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触針式段差計 (Contact Profiler)
- 設備ID
- AT-045
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- KLA テンコール (KLA-Tencor)
- 型番
- Alpha-Step IQ
- 仕様・特徴
- ・型式:Alpha-Step IQ
・試料サイズ:4インチ
・測定再現性:1σ≤8Å
・膜厚測定範囲:400 μm
・走査距離:最大10mm
・走査速度:2～200 μm /sec
・サンプリングレート:50, 100, 200, 500, 1000ポイント /sec
・測定レンジ:20, 400 μm
・針圧設定範囲:1～100 mg
- 設備状況
- 稼働中
分光エリプソメータ (Spectroscopic Ellipsometer)
- 設備ID
- AT-063
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- 堀場 Jovin-Yvon (Horiba Jovin-Yvon)
- 型番
- UVISEL-M200-FUV-FGMS
- 仕様・特徴
- ・型式:UVISEL-M200-FUV-FGMS
・試料サイズ:150mmφ
・ステージ上下調整幅:20mm
・波長範囲:190～826nm（1.5～6.5eV）
- 設備状況
- 稼働中
触針式表面段差計 (Stylus Profilemeter)
- 設備ID
- BA-014
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- KLA-TENCOR (KLA-TENCOR)
- 型番
- Alpha-Step D-500
- 仕様・特徴
- 測定長さ; 30 mm
サンプルステージ直径; 140 mm
サンプル厚さ(最大); 20 mm
垂直測定レンジ（最大）；1200 μm
垂直測定分解能；0.038 nm (2.5 μm Range)
観察倍率；×1, ×1.3, ×2, ×4
- 設備状況
- 稼働中
分光エリプソメータ (Ellipsometer)
- 設備ID
- BA-019
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- 堀場製作所 (Horiba)
- 型番
- UVISEL Plus
- 仕様・特徴
- PEMを利用した位相変調方式により、外光の影響を受けにくい分光エリプソメーター
測定波長：190～2100 nm（波長分解能力：2 nm)
スポットサイズ：0.05, 0.1, 1mmφ（垂直入射時)を選択
- 設備状況
- 稼働中
触針式表面形状測定器（Dektak） (Stylus profilometer (Dektak))
- 設備ID
- CT-017
- 設置機関
- 公立千歳科学技術大学
- 設備画像
- メーカー名
- ブルカー (Bruker)
- 型番
- Dektak XT
- 仕様・特徴
- ・200 mmφ対応
・測定再現性 1σ=4 Å以下
- 設備状況
- 稼働中
屈折率測定装置（プリズムカプラ） (Refractometer (Prism Coupler))
- 設備ID
- CT-031
- 設置機関
- 公立千歳科学技術大学
- 設備画像
- メーカー名
- メトリコン (Metricon)
- 型番
- Model 2010/M
- 仕様・特徴
- ・光源波長：633nm（He-Neレーザー）
・屈折率精度：±0.0005
・透明バルクおよび透明フィルムの高精度屈折率
・膜厚と屈折率の同時計測（10～15ミクロン膜厚まで）
- 設備状況
- 稼働中
触針式表面形状測定器 (Stylus-type surface shape measuring system)
- 設備ID
- GA-005
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- Dektak8
- 仕様・特徴
- 測定分解能:最小:0.1nm
垂直分解能/レンジ：1Å/65kÅ、10Å/655kÅ、40Å/2620kÅ
サンプルサイズ：直径210mm
測定長さ：50μm〜50mm
最大サンプリング数：30,000点
測定加重：1〜15mg
自動多点測定数：最高200点
サンプル観察：
トップビュー（低倍率カラー）10mm
サイドビュー（高倍率カラー）1mm
測定再現性:1nm以下
- 設備状況
- 稼働中
エリプソメータ (Film thickness measuring system)
- 設備ID
- GA-012
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- 溝尻光学 (Mizojiri-opt)
- 型番
- DHA-XA/M8
- 仕様・特徴
- 膜厚と屈折率を測定可能
処理物：～12インチウェハ 光源波長：632.8nm（He-Neレーザー）
入射角：55°～75°，90°
入射角設定単位：0.01°
最小分解能：1Å
分布計測分解能：0.01mm
- 設備状況
- 稼働中
光干渉式膜厚測定装置 (Film thickness measurement instruments)
- 設備ID
- GA-016
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- シータメトリシス (ThetaMetrisis)
- 型番
- FR-Scanner-AIO-Mic-XY200
- 仕様・特徴
- 測定膜厚範囲（SiO2）：10nm – 80μm（10X）
測定精度：0.2% or 2nm
測定波長範囲：380nm～1020nm
多層膜測定：4層まで可能
測定スポット径：10,25,50,100μm
光源：ハロゲンランプ
サンプルサイズ：Max.200 x 200 mm
光学フィルター：Y-48、R-60
その他：自動マッピング
- 設備状況
- 稼働中
光学干渉式膜厚計 ( Film thickness measurement instruments)
- 設備ID
- HK-626
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- フィルメトリクス (Filmetrics)
- 型番
- F20-UV
- 仕様・特徴
- 膜厚測定範囲：1nm - 40µm
測定波長域：190-1100nm
- 設備状況
- 稼働中