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ナノプローバ[N-6000SS] (NanoProber〔N-6000SS〕)

設備ID
AT-049
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
ナノプローバ[N-6000SS]
メーカー名
日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
型番
N-6000SS
仕様・特徴
・型式:N-6000SS
・試料サイズ:15mm×15mm、厚さ1mm以下
・試料ステージ:加熱・冷却機能付
・可動範囲:15mm×15mm以上
・付加機能:EBAC(Electron Beam Absorbed Current)
プローブユニット
・ユニット数:6本(探針数)
・駆動方式:ピエゾ素子使用
・微動範囲:5μm(X,Y軸)
・粗動範囲:5mm(X,Y軸)
電子光学系
・電子銃:冷陰極電界放出型電子顕微鏡
・加速電圧:0.5~5kV (※EBACモード:最大30kV)
・イメージシフト:±100μm以上(2kV、WD=15mm)
デバイスアナライザ
・型式:B1500(Agilent製)
・モジュール:B1520A MFCMU [1KHz~5MHz CV機能]
B1517A HRSMU [100mA/42V 電流/電圧出力、1fA/0.5μV電流/電圧測定分解能]
設備状況
稼働中

四探針プローブ抵抗測定装置 (Four Point Probe Resistance Measurement System)

設備ID
AT-050
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
四探針プローブ抵抗測定装置
メーカー名
ケースレーインスツルメンツ (Keithley Instruments)
型番
K-89PS40μR, K-89PS150μR
仕様・特徴
・型式:K-89PS40μR, K-89PS150μR
・試料サイズ: 4インチ□
・プローブ材質:タングステンカーバイト
・針間:1mm
・プローブ径:40μm, 150μm
・針圧:約800g, 約200g
・ステージZ軸移動:40mm(ラックピニオン式)
・針圧調整:ウエイト加減方式
・デジタルソースメータ(抜粋)
最大印加電圧 ±210V, 電流 ±1.05A(MAX 21V), ±1.05mA(MAX 210V)
最小設定分解能 5μV(200mVレンジ), 50 pA(1μAレンジ)
設備状況
稼働中

デバイスパラメータ評価装置 (Semiconductor Device Parameter Analyzer)

設備ID
AT-051
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
デバイスパラメータ評価装置
メーカー名
アジレントテクノロジー (Agilent)
型番
4156C
仕様・特徴
・型式:4156C
・試料サイズ:150φ×10mm以下
・最小電流レンジと測定分解能:±10 pAレンジ(電圧 0~±100 V)⇒ 1 fA
・最大電流レンジと測定分解能:±100 mAレンジ(電圧 0~±20 V)⇒ 100 nA
・最小電圧レンジと測定分解能:±2 Vレンジ(電流 0~±100 mA)⇒ 2 µV
・最大電圧レンジと測定分解能:±100 Vレンジ(電流 0~±20 mA)⇒ 100 µV
設備状況
稼働中

デバイス容量評価装置 (Capacitance-Voltage (C-V) Analyzer)

設備ID
AT-052
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
デバイス容量評価装置
メーカー名
ケースレーアジレント (KeithleyAgilent)
型番
Model 82-WIN, 4284A LCRメータ
仕様・特徴
・型式:Model 82-WIN(ケースレー社製), 4284A LCRメータ(アジレントテクノロジーズ社製)
・試料サイズ:2インチ
・Model 82-WIN: Quasistatic C-Vと高周波C-V(100kHz or 1MHz)の同時特性評価
・4284A LCRメータ:低周波20Hz~高周波1MHzの主にC-V特性評価、及び 周波数変化時の容量であるC-F特性評価
設備状況
稼働中

短波長レーザー顕微鏡[VK-9700] (Laser Microscope〔VK-9700〕)

