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レーザー描画装置〔DWL66+〕 (Laser Beam Lithography)

設備ID
AT-110
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
レーザー描画装置〔DWL66+〕
メーカー名
ハイデルベルグ (Heidelberg Instruments)
型番
DWL66+
仕様・特徴
・型式:DWL66+
・試料サイズ:8インチφ、200mm×200mm×12mmt
・最小角型試料サイズ: 5mm×5mm
・描画エリア:200mm×200mm
・レーザー光源:405nm
・最小描画パターン:0.5μm (L&S)、0.3μm(孤立パターン)
・重ね合わせ描精度:0.25μm(5mm×5mm以内)、0.5μm(100mm×100mm以内)
・裏面パターンとの重ね合わせ精度:1μm
・グレースケール露光:1000階調
設備状況
稼働中

陽電子プローブマイクロアナライザー(PPMA) (Positron Probe MicroAnalyzer (PPMA))

設備ID
AT-501
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
陽電子プローブマイクロアナライザー(PPMA)
メーカー名
産総研自主開発 (AIST Original)
型番
仕様・特徴
電子の反粒子である陽電子のマイクロビームを作り、物質中の陽電子寿命のマッピング測定を行う装置。
原子が1個抜けた原子空孔、ナノボイドのサイズ、分布の評価が可能。
・陽電子源 : 電子加速器対生成方式
・陽電子ビーム径 : 0.01 mm ~ 10 mm
・陽電子ビームエネルギー : 1-30 keV
・寿命測定時間分解能 : 200-300 ps
設備状況
稼働中

超伝導蛍光収量X線吸収微細構造分析装置 (SC-XAFS) (X-ray Absorption Fine Structure Spectroscopy with a Superconducting Fluorescence Detector (SC-XAFS))

設備ID
AT-502
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
超伝導蛍光収量X線吸収微細構造分析装置 (SC-XAFS)
メーカー名
産総研自主開発 (AIST Original)
型番
仕様・特徴
エネルギー分散超伝導検出器を搭載し、母材中の微量軽元素や重い元素のL、M線のX線吸収微細構造測定により、特定の微量元素の原子スケール構造解析を行う。省エネ半導体ドーパント、酸化物、磁性体などの原子配位や電子状態を評価する。
・蛍光X線エネルギー分解能 : 10 eV
・エネルギー範囲 : 70eV-5000eV(<1keV:超伝導、> 2keV:半導体)
・アレイ検出器素子数 :100
・光子計数率 : 1 Mcps
・冷却 : 液体ヘリウムを使用せず機械式冷凍機による自動冷却(0.3K)
設備状況
稼働中

可視-近赤外過渡吸収分光装置 (VITA) (Visible/Near-Infrared Transient Absorption Spectrometer (VITA))

設備ID
AT-503
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
可視-近赤外過渡吸収分光装置 (VITA)
メーカー名
(1) ナノ秒可視・近赤外蛍光寿命計測装置:産総研自主開発、(2) ナノ秒可視・近赤外過渡吸収分光装置:産総研自主開発、(3) ピコ秒可視蛍光寿命計測装置:産総研自主開発、(4) ピコ秒可視・近赤外過渡吸収分光装置:産総研自主開発 ((1) Nanosecond Visible/Near-Infrared Fluorescence Spectrometer:AIST Original, (2) Nanosecond Visible/Near-Infrared Transient Absorption Spectrometer:AIST Original, (3) Picosecond Visible/Near-Infrared Fluorescence Spectrometer:AIST Original, (4) Picosecond Visible/Near-Infrared Transient Absorption Spectrometer:AIST Original)
型番
仕様・特徴
(1) ナノ秒可視・近赤外蛍光寿命計測装置
液体、溶液、結晶、フィルムなどの蛍光スペクトルと蛍光寿命を測定する装置。
励起光源にレーザーダイオードやピコ秒のNd:YAGレーザーを用いており、非常に簡便に計測ができる。
寿命測定は時間相関単一光子計数法または高速オシロスコープによる直接法を用いており、弱い励起条件での計測が可能であるとともに、8桁程度の信号ダイナミックレンジのデータが取得できる。
・時間分解能:約200 ps
・励起波長:278, 342, 355, 408, 455, 532, 560, 637 nm
・測定波長範囲:350 nm~1600 nm
・測定雰囲気:-270 ℃~室温~+100 ℃

