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スパッタ成膜装置(芝浦) (Sputtering System(Shibaura))

設備ID
AT-025
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
スパッタ成膜装置(芝浦)
メーカー名
芝浦メカトロニクス (SHIBAURA)
型番
i-Miller
仕様・特徴
・型式:CFS-4EP-LL、i-Miller
・試料サイズ:8インチφ, 5mmt
・スパッタ源:3インチマグネトロン方式×3式
・高周波電源:最大出力500 W(使用最大200 W)
・RF制御:自動制御
・逆スパッタリング:200W
・試料搬送:ロードロック室付
・基板テーブル:回転機構付
・ターゲット-基板間:85 mm
・加熱温度:最大300 ℃
・膜厚分布:±5%以内@膜厚2~3 kÅ、SiO2成膜時、170 mmφ内
・到達真空度:2×10-4 Pa
・反応ガス:Ar, O2, N2
・成膜時ガス圧:0.2~1 Pa
・常備ターゲット:金属・酸化物・窒化物等、60種
設備状況
稼働中

RF-DCスパッタ成膜装置(芝浦) (RF-DC Sputter Deposition Equipment(Shibaura))

設備ID
AT-095
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
RF-DCスパッタ成膜装置(芝浦)
メーカー名
芝浦メカトロニクス (SHIBAURA)
型番
i-Miller
仕様・特徴
・型式:CFS-4EP-LL、i-Miller
・試料サイズ:8インチ
・スパッタ源:3インチマグネトロン×3式
・スパッタ方式:直流スパッタ、高周波スパッタ
・基板テーブル:回転機構付
・逆スパッタ:200W
・ターゲット-基板間距離:82 mm
・基板加熱:なし
・膜厚分布:±5%以内@膜厚~600nm(SiO2、170 mmφ)
・到達真空度:10-5 Pa台
・スパッタガス:Ar、O2、N2
・成膜時ガス圧(標準):0.5Pa
・常備ターゲット:Al, Al2O3, Au, Cr, Cu, Nb, Pt, SiO2, Ta, Ta2O5, Ti, TiN, TiO2, W
設備状況
稼働中

ECRスパッタ成膜・ミリング装置 (ECR sputter deposition and milling system)

設備ID
AT-098
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
ECRスパッタ成膜・ミリング装置
メーカー名
エリオニクス (ELIONIX)
型番
EIS-200ERP
仕様・特徴
・型式:EIS-200ERP
・試料サイズ:75 mmφ
・イオンソース:ECR方式
・ガス種:Ar (最大流量5sccm)
・圧力:0.01 Pa
・加速電圧:30~3000 V
・マイクロ波:最大100 W
・材料ターゲットサイズ:100 mmφ
設備状況
稼働中

スパッタリング装置 (Sputtering System)

設備ID
BA-002
設置機関
筑波大学
設備画像
スパッタリング装置
メーカー名
芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)
型番
CFS-4EP-LL (i-miller)
仕様・特徴
スパッタ方式:マグネトロン・サイドスパッタ RF500W (DC)
スパッタ源:3インチ×4(強磁性体材料用GUN1基含む)、逆スパッタ可
サンプルホルダ:最大φ220 mm/最小20 mm
(4インチウエハ用および不定形用ホルダあり)
加熱温度:室温~300℃
到達真空度・時間:10-5 Pa、10分以内に7 x 10-3 Pa
排気系:ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオトラップ
操作方式:全自動(レシピ設定可)
プロセスガス:Ar、N2、O2
設備状況
稼働中

デュアルイオンビ-ムスパッタ装置 (Dual ion beam sputtering system)

