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コンタクトマスクアライナー[MJB4] (Contact Mask Aligner〔MJB4〕)

設備ID
AT-009
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
コンタクトマスクアライナー[MJB4]
メーカー名
ズース (SUSS MicroTec)
型番
MJB4
仕様・特徴
・型式:MJB4
・基板サイズ:2インチφ~4インチφ、不定形小片~100mm
・解像度:約800nm (バキュームコンタクト使用時)
・波長:g線(436nm)、h線(405nm)、i線(365nm)
・ 照度 :約25mW/cm2
・露光モード:プロキシミティ、ソフトコンタクト、 ハードコンタクト、ソフトバキュームコンタクト、 バキュームコンタクト
・露光領域:2.5~5インチ対応マスクホルダー(最大40mm□)
4インチ, 5インチ対応マスクホルダー 最大110mmφ
設備状況
稼働中

微細パターン形成装置群(スピンコーター、マスクアライナー) (Photolithography system (Mask aligner, Spincoater))

設備ID
BA-011
設置機関
筑波大学
設備画像
微細パターン形成装置群(スピンコーター、マスクアライナー)
メーカー名
Neutronix-Quintel/ミカサ ( Neutronix-Quintel/Mikasa)
型番
Q 2001CT/MS-A100
仕様・特徴
Neutronix-Quintel社製Q 2001CT(2.5インチマスク用コンタクトアライナー)
マスク-ウエハ間隔;0-180μm
基板;1cm角~4インチφ マスク;2.5インチ角、5インチ角
光源;200W水銀ランプ(350~450nm)
解像度;0.6~1.0μm
マニュアルアライメント;1.0μm
照度分布;≤5%@3.5インチφ

ミカサ社製MS-A100(スピンコーター)
基板: 5mm角から4インチφまで
設備状況
稼働中

マスクアライナ (Mask aligner)

設備ID
HK-606
設置機関
北海道大学
設備画像
マスクアライナ
メーカー名
ミカサ (MIKASA)
型番
MA-20
仕様・特徴
コンタクト露光
試料サイズ:最大4インチ
マスクサイズ:最大5インチ
設備状況
稼働中

両面マスクアライナ (Double-side alignment Mask aligner)

設備ID
HK-702
設置機関
北海道大学
設備画像
両面マスクアライナ
メーカー名
ズースマイクロテック (SUSS)
型番
MA-6
仕様・特徴
両面、露光精度0.6ミクロン
試料サイズ:最大6インチ
基板サイズ:不定形小片~150mm角
設備状況
稼働中

コンタクト光学露光装置 (Contact optical exposure)

設備ID
IT-005
設置機関
国立大学法人 東京科学大学(旧:国立大学法人 東京工業大学)
設備画像
コンタクト光学露光装置
メーカー名
ズース ( Süss)
型番
MA-8
仕様・特徴
・アシスト機能装備、TSA/BSA装備
・表面アライメント制度 TSA:±0.25μm以下 BSA:±1.00μm以下
・露光解像度 0.5μm
・対応基板 小片~直径2inch ウェハ
設備状況
稼働中

紫外線露光装置 (Contact Mask Aligner)

設備ID
KT-106
設置機関
京都大学
設備画像
紫外線露光装置
メーカー名
(株)ミカサ (MIKASA CORPORATION)
型番
MA-10
仕様・特徴
不定形試料に対応した実験用マスクアライナ。
・光源:高圧UVランプ250W(g、h、i線)~10mW/cm2
・基板サイズ:MAXΦ4(不定形対応)
・マスクサイズ:□5、□2.5
・基板厚さ:MAX2mm
設備状況
稼働中

厚膜フォトレジスト用スピンコーティング装置 (Advanced Spin Coater )

設備ID
KT-107
設置機関
京都大学
設備画像
厚膜フォトレジスト用スピンコーティング装置
メーカー名
ズース・マイクロテック(株) (SUSS MicroTec)
型番
DELTA80 T3/VP SPEC-KU
仕様・特徴
高粘度レジスト対応の最大6スピンコータシステム。
・基板サイズ:Φ4、Φ6、小片基板
・対応レジスト:タンク圧送(10~400cP、800~4,000cP)、シリンジ圧送(10~600cP)
・溶剤リンス:パドル、エッジビード、バックサイド
・GRYSET方式対応
・付帯設備:ホットプレート、ベーパープライマ(HMDS)
設備状況
稼働中

両面マスク露光&ボンドアライメント装置 (Double-Sided/Infrared Mask Lithography & Bond Aligner )

設備ID
KT-119
設置機関
京都大学
設備画像
両面マスク露光&ボンドアライメント装置
メーカー名
ズース・マイクロテック(株) (SUSS MicroTec)
型番
MA/BA8 Gen3 SPEC-KU
仕様・特徴
接合用アライメントとUVナノインプリント機能を兼備した複合装置。(マスクアライナー機能を兼備)
・基板サイズ:小片~Φ8"
・ウエハ厚さ:MAX 5mm
・マスクサイズ:MAX □9"
・アライメント精度:±0.25um@表面、±1.0um@裏面、±2.0um@接合
設備状況
稼働中

移動マスク紫外線露光装置 (Moving Mask UV Lithography)

設備ID
KT-153
設置機関
京都大学
設備画像
移動マスク紫外線露光装置
メーカー名
(株)大日本科研 (Japan Science Engineering Co., Ltd.)
型番
MUM-0001
仕様・特徴
UV露光中にマスクを周期移動させることで3次元微細構造を実現。
・基板サイズ:Φ4
・3次元微細構造製作可能
設備状況
稼働中

両面マスクアライナー露光装置 (Double-Sided Mask Aligner)

設備ID
KT-154
設置機関
京都大学
設備画像
両面マスクアライナー露光装置
メーカー名
ユニオン光学(株) (Union Optical Co., Ltd.)
型番
PEM-800
仕様・特徴
実験用両面マスクアライナ
・基板サイズ:Φ4
・マスクサイズ:□5
・両面露光、アライメント機能
設備状況
稼働中
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