(2) ナノ秒可視・近赤外過渡吸収分光装置
液体、溶液、結晶、フィルムなどの過渡吸収スペクトルと減衰挙動を測定する装置。
励起光源に波長可変のTi:Sapphireレーザーを用いており、様々な測定対象に対応可能。
従来装置と比べて測定感度が高いことが特徴であり、吸光度変化として<0.001の計測が可能。
・時間分解能: 1 ns程度
・励起光: 100 fsパルス、波長240~2400 nm
・測定波長範囲: 400 nm~6000 nm
・測定雰囲気: 室温大気中(特殊環境は要相談)

(3) ピコ秒可視蛍光寿命計測装置
この装置は、40 psの時間分解能、時間レンジ1 ~ 100 ns、400 ~ 900 nmの観測波長領域を有する、時間分解蛍光スペクトル測定装置。
固体中励起子寿命、励起子拡散長、色素分子蛍光寿命の評価が可能。
・形式: C4334-01
・励起光:100 fsパルス、波長240~800 nm
・測定雰囲気: 室温大気中(特殊環境は要相談)
・時間分解能:40 psの時間分解能時間 レンジ1~100 ns、400~900 nm

(4) ピコ秒可視・近赤外過渡吸収分光装置
200 fsの時間分解能、240 ~ 11000 nmの観測波長領域、<0.001の吸収測定精度を有する過渡吸収分光装置。
固体中キャリア寿命、界面電荷分離反応の速度・収率、励起子拡散長を評価。
・測定モード:透過・正反射・拡散反射型ポンプ-ブローブ法
・励起光:100~150 fsパルス、波長240~2400 nm
・測定雰囲気:室温大気中(特殊環境は要相談)
・時間分解能:200 fsの時間分解能、240~11000 nm
設備状況
稼働中

固体NMR装置 (SSNMR) (Solid-State Nuclear Magnetic Resonance Spectrometer (SSNMR))

設備ID
AT-505
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
固体NMR装置 (SSNMR)
メーカー名
(1) 固体NMR装置(600MHz): ブルカー・ジャパン(株)バイオスピン事業部、(2) 固体NMR装置(200MHz): ブルカー・ジャパン(株)バイオスピン事業部、(3) 固体NMR装置(20MHz):ブルカー・ジャパン(株)バイオスピン事業部、 (4) NMRマイクロイメージング装置(300MHz): ブルカー・ジャパン(株)バイオスピン事業部 ((1) Solid-State Nuclear Magnetic Resonance Spectrometer(600MHz): Bruker Biospin, (2) Solid-State Nuclear Magnetic Resonance Spectrometer(200MHz): Bruker Biospin, (3) Solid-State Nuclear Magnetic Resonance Spectrometer(20MHz)・Bruker Biospin, (4) Nuclear Magnetic Resonance Microimaging Spectrometer(300MHz): Bruker Biospin)
型番
(1) 固体NMR装置(600MHz): Bruker社製Avance III HD 600WB、(2) 固体NMR装置(200MHz): Bruker社製Avance 200WB、(3) 固体NMR装置(20MHz)・Bruker社製 minispec mq20、(4) NMRマイクロイメージング装置(300MHz): Bruker社製Avance III 300WB
仕様・特徴
(1) Bruker 社製Avance III HD 600WB
・磁場強度: 14.1テスラ(1H共鳴周波数: 600 MHz)
・固体高分解能測定、二次元測定、緩和時間測定、拡散係数測定に対応。
・測定可能温度: 広幅測定時 -120~200℃

(2) Bruker社製Avance 200WB
・磁場強度: 4.7テスラ(1H共鳴周波数: 200 MHz)
・広幅測定および13C固体高分解能測定、二次元測定、緩和時間測定に対応。
・測定可能温度: 広幅測定時 -120~200℃

(3) Bruker社製 minispec mq20
・磁場強度: 0.47テスラ(1H共鳴周波数: 20 MHz)
・プロトン(軽水素)測定に使用。緩和時間測定、磁場勾配法による拡散係数測定にも対応
・測定可能温度: 広幅測定時 -120~200℃

