型番
PALET DDB-701-DL4
仕様・特徴
・露光領域:100mm x 100mm
・最大ワークサイズ:Φ150mm x 10mm
・光源:365nm LED
・最小画素:3µm(対物レンズx10),15µm(対物レンズx2)
設備状況
稼働中

マスクレス露光装置 (Maskless photolithography system)

設備ID
RO-112
設置機関
広島大学
設備画像
 マスクレス露光装置
メーカー名
株式会社ナノシステムソリューションズ (NanoSystem Solutions, Inc.)
型番
DL-1000
仕様・特徴
対応wafer:2~4inch、cut wafer他
DMDを用いたレーザー露光装置
最小画素:1μm
設備状況
稼働中

マスクレス露光装置 (Maskless photolithography system)

設備ID
RO-113
設置機関
広島大学
設備画像
 マスクレス露光装置
メーカー名
ハイデルベルグ・インストルメンツ (Heidelberg Instruments)
型番
MLA150
仕様・特徴
対応wafer:2~6inch、cut wafer他
DMDを用いたレーザー露光装置
レーザ光源:375nm 7.2W 最小画素:1μm
設備状況
稼働中

マスクレス露光装置 (Maskless exposure equipment)

設備ID
TT-005
設置機関
豊田工業大学
設備画像
マスクレス露光装置
メーカー名
大日本科研 (Japan Science Engineering Co., Ltd.)
型番
MX-1204
仕様・特徴
φ4インチにポジ型フォトレジスト(膜厚1μm以上)に、2μm幅のラインアンドスペースを全面(外周3mm除く)に描いたときに、描画時間が30分程度。
露光パターン幅のバラツキが100 nm(1σ)以下。
設備状況
稼働中

レーザ描画装置 (Laser writer)

設備ID
TU-057
設置機関
東北大学
設備画像
レーザ描画装置
メーカー名
Heidelberg Instruments (Heidelberg Instruments)
型番
DWL2000CE
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~9インチ
波長:405nm
最小描画線幅:0.7µm
設備状況
稼働中

マスクレスアライナ (Maskless aligner)

設備ID
TU-058
設置機関
東北大学
設備画像
マスクレスアライナ
メーカー名
Heidelberg Instruments (Heidelberg Instruments)
型番
MLA150
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~8インチ
波長:405nm 、375nm
最小描画線幅:1µm
設備状況
稼働中

球面露光装置 (Maskless exposure system for ball)

設備ID
TU-068
設置機関
東北大学
設備画像
球面露光装置
メーカー名
東栄科学産業 (Toei Scientific Instruments)
型番
-
仕様・特徴
サンプル:球体(直径1.0、3.3mm)
最小パターン:1.5µmハーフピッチ
アライメント精度:±5µm
設備状況
稼働中
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