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マスクレス露光装置 (Maskless Lithography System)
- 設備ID
- AT-006
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- ナノシステムソリューション (Nano System-Solutions)
- 型番
- DL1000
- 仕様・特徴
- ・型式:DL1000
・試料サイズ:4インチφ、100mm□
・光源:波長405nm(LED)
・露光最小画素:1μm□
・最大露光領域:100mm□
・重ね合わせ精度:±1μm
- 設備状況
- 稼働中
コンタクトマスクアライナー[MJB4] (Contact Mask Aligner〔MJB4〕)
- 設備ID
- AT-009
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
![コンタクトマスクアライナー[MJB4]](data/facility_item/AT-009.jpg)
- メーカー名
- ズース (SUSS MicroTec)
- 型番
- MJB4
- 仕様・特徴
- ・型式:MJB4
・基板サイズ:2インチφ～4インチφ、不定形小片～100mm
・解像度:約800nm (バキュームコンタクト使用時)
・波長:g線(436nm)、h線(405nm)、i線(365nm)
・ 照度 :約25mW/cm2
・露光モード:プロキシミティ、ソフトコンタクト、 ハードコンタクト、ソフトバキュームコンタクト、 バキュームコンタクト
・露光領域:2.5～5インチ対応マスクホルダー(最大40mm□)
4インチ, 5インチ対応マスクホルダー 最大110mmφ
- 設備状況
- 稼働中
i線露光装置 (i-Line Stepper)
- 設備ID
- AT-011
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- ニコン (Nikon)
- 型番
- NSR-2205i12D
- 仕様・特徴
- ・形式:NSR-2205i12D
・試料サイズ:2インチφ～8インチφ
20 mm, 18mm, 15 mm, 10 mm□クーポン
・露光光源:i線(波長365 nm)
・解像度:350 nm以下
・最大N.A.:0.63
・縮小倍率:5分の1倍
・露光範囲:22 mm□(ウェハー上)
・レチクル:6インチ石英ガラス(6025)
・総合アライメント精度:55 nm以下
- 設備状況
- 稼働中
反応性イオンエッチング装置 (RIE) (Reactive Ion Etching System（RIE）)
- 設備ID
- AT-018
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- RIE-200L
- 仕様・特徴
- ・型式:RIE-200L
・試料サイズ:8インチφ, 8mmt
・高周波電源:最大300 W（13.56 MHz）
・RF制御:インピーダンスオートマッチング
・電極:セミ無遮蔽型電極、上部Al電極、下部SUS電極電極
・電極間隔:55 mm
・使用ガス:SF6, CF4, O2
・パージガス:N2ガス
- 設備状況
- 稼働中
多目的エッチング装置(ICP-RIE) (ICP Reactive Ion Etching System（ICP-RIE）)
- 設備ID
- AT-019
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- RIE-101iPHS-L
- 仕様・特徴
- ・型式:RIE-101iPHS-L
・試料サイズ:4インチφ, 5mmt
・放電方式: 誘導結合式プラズマ(ICP)
・ICP高周波電源: 最大500W（13.56 MHz）
・バイアス高周波電源: 最大200W（13.56 MHz）
・試料導入方式: ロードロック式
・試料温度制御: -18℃～常温
・使用ガス: SF6, CHF3, CF4, Ar, O2
- 設備状況
- 稼働中
電子ビーム真空蒸着装置 (Electeron Beam Vacuum Evaporator)
- 設備ID
- AT-023
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- エイコーエンジニアリング (EIKO ENGINEERING)
- 型番
- 仕様・特徴
- ・試料サイズ:100 mm×100 mm×20 mm