設備ID
GA-004
設置機関
香川大学
設備画像
デュアルイオンビ-ムスパッタ装置
メーカー名
ハシノッテク (Hashino-tech)
型番
10W-IBS
仕様・特徴
4in-IBS
熱陰極型イオン源:2基(:50~1000eV)
基板加熱温度:最大700゜C
膜形成中のイオン同時照射機能
イオンビ-ムエッチング機能
【ビームガン1:エッチング用】
イオン銃:熱陰極型
イオン化ガス:Ar
ビーム電圧:100~1200V
ビーム電流:50~300mA
加速電圧:75~500V
イオン流密度:0.3~0.6mA/cm2 (500V加速時)
ビーム有効径:φ4インチ(分布測定可能)
真空度:~8x10-5Pa
試料寸法:φ4インチまで
【ビームガン2:デポジション用】
イオン銃:熱陰極型
イオン化ガス:Ar
ビーム電圧:100~1200V
ビーム電流:50~300mA
加速電圧:75~500V
ターゲット:Au、Cr、Tiほか
ステージ角度:ターゲットに対し-90~+90℃設定可
ステージ位置:上下50mm調整可
真空度:~8x10-5Pa
試料寸法:φ4インチまで
設備状況
稼働中

ショットキー電界放出形走査電子顕微鏡群 (Field emission scanning electron microscope)

設備ID
GA-013
設置機関
香川大学
設備画像
ショットキー電界放出形走査電子顕微鏡群
メーカー名
日本電子, 日本電子, 日本電子, ディエナー (JEOL, JEOL, JEOL, diener)
型番
JSM-IT800SHL, JCM-7000, JFC-3000FC, Femto
仕様・特徴
・JSM-IT800SHL
サンプルサイズ:~φ100mm
分解能:0.7nm(20kV)1.3nm(1kV)
倍率:×27~5,480,000(表示倍率)
加速電圧:0.01~30kV
分析機能:EDS
・JCM-7000
サンプルサイズ:~φ25mm(傾斜回転有)~φ80mm(傾斜回転無)
倍率:×10~100,000
加速電圧:5kV、10kV、15kV(3段)
設備状況
稼働中

ヘリコンスパッタリング装置 (Helicon sputtering system)

設備ID
HK-609
設置機関
北海道大学
設備画像
ヘリコンスパッタリング装置
メーカー名
アルバック (Ulvac)
型番
MPS-4000C1/HC1
仕様・特徴
カソード:3元(マグネトロン4インチ、ヘリコンDC2インチ、ヘリコンRF2インチ)
成膜材料:Au,Cr,Ti
試料サイズ:最大4インチ
設備状況
稼働中

コンパクトスパッタ装置 (Compact Sputter)

設備ID
HK-610
設置機関
北海道大学
設備画像
コンパクトスパッタ装置
メーカー名
アルバック (Ulvac)
型番
ACS-4000-C3-HS
仕様・特徴
カソード4元(DC3元、RF1元)
成膜材料:SiO2、Au,Cr、Mo等
基板サイズ:10mm~4インチ(リフトオフ仕様では25mm角まで)
基板加熱機構有り(~550℃)
設備状況
稼働中

多元スパッタ装置 (Multi-target Sputtering sysutem)

設備ID
HK-611
設置機関
北海道大学
設備画像
多元スパッタ装置
メーカー名
アルバック (Ulvac)
型番
QAM-4-STS
仕様・特徴
カソード7元(ヘリコン2台含む)
試料:小片~最大Φ100㎜
垂直成膜可能(25mm角まで)
コスパッタ(DC/RF)、逆スパッタ
ターゲット:Au、Cr、Pt、Ag他
700度加熱可能
ラジカルイオンガン搭載(N,O)
設備状況
稼働中

イオンビームスパッタ装置 (Ion beam sputtering system)

設備ID
HK-612
設置機関
北海道大学
設備画像
イオンビームスパッタ装置
メーカー名
アルバック (Ulvac)
型番
IBS-6000
仕様・特徴
成膜材料:4元、Ni、Cr、SiO2、W-Si他
試料サイズ:最大3インチ
設備状況
稼働中
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