設備ID
AT-060
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
短波長レーザー顕微鏡[VK-9700]
メーカー名
キーエンス (KEYENCE)
型番
VK-9700
仕様・特徴
・型式:VK-9700 Generation II(キーエンス社製)
・試料サイズ:100mmφ
・倍率:最大18000倍
・分解能:1 nm(Z方向、高さ)
・高さ測定範囲:7 mm
・表示分解能:0.001 μm
・幅測定表示分解能:0.001 μm
・フレームピクセル数:2048×1536
・モノクロ映像:14 bit
・カラー映像:RGB各8 bit、高さ測定用:24 bit
・光学ズーム:1x~6x
・測定レーザー:波長408 nm、最大出力0.9 mW
・受光:光電子増倍管
・観測:100 Wハロゲン光源
・撮像素子:カラーCCDイメージセンサ
設備状況
稼働中

短波長レーザー顕微鏡[OLS-4100] (Laser Microscope〔OLS-4100〕)

設備ID
AT-061
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
短波長レーザー顕微鏡[OLS-4100]
メーカー名
オリンパス (Olympus)
型番
OLS-4100
仕様・特徴
・型式:OLS4100
・試料サイズ:100mmφ
・倍率:最大17280倍
・高さ測定範囲:10mm
・XYステージ:100mm×100mm(電動ステージ)
・表示分解能:0.001μm
・フレームピクセル数:4096×4096
・光学ズーム:1x~8x
・測定レーザー:波長405nm、最大出力1mW
・微分干渉ユニット:微分干渉スライダ(U-DICR)、偏光板ユニット内蔵
設備状況
稼働中

分光エリプソメータ (Spectroscopic Ellipsometer)

設備ID
AT-063
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
分光エリプソメータ
メーカー名
堀場 Jovin-Yvon (Horiba Jovin-Yvon)
型番
UVISEL-M200-FUV-FGMS
仕様・特徴
・型式:UVISEL-M200-FUV-FGMS
・試料サイズ:150mmφ
・ステージ上下調整幅:20mm
・波長範囲:190~826nm(1.5~6.5eV)
設備状況
稼働中

顕微レーザーラマン分光装置(RAMAN) (Laser Raman Spectrometer(RAMAN))

設備ID
AT-065
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
顕微レーザーラマン分光装置(RAMAN)
メーカー名
サーモフィッシャー (Thermo Fisher Scientific)
型番
DXR-Raman Microscope
仕様・特徴
・励起光:532nm(高輝度DPSS)、780nm(高輝度ダイオード)
・測定波数範囲:50-3300cm-1
・スペクトル分解能:
 フルレンジグレーティング;5 cm-1
 高分解能グレーティング;3 cm-1
・最高空間分解能:1μmφ[使用レーザーの回折限界による]
・コンフォーカルによる深さ分解能:2μm~
・XYオートステージ:(可動範囲:76mm×100mm程度、0.1μmStep)
・ X-Yと深さ方向のラマンマッピングが可能
設備状況
稼働中

顕微フーリエ変換赤外分光装置(FT-IR) (Fourier Transform Infrared Spectrometer (FT-IR))

設備ID
AT-066
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
顕微フーリエ変換赤外分光装置(FT-IR)
メーカー名
サーモフィッシャー (Thermo Fisher Scientific)
型番
Nicolet6700(本体)、Continuμm(顕微)
仕様・特徴
・光源:ETC EverGlo光源(9600~20cm-1
・最高分解能:0.09cm-1
・測定波数範囲
 350-7800cm-1 (本体: 検出器DTGS使用時 )、
 600-7800cm-1(本体及び顕微:検出器MCT-A使用時)
・測定方法
 本体:透過、ATR(ダイヤモンド、Ge)
 顕微:透過、反射、オートステージによるマッピング機能
設備状況
稼働中

磁気特性測定システム(MPMS) (Magnetic Property Measurement System (MPMS))

設備ID
AT-068
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
設備画像
磁気特性測定システム(MPMS)
メーカー名
日本カンタムデザイン (Quantum Design Japan)
型番
MPMS-5S
仕様・特徴
・型式:MPMS-5S
・試料サイズ:5 mmφ × 5 mm
・測定感度:1×10-8 emu
・温度範囲:1.9~400 K (ストローホルダは~350 K)
・温度スイープ:最大 10 K / min
・超伝導マグネット:±5 T
・オーブン(300~800K)オプションあり
設備状況
稼働中
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