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白色干渉式非接触三次元形状測定器 (White light interference type non-contact three-dimensional shape measuring system)
- 設備ID
- GA-007
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- ﾌﾞﾙｶｰ･ｴｲｴｯｸｽｴｽ (Bruker)
- 型番
- NT91001A-in motion
- 仕様・特徴
- in-situ駆動観察
測定方式:垂直走査型干渉方式
位相シフト干渉方式
分解能:X,Y方向:1μm
Z方向:0.1～1nm
試料ステージ:6インチ
- 設備状況
- 稼働中
レーザー式非接触三次元形状測定器 (Laser non-contact three-dimensional shape measuring system)
- 設備ID
- GA-008
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- 三鷹光器 (Mitaka Kohki)
- 型番
- NH-3N
- 仕様・特徴
- 計測方法:レーザープローブ方式
計測範囲:150mm×150mm×1０mm(X、Y、Z)
測定分解能:0.1×0.1×0.01μm
- 設備状況
- 稼働中
デジタルマイクロスコープ (Digital microscope)
- 設備ID
- GA-009
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- ハイロックス (Hirox)
- 型番
- KH-7700
- 仕様・特徴
- 有効画素数 : 201万画素
最高解像度 : 3000万画素
倍率 : ～400倍
- 設備状況
- 稼働中
ダイシングマシン (Dicing system)
- 設備ID
- GA-010
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- DISCO (Disco)
- 型番
- DAD3220
- 仕様・特徴
- 切削方法：ダイヤモンドブレードを用いた切削
切削可能範囲：Φ6インチ、厚さ1mm程度まで対応可能
加工対象：Si、ガラス、半導体パッケージ、セラミックス、石英、水晶等
切削精度：5μm程度
切削速度：0.1～500mm/sec
- 設備状況
- 稼働中
ウェハプローバ (Wafer prober)
- 設備ID
- GA-011
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- ｶｰﾙ･ｽﾞｰｽ (SUSS MicroTec)
- 型番
- PM5
- 仕様・特徴
- 対応基板サイズ：直径1インチ～150mm
X・Y移動範囲（粗動）：最大150mm×150mm
X・Y移動範囲（微動）：10mm×10mm
Θ調整範囲：360°
高さ調整範囲：10mm
顕微鏡X・Y移動範囲：50mm×50mm
- 設備状況
- 稼働中
エリプソメータ (Film thickness measuring system)
- 設備ID
- GA-012
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- 溝尻光学 (Mizojiri-opt)
- 型番
- DHA-XA/M8
- 仕様・特徴
- 膜厚と屈折率を測定可能
処理物：～12インチウェハ 光源波長：632.8nm（He-Neレーザー）
入射角：55°～75°，90°
入射角設定単位：0.01°
最小分解能：1Å
分布計測分解能：0.01mm
- 設備状況
- 稼働中
白色干渉搭載レーザ顕微鏡 (White light interference type Laser Microscope)
- 設備ID
- GA-014
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- キーエンス (KEYENCE)
- 型番
- VK-X3100
- 仕様・特徴
- 倍率：×42～28,800
視野範囲：11?7398 μm
測定原理：レーザー共焦点、フォーカスバリエーション、白色干渉、分光干渉
レーザ光源波長：半導体レーザ404 nm
- 設備状況
- 稼働中
光干渉式膜厚測定装置 (Film thickness measurement instruments)
- 設備ID
- GA-016
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- シータメトリシス (ThetaMetrisis)
- 型番
- FR-Scanner-AIO-Mic-XY200
- 仕様・特徴
- 測定膜厚範囲（SiO2）：10nm – 80μm（10X）
測定精度：0.2% or 2nm
測定波長範囲：380nm～1020nm
多層膜測定：4層まで可能
測定スポット径：10,25,50,100μm
光源：ハロゲンランプ
サンプルサイズ：Max.200 x 200 mm
光学フィルター：Y-48、R-60
その他：自動マッピング
- 設備状況
- 稼働中
ダブル球面収差補正走査透過型電子顕微鏡 (Double Cs-corrected scanning transmission electron microscope)
- 設備ID
- HK-101
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本FEI (FEI)
- 型番
- Titan3 G2 60-300
- 仕様・特徴
- ・加速電圧：60kV-300kV
・TEM分解能：0.07nm、STEM分解能：0.07nm
・X-FEG電子銃
・モノクロメーター搭載
・照射系球面収差補正器
・結像系球面収差補正器
・Super-X EDS検出器
・Gatan GIF QuantumER分光器
・分析試料ホルダー、トモグラフィー試料ホルダー
・遠隔観察
・遠隔オペレーション
- 設備状況
- 稼働中
電界放射型分析電子顕微鏡 (Analytical FEG-TEM)
- 設備ID
- HK-102
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JEM-2010F
- 仕様・特徴
- ・加速電圧：200kV
・TEM分解能：0.23nmn
・熱電界放出電子銃
・分析機能：EDS、EELS
・遠隔観察
- 設備状況
- 稼働中