・蒸着方式:電子ビーム加熱蒸発、180°配向型
・蒸発源:8連装（6 kW電子銃）
・クルーシブル容量:10 ml
・基板ホルダ:傾斜ホルダ、冷却機構付(マイナス10℃)
・蒸発源―基板間:300 mm
・試料導入:ロードロック自動搬送
・真空排気システム:到達圧力3×10-6 Pa以下、オイルフリー、自動排気
・成膜:水晶振動子膜厚モニタによる自動制御
・膜厚分布:10 %以内@Φ75mm
・ソース材料: Al, Al2O3, Ag, Au, Cr, Cu, Mo, Pt, Ru, SiO2, Ta, Ti, TiN, TiO2, W
- 設備状況
- 稼働中
抵抗加熱型真空蒸着装置 (Resistance Heating Vacuum Evaporator)
- 設備ID
- AT-024
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- ビームトロン (Biemtron)
- 型番
- KIS_3
- 仕様・特徴
- ・型式:KIS_3
・試料サイズ:3インチφ以下
・蒸着方式:抵抗加熱蒸発
・蒸発源:3ポート
・加熱抵抗体:平板ボート、コイル、バスケット
・傾斜基板ホルダ:±15°
・蒸発源―基板間:250 mm
・試料導入:手動
・真空排気:手動、到達圧力5×10-5 Pa以下
・成膜制御:手動（ 基板シャッター開閉及びヒーター電力調整）
・膜厚モニター:水晶振動子膜厚モニタ付
・ソース材料: Al, Ag, Au, Fe, Ni, Cr, Cu, Ti
- 設備状況
- 稼働中
スパッタ成膜装置(芝浦） (Sputtering System（Shibaura）)
- 設備ID
- AT-025
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA)
- 型番
- i-Miller
- 仕様・特徴
- ・型式:CFS-4EP-LL、i-Miller
・試料サイズ:8インチφ, 5mmt
・スパッタ源:3インチマグネトロン方式×3式
・高周波電源:最大出力500 W(使用最大200 W)
・RF制御:自動制御
・逆スパッタリング:200W
・試料搬送:ロードロック室付
・基板テーブル:回転機構付
・ターゲット-基板間:85 mm
・加熱温度:最大300 ℃
・膜厚分布:±5%以内@膜厚2～3 kÅ、SiO2成膜時、170 mmφ内
・到達真空度:2×10-4 Pa
・反応ガス:Ar, O2, N2
・成膜時ガス圧:0.2～1 Pa
・常備ターゲット:金属・酸化物・窒化物等、60種
- 設備状況
- 稼働中
メッキ装置 (Electroplating Equipment)
- 設備ID
- AT-029
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- 山本鍍金試験器 (Yamamoto-ms)
- 型番
- 仕様・特徴
- ・試料サイズ:2インチ、4インチφ
・水槽:4インチウエハ用 アクリル製二重底タイプ、浴容量 4L
・ヒーター:ウエハ水槽用ヒーター 100V,100W
・陽極板:含燐銅
・濾過器:ミニフィルター20APFA型(PTFEチューブ/4.8 (dm3/min.)/0.5μmカートリッジタイプ)
・揺動装置:4インチ用パドル撹拌装置(回転数表示式)
・電源:入力電圧 AC100～200V±10%(50/60Hz±5%)
・出力電圧 DC 0～15V
・出力電流 0～10A
・最小分解能 10mV,1mA,0.1mC
・温度調整機能 1KW(ON/OFF PID制御)
・めっき液:微細配線、パンプ用無光沢硫酸銅(XP-CS)
・その他:筆めっき用にリード線付き筆具(筆先カーボン)あり
- 設備状況
- 稼働中
プラズマCVD薄膜堆積装置 (Plasma-assisted CVD（TEOS/SiO2）)
- 設備ID
- AT-030
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- PD-20SS
- 仕様・特徴
- ・型式:PD-20SS
・試料サイズ8インチ
・有効成膜範囲:220mmφ
・排気系:ロータリーポンプ＋メカニカルブースターポンプ
・圧力制御:オートプレッシャーコントローラー（コンダクタンス可変型）
・高周波電源:300W（13.56MHz）
・電極間隔:25mm（上部電極:Al製、下部電極:SUS製）
・ガス噴出口:上部電極一体式シャワー状マニホールド
・ステージ加熱機構:抵抗加熱方式（400℃）
・導入ガス:C2F6, O2, TEOS
- 設備状況
- 稼働中