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原子層堆積装置_1[FlexAL] (Atomic Layer Deposition_1〔FlexAL〕)
- 設備ID
- AT-031
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
![原子層堆積装置_1[FlexAL]](data/facility_item/AT-031.jpg)
- メーカー名
- オックスフォードインスツルメント (Oxford Instruments Plasma)
- 型番
- FlexAL
- 仕様・特徴
- ・型式:FlexAL
・試料サイズ:8インチφ
・基板温度:100-550℃
・プラズマALD:600W（誘導結合型）
・基板バイアス:100W
・反応ガス:H2O, O2, N2, H2, NH3
・材料ポート:8ポート
・常備材料ガス:TMA, DEZn, 3DMAS, TTIP, TDMATi, TBTDMTa, TEMAHf, Ru(EtCp)2, TBTDEN, TEMAZr, TDMAHf
・キャリアガス:Ar
・膜厚計測用 in-situ 分光エリプソ
- 設備状況
- 稼働中
サムコ原子層堆積装置_2[AD-100LP] (Atomic Layer Deposition_2〔AD-100LP〕)
- 設備ID
- AT-099
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
![サムコ原子層堆積装置_2[AD-100LP]](data/facility_item/AT-099.jpg)
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- AD-100LP
- 仕様・特徴
- ・型式: AD100-LP (サムコ株式会社)
・試料サイズ:4インチ（2インチは3枚まで搭載可能）
・ステージ温度：50 ～ 500℃
・放電方式: 誘導結合式ICPプラズマ（ダウンフロー型、リモート型）
・ICP高周波電源: 300W（13.56MHz）
・試料導入方式: ロードロック式
・キャリアガス:N2
・反応ガス:H2O, O2、ピュアオゾン, N2、NH3、H2、Ar
・材料ガス:TMA,BDEAS
- 設備状況
- 稼働中
原子層堆積装置_3〔FlexAL〕 (Atomic Layer Deposition_3〔FlexAL〕)
- 設備ID
- AT-102
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- オックスフォードインスツルメント (Oxford Instruments Plasma)
- 型番
- FlexAL
- 仕様・特徴
- ・型式:FlexAL（オックスフォードインスツルメンツ社製）
・試料サイズ:4インチφ
・基板温度:100-550℃
・プラズマALD:600W（誘導結合型）
・基板バイアス:100W
・反応ガス:重水, O2, ピュアオゾン, N2, H2, D2, NH3, ND3
・材料ポート:8ポート
・キャリアガス:Ar
・表面分析用 in-situ XPS
・膜厚計測用 in-situ 分光エリプソ（J.A.ウラーム社製 M-2000）
- 設備状況
- 稼働中
原子層堆積装置_3付帯ＸＰＳ装置（アルバック・ファイ） (X-ray Photoelectron Spectroscopy Analysis System (XPS))
- 設備ID
- AT-103
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック・ファイ (ULVAC-PHI,)
- 型番
- Quantera II
- 仕様・特徴
- ・型式:Quantera II
・試料サイズ:4インチφ
・X線源:単色化Al kα(ローランド直径 200 mm)
・光電子分光器:静電半球型(軌道直径279.4 mm)
・検出器:マルチチャネル検出器 (32 ch)
・スペクトル分析:0～1467 eV
・イメージング:最小ビーム径7.5μm, 最大走査範囲1.4 mmx1.4 mmのSXIイメージング
・最小スペクトル分析面積:7.5μmφ (20% - 80% knife edge法)
・エネルギ分解能:0.48 eV（Ag 3d5/2光電子ピーク半値幅）
・帯電中和:10 eV以下電子と5～10 eV Arイオン同時照射
・光電子取り出し角度:45°(標準)
- 設備状況
- 稼働中
原子層堆積装置_4〔FlexAL〕 (Atomic Layer Deposition_4〔FlexAL〕)
- 設備ID
- AT-104
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- オックスフォードインスツルメント (Oxford Instruments Plasma)
- 型番
- FlexAL
- 仕様・特徴
- ・型式:FlexAL
・試料サイズ:4インチφ
・基板温度:100-550℃
・プラズマALD:600W（誘導結合型）
・基板バイアス:100W
・反応ガス:H2O，O2，N2，H2，D2, NH3, ND3
・材料ポート:3ポート
・キャリアガス:Ar
・膜厚計測用 in-situ 分光エリプソ
- 設備状況
- 稼働中
原子層堆積装置 (Atomic Layer Depositon system)
- 設備ID
- HK-616
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- ピコサン (Picosun)
- 型番
- SUNALE-R
- 仕様・特徴
- 成膜材料：SiO2、TiO2、Al2O3他（原料持ち込み可）
試料サイズ：最大6インチ
- 設備状況
- 稼働中
原子層堆積装置（粉末対応型） (Atomic Layer Depositon system (Powder))
- 設備ID
- HK-617
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- ピコサン (Picosun)
- 型番
- R-200 Advanced
- 仕様・特徴
- 成膜材料：TiO2、Al2O3
試料サイズ：最大8インチ、粉末試料（1g～15g)
- 設備状況
- 稼働中
プラズマ原子層堆積装置 (Plasma Enhanced ALD system)
- 設備ID
- HK-618
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- AD-230LP
- 仕様・特徴
- 成膜材料：Al2O3他
試料サイズ：最大8インチ
- 設備状況
- 稼働中
原子層堆積装置 (Atomic layer deposition)
- 設備ID
- IT-011
- 設置機関
- 国立大学法人 東京科学大学（旧：国立大学法人 東京工業大学）
- 設備画像
- メーカー名
- Ultratech/CamnbridgeNanotech (Ultratech/CamnbridgeNanotech)
- 型番
- FijiF20
- 仕様・特徴
- ロードロック機構付
プラズマ式/サーマル式の両方のモードでの原子層堆積が可能。化合物半導体等のMIS構造での低界面準位密度などに実績あり。（成膜温度で揮発し、装置を汚染する可能性のある材料は禁止） 酸素源：オゾンおよび水の両方の利用が可能
- 設備状況
- 稼働中
原子層堆積装置 (Atomic Layer Deposition)
- 設備ID
- KT-238
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ(株) (Samco Inc.)
- 型番
- AD-800LP-KN
- 仕様・特徴
- ナノレベルかつコンフォーマルの薄膜を形成するためのALD装置。ゲート酸化膜、バリア膜、透過防止膜などへの利用が可能。
・成膜方式：サーマル/プラズマ
・基板サイズ：小片～Φ8"
・材料ガス：BDEAS(Si系)、TMA(Al系)、TDMAT(Ti系) ほか（要相談）
・反応ガス：H2O、O2、O3、N2、NH3、H2
・キャリアガス：Ar、N2
- 設備状況
- 稼働中