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反応性イオンエッチング装置 (Reactive Ion Etching System)
- 設備ID
- BA-012
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- RIE-10NR
- 仕様・特徴
- 8インチウエハ対応
高周波出力；300W
発振周波数；13.56MHz
ガス；CF4、CHF3、O2
- 設備状況
- 稼働中
半導体特性評価システム (Electrical Measurement System)
- 設備ID
- BA-013
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- キーサイト (Keysight)
- 型番
- B1500A
- 仕様・特徴
- IV測定、CV測定、高速パルスドIV測定に対応。
IV測定範囲；0.1fA～1A/0.5μV～200V
タイムサンプリング；100μs
パルス最小測定幅；100μs(MCSMU)
容量測定 周波数範囲；1kHz～5MHｚ
パルスド測定 波形生成分解能；10ns 測定分解能；5ns
- 設備状況
- 稼働中
触針式表面段差計 (Stylus Profilemeter)
- 設備ID
- BA-014
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- KLA-TENCOR (KLA-TENCOR)
- 型番
- Alpha-Step D-500
- 仕様・特徴
- 測定長さ; 30 mm
サンプルステージ直径; 140 mm
サンプル厚さ(最大); 20 mm
垂直測定レンジ（最大）；1200 μm
垂直測定分解能；0.038 nm (2.5 μm Range)
観察倍率；×1, ×1.3, ×2, ×4
- 設備状況
- 稼働中
X線光電子分光装置 (X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS))
- 設備ID
- BA-015
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JPS-9010TR
- 仕様・特徴
- Mg / Al ツインアノード X 線銃
単色化 AlKα線（Ag 3d5/2 半値幅：0.65 eV）
静電半球型分光器
試料傾斜機構（0 ～ 90°）
中和電子銃・Ar イオンエッチング銃搭載
試料加熱機構（要相談）
- 設備状況
- 稼働中
パワーデバイス特性評価装置 (Power Device Electrical Measurement System)
- 設備ID
- BA-016
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- キーサイト (Keysight)
- 型番
- B1505A
- 仕様・特徴
- 高電圧・高電流のIV測定、CV測定に対応。
電圧・電流特性： 印加電圧 3000V、電流 20A（パルスモード）.
容量・電圧特性： 測定周波数 1kHz ～ 5MHz、最小分解能： 1mHz.
- 設備状況
- 稼働中
IRエミッション顕微鏡 (IR Emission Microscope)
- 設備ID
- BA-017
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- 浜松ホトニクス / TNSシステムズ / 東機通商 (Hamamatsu Photonics K.K. / TNS Systems LLC / Toki Commercial Co., Ltd)
- 型番
- THEMOS-1000
- 仕様・特徴
- 半導体デバイスの故障に起因する発光・発熱などをとらえて故障個所を特定する高解像度エミッション顕微鏡。赤外線画像の観測により、発熱分布（温度分布）の検出や、電流リーク箇所の同定が可能。発熱分布の時間依存性計測により、温度の時間的な広がりが観測可能。パワーデバイス特性評価装置B1505Aと組み合わせることでプローバーとして利用可能。
検出波長：3.7μm～5.1μm
最大視野：3cm × 2cm
最小視野：0.7mm × 0.7mm
最小空間分解能：2.8μm
雑音等価温度差：25mK
時間分解能：3μsec.
ステージ温度：室温～200℃
- 設備状況
- 稼働中
イオンミリング (Ion Milling System)
- 設備ID
- BA-018
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
- 型番
- IM4000PLUS
- 仕様・特徴
- 断面ミリングと平面ミリングに対応したハイブリッドタイプのイオンミリング装置
＜断面ミリングホルダ＞
使用ガス：Ar（アルゴン）ガス
加速電圧：0～6kV
最大ミリングレート（材料Si）：500μm/hr以上
最大試料サイズ：20（W）×12（D）×7（H）mm
試料移動範囲：X ±7mm 、 Y 0～＋3mm
＜平面ミリングホルダ＞
使用ガス：Ar（アルゴン）ガス
加速電圧：0～6kV
最大試料サイズ：Φ50 × 25（H） mm
試料移動範囲：X 0～＋5mm
- 設備状況
- 稼働中
分光エリプソメータ (Ellipsometer)
- 設備ID
- BA-019
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- 堀場製作所 (Horiba)
- 型番
- UVISEL Plus
- 仕様・特徴
- PEMを利用した位相変調方式により、外光の影響を受けにくい分光エリプソメーター
測定波長：190～2100 nm（波長分解能力：2 nm)
スポットサイズ：0.05, 0.1, 1mmφ（垂直入射時)を選択
- 設備状況
- 稼働中
顕微ラマン (Raman)
- 設備ID
- BA-020
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本分光 (JASCO)
- 型番
- NRS-5100
- 仕様・特徴
- 分光器；収差補正型ツェルニターナ配置モノクロメータ
焦点距離；f=300mm
測定端数範囲；50～8000cm-1
最高分解能；1cm-2/pixel
- 設備状況
- 稼働中
極低温プローブステーション (Cryogenic Probe station )
- 設備ID
- BA-021
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- ナガセテクノエンジニアリング / TNSシステムズ / 東機通商 (Nagase Techno-Engineering Co., Ltd / TNS Systems LLC / Toki Commercial Co., Ltd)
- 型番
- CMPS-308-4K-6P-20
- 仕様・特徴
- ・さまざまな試作デバイスを極低温（～5K）から室温に至る広い温度領域での電気特性を低ノイズ状態で測定可能.
・計測器としてB2912A (2ch SMU、10fA, 210V)を設置. また、他の計測器（持込可）も接続可能.
冷却時間：40K台まで約４時間. ４K台までさらに1時間.
温度安定性：±0.2 K 以下.
電流ノイズ：±50 fA 以下、リーク電流：±50 fA 以下.
マニピュレータ：4基.
基板バイアス印加.
- 設備状況
- 稼働中