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NCプリント基板加工装置 (NC mechanical PCB and Micro processing Machine )

メーカー名
LPKF (LPKF)
型番
Protomat S62
設備画像
NCプリント基板加工装置
設置機関
東京大学
仕様・特徴
機械加工によって切削可能なすべての材料の加工が可能。

ブレードダイサー (Dicing Saw)

メーカー名
ディスコ (DISCO)
型番
DAD3650
設備画像
ブレードダイサー
設置機関
東京大学
仕様・特徴
二軸スピンドルダイサー
この「二軸機」によれば、四角く切り出したチップ端部を斜めに切りおとすこと(ベベルカット)が可能になり、塗布したレジストの平坦性が担保される効果が期待でき、チッププロセスの収率向上に大きなプラスとなります。

試料作製装置群 (Specimen preparation apparatus group)

メーカー名
E.A. Fischione Instruments Gatan 日本電子 ライカ マイクロシステムズ ()
型番
Model1040, PIPSⅡ, IB-09020CP, Leica EM UC7
設備画像
試料作製装置群
設置機関
名古屋大学
仕様・特徴
TEM/STEM/SEM観察のための試料作製に関する装置群
PIPS
ミクロトーム
アルゴンイオン研磨装置
NanoMill
カーボンコータ
オスミウムコータ
白金コータ
各種研磨装置
クロスセクションポリッシャー

インクジェットパターン形成装置 (Inkjet Printer)

メーカー名
SIJテクノロジ (SIJTechnology)
型番
STO50-TBD01
設備画像
インクジェットパターン形成装置
設置機関
筑波大学
仕様・特徴
最小吐出量;0.1fl
最小ライン;0.6μm
分解能;0.1μm
位置精度;±0.2μm

集束イオンビーム加工観察装置(FIB) (Focused Ion Beam System(FIB))

メーカー名
日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
型番
FB-2100
設備画像
集束イオンビーム加工観察装置(FIB)
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
仕様・特徴
・型式:FB-2100
・試料サイズ: 18mmφ以下, 高さ10mm以下
・イオン源:ガリウム液体金属イオン源
・加速電圧:2kV, 5kV, 10kV~40 kV (低加速電圧対応)
・像分解能:6 nm (SIM)
・ビーム径:3µm, 1.3µm, 600 nm, 320 nm, 120 nm, 60 nm, 10 nm
・イオンビーム電流:0.1nA~68nA (大電流対応)
・デポジションガス:タングステンカルボニル
・マニュピレータシステム:シングルプローブ
・試料ステージ制御:5軸チルトステージ
・ステージ傾斜角度:最大45°

基板貼付け装置 (Wafer bonding equipment)

メーカー名
アユミ工業 (Ayumi Inc)
型番
 VE-07-18 
設備画像
基板貼付け装置
設置機関
東京工業大学
仕様・特徴
 ・対応基板サイズ:2インチウェハ,2 cm×2 cm角,3 cm×3 cm角 ・プラズマ反応ガス:Ar, N2, O2 ・最大フ?ラス?マ強 度:750W ・アライメント精度<±1.6 um ・チャンハ?ー真空 度:~10^-5 Pa ・最大加熱温度:500°C ・アライメント部 加重範囲:5~100 kgf ・加重部 加重範囲:50~1000 kgf

電界電離ガスイオン源搭載集束イオンビーム装置 (GFIS-FIB)

メーカー名
日立ハイテクサイエンス (Hitachi High-Tech Science)
型番
MR-GFIS
設備画像
電界電離ガスイオン源搭載集束イオンビーム装置
設置機関
北陸先端科学技術大学院大学(JAIST)
仕様・特徴
N2イオンビームによる低汚染のFIB加工
最少加工幅:約10nm

工作室加工成形装置群 (machine shop)

メーカー名
 ()
型番
設備画像
工作室加工成形装置群
設置機関
北陸先端科学技術大学院大学(JAIST)
仕様・特徴
各種工作機械(主なものは下記)
マシニングセンター
ワイヤー放電加工機
旋盤
レーザー加工機
3Dプリンタ
その他

表面化学実験ステーション (Surface chemistry experimental apparatus)

メーカー名
オミクロン (Omicron)
型番
EA125
設備画像
表面化学実験ステーション
設置機関
日本原子力研究開発機構(JAEA)
仕様・特徴
表面界面の電子状態の精密分析や時分割観察が可能
・高輝度・高エネルギー分解能高輝度軟X線放射光(400~1500eV)
・複合表面分析(LEED、Arスパッター、SPM、蒸着(実績:Hf、Ge、Cs、Auなど)
・超高真空(2×10^-8Pa)~ガス雰囲気(2×10^-3Pa)
室温~1150℃加熱中の光電子分光観察
・材料プロセスの時分割観察、超音速分子線を使った反応ダイナミクス
・測定試料:半導体(Si、Ge、SiC、GaN etc)、金属(Cu、Ni、各種合金)、グラフェン等の新材料、ナノ粒子、機能物質など。単結晶、多結晶、アモルファス、薄膜
・導入ガス:酸素、水素、水、ギ酸、一酸化窒素、、メタン、エタン、塩化メチル、NO2、COなど
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