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レーザー直接描画装置 (Laser Pattern Generator )

設備ID
KT-103
設置機関
京都大学
設備画像
レーザー直接描画装置
メーカー名
ハイデルベルグ・インストルメンツ(株) (Heidelberg Instruments)
型番
DWL2000
仕様・特徴
偏向変調されたΦ1umのLDビーム、高精度制御のステージとの組み合わせにより微細パターンを描画。
・光源:h線LD(405nm)
・基板サイズ:MAX □200mm
・描画サイズ:min0.7μm
・グレースケール露光対応
設備状況
稼働中

マスクレス露光装置 (Advanced Maskless Aligner)

設備ID
KT-121
設置機関
京都大学
設備画像
マスクレス露光装置
メーカー名
ハイデルベルグ・インストルメンツ(株) (Heidelberg Instruments)
型番
MLA 150
仕様・特徴
・光源:レーザーダイオード(主波長375nm)
・最小描画線幅:1.0 µm、最小描画L/S:1.2 µm
・ワークサイズ:5 mm ~ 6 inchマスク、厚み:0.1 mm~10 mm
・露光均一性:120 nm(3σ)
・オートフォーカス:光学式・空気式の選択可
・アライメント精度:5 mm×5 mmの範囲: 250 nm(3σ)、100 mm×100 mmの範囲: 500 nm(3σ)
・裏面アライメント制精度:1 µm
設備状況
稼働中

二光子重合式3Dプリンター (3D Lithography and 3D Microprinting System )

設備ID
KT-122
設置機関
京都大学
設備画像
二光子重合式3Dプリンター
メーカー名
ハイデルベルグ・インストルメンツ(株) (Heidelberg Instruments)
型番
MPO 100
仕様・特徴
感光性材料内のレーザー集束スポット、2つの光子の同時吸収によって局所的に感光性材料の重合反応を引き起こす技術。レーザーの焦点は感光性材料の体積内全てに移動制御できるため、複雑な三次元(3D)構造を作製することが可能。
光源: フェムト秒レーザー 波長522 nm
最小描画ライン幅: 100 nm (UV硬化樹脂依存)
最小表面粗さRa: <10 nm
最大描画高さ: 380 µm
アライメント精度: <1.5 µm
最大描画領域: 100 mm x 100 mm
設備状況
稼働中

高速マスクレス露光装置 (High Speed Maskless Laser Lithography)

設備ID
KT-156
設置機関
京都大学
設備画像
高速マスクレス露光装置
メーカー名
(株)ナノシステムソリューションズ (NanoSystem Solutions, Inc.)
型番
D-light DL-1000GS/KCH
仕様・特徴
グレースケール露光機能を備えたDMD方式の高速マスクレス露光装置。
・光源:h線LED(405nm)>1W/cm2
・基板サイズ:MAXΦ6インチ
・最小画素:1µm
・グレースケール露光機能(最大256階調)
・厚膜レジスト対応(>100µm以上)
設備状況
稼働中

マスクレス露光装置 (Maskless Lithography System)

設備ID
MS-101
設置機関
自然科学研究機構  分子科学研究所
設備画像
マスクレス露光装置
メーカー名
ナノシステムソリューションズ (NanoSystem Solutions)
型番
DL-1000
仕様・特徴
【付帯設備】
精密温度調整機能付クリーンブース
マスクアライナー(ミカサ社製MA-10)
スピンコーター(ミカサ社製MS-A100)
設備状況
稼働中

レーザー描画装置 [DWL66+] (Laser Lithography [DWL66+])

設備ID
NM-603
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
レーザー描画装置 [DWL66+]
メーカー名
ハイデルベルグ・インストルメンツ (HEIDELBERG INSTRUMENT)
型番
DWL66+
仕様・特徴
・光源:375nm 半導体レーザー (70mW)
・描画モード:ラスタースキャン描画、ベクターモード描画
・解像モード:0.3μm, 0.6μm, 0.8μm, 1.0μm
・最大試料サイズ:8インチ角
・その他:グレースケール描画、重ね合わせ描画
設備状況
稼働中

マスクレス露光装置 [DL-1000/NC2P] (Maskless Lithography [DL-1000/NC2P])

設備ID
NM-604
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
マスクレス露光装置 [DL-1000/NC2P]
メーカー名
ナノシステムソリューションズ (Nanosystem Solutions)
型番
DL-1000 / NC2P
仕様・特徴
・用途:高速マスクレスパターニング
・光源:405nm 半導体レーザー(h線)
・照度:10W/cm2
・位置決め精度:500nm 以下
・重ね合わせ精度:500nm 以下
・最大試料サイズ:8インチ角
・その他:グレースケール露光,スキャニング露光,自動/手動アライメント機能
設備状況
稼働中

マスクレス露光装置 [DL-1000] (Maskless Lithography [DL-1000])

設備ID
NM-636
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
マスクレス露光装置 [DL-1000]
メーカー名
株式会社ナノシステムソリューションズ (Nano System Solutions Inc.)
型番
DL-1000
仕様・特徴
・露光方式:DMD
・露光モード:ステップ&リピート描画
・光源 405nm半導体レーザー(h線)
・照度 300mW/cm2
・位置決め精度 ±1um以下
・重ね合わせ精度 ±1um以下
・試料サイズ 最大4インチ角
設備状況
稼働中

マスクレス露光装置 [MLA150] (Maskless Lithography [MLA 150])

設備ID
NM-660
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
マスクレス露光装置 [MLA150]
メーカー名
ハイデルベルグ・インスツルメンツ (HEIDELBERG INSTRUMENT)
型番
MLA 150
仕様・特徴
・露光方式:DMD
・露光モード:スキャニング露光
・光源 375nm半導体レーザー
・照度 7.2W/cm2
・位置決め精度 ±1um以下
・重ね合わせ精度 ±1um以下
・試料サイズ 最大8インチ角
設備状況
稼働中

レーザー描画装置 (Laser lithography)

設備ID
NU-222
設置機関
名古屋大学
設備画像
レーザー描画装置
メーカー名
Heidelberg Instruments (Heidelberg Instruments)
型番
DWL66FS
仕様・特徴
・最小描画サイズ:0.6 µm
・最大描画サイズ:200mm x 200mm
・直描およびガラスマスク作製
設備状況
稼働中
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