(4) Bruker社製Avance III 300WB
・磁場強度: 7.05テスラ(1H共鳴周波数: 300 MHz)
・NMRマイクロイメージング測定、二次元測定、緩和時間測定、拡散係数測定に対応。
・測定可能温度: 広幅測定時 -120~200℃
設備状況
稼働中

超伝導蛍光X線検出器付走査型電子顕微鏡 (SC-SEM)  (Scanning Electron Microscope with a Superconducting Tunnel Junction X-ray Detector (SC-SEM))

設備ID
AT-506
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
超伝導蛍光X線検出器付走査型電子顕微鏡 (SC-SEM)
メーカー名
・検出器:産総研自主開発 ・顕微鏡:JEOL (・Detector: AIST Original ・SEM: JEOL)
型番
・検出器:産総研自主開発 ・顕微鏡:JSM-IT800SHLs
仕様・特徴
 高感度、高分解能の超伝導検出器を搭載した、蛍光X線検出器付走査型電子顕微鏡。
 電子線で試料上を走査する際に放出される蛍光X線を測定することにより、主に軽元素の分布状態を評価できる。半導体エネルギー分散型検出器、シンチレーション型反射電子検出器も搭載。試料を冷却しながらの計測も可能。大気非暴露搬送、装置内での昇華、割断、コーティングが可能。
・蛍光X線エネルギー範囲:
 40 eV-4 keV(超伝導)、200 eV- 20 keV(半導体)
・エネルギー分解能:
 ~7 eV@400 eV X-ray(超伝導)、
 <56 eV@C-Ka (半導体)
・計数率:200 kcps
・走査型電子顕微鏡:JEOL JSM-IT800SHLs
・加速器電圧範囲:10 V-30 kV
・最大サンプルサイズ:Φ100 ㎜、Φ10 ㎜(冷却時)
・2次電子最高空間分解能:0.6 nm程度@15 kV, 1.1 nm程度@1 kV
・試料最低冷却温度:-190℃以下
・機械式ヘリウム3冷凍機を用いて簡単に冷却でき、長時間の測定可能
設備状況
稼働中

デバイスシミュレーター (Device Simulator)

設備ID
BA-001
設置機関
筑波大学
設備画像
デバイスシミュレーター
メーカー名
SILVACO (SILVACO)
型番
ATHENA/ATLAS
仕様・特徴
2次元プロセスシミュレーター
2次元シリコン・デバイスシミュレーター
2次元先端材料・デバイスシミュレーター
3次元シリコン/先端材料・デバイスシミュレーター
設備状況
稼働中

スパッタリング装置 (Sputtering System)

設備ID
BA-002
設置機関
筑波大学
設備画像
スパッタリング装置
メーカー名
芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)
型番
CFS-4EP-LL (i-miller)
仕様・特徴
スパッタ方式:マグネトロン・サイドスパッタ RF500W (DC)
スパッタ源:3インチ×4(強磁性体材料用GUN1基含む)、逆スパッタ可
サンプルホルダ:最大φ220 mm/最小20 mm
(4インチウエハ用および不定形用ホルダあり)
加熱温度:室温~300℃
到達真空度・時間:10-5 Pa、10分以内に7 x 10-3 Pa
排気系:ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオトラップ
操作方式:全自動(レシピ設定可)
プロセスガス:Ar、N2、O2
設備状況
稼働中

FIB-SEM (Focused Ion beam - Scanning Electron Microscope)

設備ID
BA-003
設置機関
筑波大学
設備画像
FIB-SEM
メーカー名
FEI (FEI)
型番
Helios NanoLab 600i
仕様・特徴
電子とイオンの2種のソースにより、TEM試料作製、イオン照射による直接加工をSEM観察をしながら実施できる。
加速電圧:1-30kV(電子ビーム)
0.5-30kV(Gaイオンビーム)
デポジション用ガス:C,Ptガス
分析機能:EDS
設備状況
稼働中

電子線蒸着装置 (Electron Beam Evaporator)

設備ID
BA-004
設置機関
筑波大学
設備画像
電子線蒸着装置
メーカー名
エイコー (eiko)
型番
EB-350T
仕様・特徴
到達圧力:1.0×10-6 Pa以下
蒸発源:5 kW 5連EBガン
ルツボ容量:5 cc
基板ホルダー:φ3インチ
設備状況
稼働中
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