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プラズマアッシャー (Plasma Asher)
- 設備ID
- WS-006
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像

- メーカー名
- ヤマト科学株式会社 (Yamato Scientific Co., Ltd.)
- 型番
- PR500
- 仕様・特徴
- 使用ガス:O2ガス
試料サイズ:φ4インチ以下
用途:レジストの灰化除去
ドライエッチング後のO2アッシング)
有機系汚染物質のクリーニング
Si表面の親水化処理等
- 設備状況
- 稼働中
ICP-RIE装置 (Inductively Coupled Plasma reactive ion etching)
- 設備ID
- WS-007
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像

- メーカー名
- サムコ株式会社 (Samco Inc.)
- 型番
- RIE-101iPH
- 仕様・特徴
- 汎用反応性エッチング装置
Si、Ti等の微細エッチング可
基板サイズは~4inch
- 設備状況
- 稼働中
CCP-RIE装置 (Capacitive Coupled Plasma reactive ion etching)
- 設備ID
- WS-008
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像

- メーカー名
- サムコ株式会社 (Samco Inc.)
- 型番
- RIE-10NR
- 仕様・特徴
- SF6、CHF3によるSi、SiO2等のエッチング及びO2によるアッシング
- 設備状況
- 稼働中
Deep-RIE装置 (deep reactive ion etching)
- 設備ID
- WS-009
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像

- メーカー名
- サムコ株式会社 (Samco Inc.)
- 型番
- RIE-400iPB
- 仕様・特徴
- Siの深堀り可能、基板サイズ小片~4インチ、Si基板のみ
- 設備状況
- 稼働中
集束イオン/電子ビーム加工観察装置 (Focused Ion Beam Scanning Electron Microscopy)
- 設備ID
- WS-010
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像

- メーカー名
- 株式会社 日立ハイテク (Hitachi High-Tech Corporation)
- 型番
- NB-5000
- 仕様・特徴
- FIB加工中の同時SEM観察可能
~80万倍, 試料サイズ最大30mmΦ
エネルギー分散型X線元素分析機能(EDAX)
・ シリコンドリフトディテクター (SDD検出器)
・ エネルギー分解能: 133eV以下
・ 検出元素:B~U
・ 定性分析/定量分析/マッピング機能搭載
STEM機能付き(薄膜化した後の高精度観察が可能)
- 設備状況
- 稼働中
電界放出型 走査電子顕微鏡 (Field-Emission Scanning Electron Microscope)
- 設備ID
- WS-011
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像

- メーカー名
- 株式会社 日立ハイテク (Hitachi High-Tech Corporation)
- 型番
- S-4800
- 仕様・特徴
- 試料サイズ最大20mm角
セミインレンズ方式による高分解能(~x600k)
EDAXによる元素分析
- 設備状況
- 稼働中
電界放出型 走査電子顕微鏡 (Field-Emission Scanning Electron Microscope)
- 設備ID
- WS-012
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像

- メーカー名
- 株式会社 日立ハイテク (Hitachi High-Tech Corporation)
- 型番
- SU8240
- 仕様・特徴
- 二次電子分解能
0.8nm (加速電圧15kV、WD=4mm、倍率270kx)
1.1nm (照射電圧1kV、WD=1.5mm、倍率200kx)
照射電圧 0.01~30kV
倍率 20~1,000,000倍
可動範囲:X 0~110mm,Y 0~80mm,R 360°
Z 1.5~40mm,T -5~70°
IM4000形イオンミリング装置付き(サンプルの断面ミリングと平面ミリング可能)
EDS System付き(元素分析可能)
- 設備状況
- 稼働中
電界放出型 走査電子顕微鏡 (Field-Emission Scanning Electron Microscope)
- 設備ID
- WS-013
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像

- メーカー名
- 株式会社 日立ハイテク (Hitachi High-Tech Corporation)
- 型番
- S5500
- 仕様・特徴
- 試料サイズ 平面5.0mmX9.5mmX3.5mmH
断面2.0mmX6.0mmX5.0mmH
倍率 ~×2M (高倍率モード)
- 設備状況
- 稼働中
紫外線露光装置 (ultraviolet lithography)
- 設備ID
- WS-014
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像

- メーカー名
- ズース マイクロテック グループ (SUSS MicroTec Group)
- 型番
- MA6/BA6
- 仕様・特徴
- ズースマイクロテック社製MA6
小片~4インチまで露光可能
最小線幅1μm
UV両面マスクアライナー
- 設備状況
- 稼働中
電子ビーム描画装置 (Electron Beam Lithography Exposure)
- 設備ID
- WS-015
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像

- メーカー名
- 株式会社エリオニクス (ELIONIX INC.)
- 型番
- ELS-7500
- 仕様・特徴
- 最小線幅:10 nm
基板サイズ10mm角~4インチ
加速電圧:5~50 kV
- 設備状況
- 稼働中