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電子線描画装置 (Electron Beam Lithography)
- 設備ID
- BA-005
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- ELIONIX (ELIONIX)
- 型番
- ELS-7500EX
- 仕様・特徴
- 電子銃エミッター：ZrO/W熱電界放射型
加速電圧：5～50 kＶ
最小線幅：10 nm
試料サイズ：最大4インチ
ステージ移動範囲： X:100 mm以上 Y:110 mm以上
重ねあわせ精度：40 nm
フィールド継ぎ精度：40 nm
- 設備状況
- 稼働中
走査型プローブ顕微鏡 (Scanning Probe Microscope)
- 設備ID
- BA-006
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- Bruker (Bruker)
- 型番
- Dimension Icon
- 仕様・特徴
- 形状測定モード:
タッピングモード, コンタクトモード
物性測定モード：
電気・磁気特性（EFM/SSRM/KPFM/MFM他）
機械特性（粘弾性/水平力）
試料サイズ：直径 <Φ150mm, 厚さ <10mm
最大スキャン範囲：XY 90μmx90μm, Z 10μm
Z方向ノイズ：0.03nm RMS
測定環境：大気中, 液中（要相談）
- 設備状況
- 稼働中
ウェハーダイシングマシン (Wafer Dicing Machine)
- 設備ID
- BA-007
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- DISCO (DISCO)
- 型番
- DAD322
- 仕様・特徴
- ワークサイズ；φ6
切削可能範囲；160mm
送り速度範囲；0.1～500mm/s
- 設備状況
- 稼働中
電界放出型走査電子顕微鏡 (Field-Emission Scanning Electron Microscope)
- 設備ID
- BA-008
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
- 型番
- SU-8020
- 仕様・特徴
- 二次電子分解能；1.0nm（加速電圧15kV,WD=4mm） 1.3nm（照射電圧1kV,WD=1.5mm）
照射電圧；0.1～30kV
低倍率モード；20～2,000倍（写真倍率）
高倍率モード；100～800,000倍（写真倍率）
SE/BSE信号可変方式
- 設備状況
- 稼働中
パターン投影リソグラフィシステム (Maskless Lithography System)
- 設備ID
- BA-009
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- Heidelberg instruments (Heidelberg instruments)
- 型番
- μPG501
- 仕様・特徴
- 描画エリア；125×125mm2
最小描画サイズ；1.0μm
最小アドレッシンググリッド；50nm@1μm
描画スピード；50mm2/min@1μm,100mm2/min@2μm
- 設備状況
- 稼働中
インクジェットパターン形成装置 (Inkjet Printer)
- 設備ID
- BA-010
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- SIJテクノロジ (SIJTechnology)
- 型番
- STO50-TBD01
- 仕様・特徴
- 最小吐出量；0.1fl
最小ライン；0.6μm
分解能；0.1μm
位置精度；±0.2μm
- 設備状況
- 稼働中
微細パターン形成装置群（スピンコーター、マスクアライナー） (Photolithography system (Mask aligner, Spincoater))
- 設備ID
- BA-011
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- Neutronix-Quintel/ミカサ ( Neutronix-Quintel/Mikasa)
- 型番
- Q 2001CT/MS-A100
- 仕様・特徴
- Neutronix-Quintel社製Q 2001CT（2.5インチマスク用コンタクトアライナー）
マスク-ウエハ間隔；0-180μm
基板；1cm角～４インチφ マスク；2.5インチ角、5インチ角
光源；200W水銀ランプ(350~450nm)
解像度；0.6～1.0μm
マニュアルアライメント；1.0μm
照度分布；≤5%@3.5インチφ
ミカサ社製MS-A100（スピンコーター）
基板: 5mm角から4インチφまで
- 設備状況
- 稼働中
反応性イオンエッチング装置 (Reactive Ion Etching System)
- 設備ID
- BA-012
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- RIE-10NR
- 仕様・特徴
- 8インチウエハ対応
高周波出力；300W
発振周波数；13.56MHz
ガス；CF4、CHF3、O2
- 設備状況
- 稼働中
半導体特性評価システム (Electrical Measurement System)
- 設備ID
- BA-013
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- キーサイト (Keysight)
- 型番
- B1500A
- 仕様・特徴
- IV測定、CV測定、高速パルスドIV測定に対応。
IV測定範囲；0.1fA～1A/0.5μV～200V
タイムサンプリング；100μs
パルス最小測定幅；100μs(MCSMU)
容量測定 周波数範囲；1kHz～5MHｚ
パルスド測定 波形生成分解能；10ns 測定分解能；5ns
- 設備状況
- 稼働中
触針式表面段差計 (Stylus Profilemeter)
- 設備ID
- BA-014
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- KLA-TENCOR (KLA-TENCOR)
- 型番
- Alpha-Step D-500
- 仕様・特徴
- 測定長さ; 30 mm
サンプルステージ直径; 140 mm
サンプル厚さ(最大); 20 mm
垂直測定レンジ（最大）；1200 μm
垂直測定分解能；0.038 nm (2.5 μm Range)
観察倍率；×1, ×1.3, ×2, ×4
- 設備状況
- 稼働中