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マスクレス露光装置 (Maskless Lithography System)
- 設備ID
- AT-006
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- ナノシステムソリューション (Nano System-Solutions)
- 型番
- DL1000
- 仕様・特徴
- ・型式:DL1000
・試料サイズ:4インチφ、100mm□
・光源:波長405nm(LED)
・露光最小画素:1μm□
・最大露光領域:100mm□
・重ね合わせ精度:±1μm
- 設備状況
- 稼働中
レーザー描画装置〔DWL66+〕 (Laser Beam Lithography)
- 設備ID
- AT-110
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- ハイデルベルグ (Heidelberg Instruments)
- 型番
- DWL66+
- 仕様・特徴
- ・型式:DWL66+
・試料サイズ:8インチφ、200mm×200mm×12mmt
・最小角型試料サイズ： 5mm×5mm
・描画エリア:200mm×200mm
・レーザー光源:405nm
・最小描画パターン:0.5μm （L&S）、0.3μm（孤立パターン）
・重ね合わせ描精度:0.25μm(5mm×5mm以内)、0.5μm(100mm×100mm以内)
・裏面パターンとの重ね合わせ精度：1μm
・グレースケール露光:1000階調
- 設備状況
- 稼働中
パターン投影リソグラフィシステム (Maskless Lithography System)
- 設備ID
- BA-009
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- Heidelberg instruments (Heidelberg instruments)
- 型番
- μPG501
- 仕様・特徴
- 描画エリア；125×125mm2
最小描画サイズ；1.0μm
最小アドレッシンググリッド；50nm@1μm
描画スピード；50mm2/min@1μm,100mm2/min@2μm
- 設備状況
- 稼働中
マスクレス露光装置 (Mask-less exposure system)
- 設備ID
- GA-002
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- 大日本科研 (Jpn.Sci.Eng.)
- 型番
- MX-1204
- 仕様・特徴
- DMDによるパターン生成露光、
光源:LD(波長375±5nm)
描画方法:直接描画
描画対象:150mm角、
最小描画精度:最小線幅1μm程度、
アライメント精度±0.15μm
- 設備状況
- 稼働中
レーザー描画装置 (Laser lithography system)
- 設備ID
- HK-604
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- ハイデルベルグ (Heidelberg)
- 型番
- DWL66+
- 仕様・特徴
- 光源：405nm半導体レーザー
描画エリア：最大8インチ角
最小描画線幅：0.3ミクロン(HiRes)、0.8ミクロン（WMII）
255階調グレースケールモード搭載
バックアライメント機能
- 設備状況
- 稼働中
レーザー直接描画装置 (Laser direct lithography system)
- 設備ID
- HK-605
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- ネオアーク (NEOARK)
- 型番
- DDB-201
- 仕様・特徴
- 光源：375nm半導体レーザー
描画エリア：最大50mm
試料サイズ：最大6インチ
- 設備状況
- 稼働中
マスクレス露光装置 (Maskless exposure system)
- 設備ID
- IT-003
- 設置機関
- 国立大学法人 東京科学大学（旧：国立大学法人 東京工業大学）
- 設備画像
- メーカー名
- 大日本科研 (Japan Science Engineering Co., Ltd.)
- 型番
- MX-1205
- 仕様・特徴
- DMDによるパターン生成露光、100mm角露光サイズ、最小描画画素1μm、アライメント精度±0.15μm データ取り込み機能
- 設備状況
- 稼働中
マスクレス露光装置 (Maskless exposure system)
- 設備ID
- IT-004
- 設置機関
- 国立大学法人 東京科学大学（旧：国立大学法人 東京工業大学）
- 設備画像
- メーカー名
- 大日本科研 (Japan Science Engineering Co., Ltd.)
- 型番
- MX-1204
- 仕様・特徴
- DMDによるパターン生成露光、150mm角露光サイズ、最小描画画素2μm、アライメント精度±0.15μm
- 設備状況
- 稼働中
クリーンルーム微細加工装置群 (clean room facility)
- 設備ID
- JI-017
- 設置機関
- 北陸先端科学技術大学院大学（JAIST）
- 設備画像
- メーカー名
- ()
- 型番
- 仕様・特徴
- EBL(30kV, 50kV)、マスクレス露光機(405nm, 375nm)、抵抗加熱蒸着、EB蒸着、RFスパッタ、ECRスパッタ、ALD、MBE、RIE、イオン注入、赤外ランプアニールなど
- 設備状況
- 稼働中
レーザー直接描画装置 (Laser Pattern Generator )
- 設備ID
- KT-103
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- ハイデルベルグ・インストルメンツ(株) (Heidelberg Instruments)
- 型番
- DWL2000
- 仕様・特徴
- 偏向変調されたΦ1umのLDビーム、高精度制御のステージとの組み合わせにより微細パターンを描画。
・光源：h線LD（405nm）
・基板サイズ：MAX □200mm
・描画サイズ：min0.7μm
・グレースケール露光対応
- 設備状況
- 稼働中