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X線光電子分光装置 (X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS))

設備ID
BA-015
設置機関
筑波大学
設備画像
X線光電子分光装置
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
JPS-9010TR
仕様・特徴
Mg / Al ツインアノード X 線銃
単色化 AlKα線(Ag 3d5/2 半値幅:0.65 eV)
静電半球型分光器
試料傾斜機構(0 ~ 90°)
中和電子銃・Ar イオンエッチング銃搭載
試料加熱機構(要相談)
設備状況
稼働中

パワーデバイス特性評価装置 (Power Device Electrical Measurement System)

設備ID
BA-016
設置機関
筑波大学
設備画像
パワーデバイス特性評価装置
メーカー名
キーサイト (Keysight)
型番
B1505A
仕様・特徴
高電圧・高電流のIV測定、CV測定に対応。
電圧・電流特性: 印加電圧 3000V、電流 20A(パルスモード).
容量・電圧特性: 測定周波数 1kHz ~ 5MHz、最小分解能: 1mHz.
設備状況
稼働中

IRエミッション顕微鏡 (IR Emission Microscope)

設備ID
BA-017
設置機関
筑波大学
設備画像
IRエミッション顕微鏡
メーカー名
浜松ホトニクス / TNSシステムズ / 東機通商 (Hamamatsu Photonics K.K. / TNS Systems LLC / Toki Commercial Co., Ltd)
型番
THEMOS-1000
仕様・特徴
半導体デバイスの故障に起因する発光・発熱などをとらえて故障個所を特定する高解像度エミッション顕微鏡。赤外線画像の観測により、発熱分布(温度分布)の検出や、電流リーク箇所の同定が可能。発熱分布の時間依存性計測により、温度の時間的な広がりが観測可能。パワーデバイス特性評価装置B1505Aと組み合わせることでプローバーとして利用可能。
検出波長:3.7μm~5.1μm
最大視野:3cm × 2cm
最小視野:0.7mm × 0.7mm
最小空間分解能:2.8μm
雑音等価温度差:25mK
時間分解能:3μsec.
ステージ温度:室温~200℃
設備状況
稼働中

イオンミリング (Ion Milling System)

設備ID
BA-018
設置機関
筑波大学
設備画像
イオンミリング
メーカー名
日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
型番
IM4000PLUS
仕様・特徴
断面ミリングと平面ミリングに対応したハイブリッドタイプのイオンミリング装置
<断面ミリングホルダ>
使用ガス:Ar(アルゴン)ガス
加速電圧:0~6kV
最大ミリングレート(材料Si):500μm/hr以上
最大試料サイズ:20(W)×12(D)×7(H)mm
試料移動範囲:X ±7mm 、 Y 0~+3mm
<平面ミリングホルダ>
使用ガス:Ar(アルゴン)ガス
加速電圧:0~6kV
最大試料サイズ:Φ50 × 25(H) mm
試料移動範囲:X 0~+5mm
設備状況
稼働中

分光エリプソメータ (Ellipsometer)

設備ID
BA-019
設置機関
筑波大学
設備画像
分光エリプソメータ
メーカー名
堀場製作所 (Horiba)
型番
UVISEL Plus
仕様・特徴
PEMを利用した位相変調方式により、外光の影響を受けにくい分光エリプソメーター

測定波長:190~2100 nm(波長分解能力:2 nm)
スポットサイズ:0.05, 0.1, 1mmφ(垂直入射時)を選択
設備状況
稼働中

顕微ラマン (Raman)

設備ID
BA-020
設置機関
筑波大学
設備画像
顕微ラマン
メーカー名
日本分光 (JASCO)
型番
NRS-5100
仕様・特徴
分光器;収差補正型ツェルニターナ配置モノクロメータ
焦点距離;f=300mm
測定端数範囲;50~8000cm-1
最高分解能;1cm-2/pixel
設備状況
稼働中

極低温プローブステーション (Cryogenic Probe station )

設備ID
BA-021
設置機関
筑波大学
設備画像
極低温プローブステーション
メーカー名
ナガセテクノエンジニアリング / TNSシステムズ / 東機通商 (Nagase Techno-Engineering Co., Ltd / TNS Systems LLC / Toki Commercial Co., Ltd)
型番
CMPS-308-4K-6P-20
仕様・特徴
・さまざまな試作デバイスを極低温(~5K)から室温に至る広い温度領域での電気特性を低ノイズ状態で測定可能.
・計測器としてB2912A (2ch SMU、10fA, 210V)を設置. また、他の計測器(持込可)も接続可能.
冷却時間:40K台まで約4時間. 4K台までさらに1時間.
温度安定性:±0.2 K 以下.
電流ノイズ:±50 fA 以下、リーク電流:±50 fA 以下.
マニピュレータ:4基.
基板バイアス印加.
設備状況
稼働中

超高温炉 (Rapid Thermal Annealing (RTA) System)

設備ID
BA-022
設置機関
筑波大学
設備画像
超高温炉
メーカー名
サーモ理工 (THERMO RIKO CO., LTD)
型番
SR1800TS
仕様・特徴
・ 真空中で試料加熱を行うことができ、最大昇温速度は300℃/sec、最高到達温度は1800℃.
・ 昇温速度、熱処理時間等の詳細な熱処理条件をプログラムすることが可能.
・ 試料ホルダーはグラファイト製に加え、石英製も備えられており、酸化性雰囲気での熱処理も可能.
加熱方式:赤外線導入加熱方式、最高到達温度:1800℃、最大昇温速度:300℃/sec、最大到達真空度:5 × 10-5 Pa、加熱面積:φ15mm.
設備状況
稼働中

ワイヤボンダー (Manual Wire Bonder)

設備ID
BA-024
設置機関
筑波大学
設備画像
ワイヤボンダー
メーカー名
WEST BOND (WEST BOND)
型番
7476D
仕様・特徴
チップキャリアへのボンディング
ボンディング方式:超音波/熱圧着ウェッジボンド方式
ボンディングウェッジ:45, 90度
ワイヤ種:アルミ線・金線
試料サイズ:50mm角以下、DIPパッケージ
設備状況
稼働中

終点検出器付き イオンミリング (Ion Milling System with an end-point detector)

設備ID
BA-025
設置機関
筑波大学
設備画像
終点検出器付き イオンミリング
メーカー名
伯東 (hakuto)
型番
10IBE-EPD_UoT-Y
仕様・特徴
レシピに沿ってイオンミリングを実施。
[ビーム電源]
出力:100 V ~ 1400 V DC
電流範囲: 30 mA ~ 200 mA
[終点検出装置]
SIMS型四重極質量分析計終点検出装置
設備状況
稼働中
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