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TEM試料自動作製FIB-SEM複合装置 (FIB-SEM combined apparatus for automatic preparation of TEM specimens)

設備ID
NM-403
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
TEM試料自動作製FIB-SEM複合装置
メーカー名
日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
型番
NX5000
仕様・特徴
・FIB: Ga液体金属イオン源、加速電圧0.5-30kV、分解能4nm (30kV)、最大ビーム電流100nA
・SEM: 冷陰極電界放射型電子銃、加速電圧0.1-30kV、分解能0.7nm (15kV)、最大ビーム電流10nA
・低加速Arイオンビーム:加速電圧0.5-2kV、最大ビーム電流20nA

無損傷電子顕微鏡試料薄片化装置 (Damage-less TEM specimen milling apparatus)

設備ID
NM-404
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
無損傷電子顕微鏡試料薄片化装置
メーカー名
フィッシオーネ (Fischione)
型番
Model 1040 Nanomill
仕様・特徴
・イオン:アルゴン
・イオンエネルギー:50~2000eV 可変
・イオン電流:1mA/cm2
・イオンビームサイズ:2μm

セラミックス試料作製装置群 (Ceramics sample preparation facilities)

設備ID
NM-407
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
セラミックス試料作製装置群
メーカー名
ガタン 日立ハイテク 真空デバイス マルトー TECHNOORG-LINDA ( Gatan Hitachi High-Tech Vacuum Device Maruto TECHNOORG-LINDA)
型番
695PIPS II(精密イオン研磨装置) 656 DimpleGrinder(ディンプルグラインダ) TM4000Plus II(卓上SEM) VES-30T(マルチコーター) ML-180 DoctorLap(卓上研磨機) MS2 MICROSAW(小型精密切断器)
仕様・特徴
・精密イオン研磨装置:イオンビームエネルギー: 0.1~8 keV、試料冷却が可能、観察用デジタルズームカメラ付属

・ディンプルグラインダ:研磨ホイール径 15 mm、研磨荷重 0~40 g、自動停止機構付属

・卓上SEM:加速電圧:5-20kV、二次電子検出器および反射電子検出器

・マルチコーター:蒸着、イオンスパッタ、親水化処理

・卓上研磨機:研磨回転数 50~500 rpm

・小型精密切断器:50mmダイヤモンド回転刃

デュアルビーム加工観察装置 (Dual Beam system)

設備ID
NM-509
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
デュアルビーム加工観察装置
メーカー名
日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Technologies)
型番
NB5000
仕様・特徴
・FIB:加速電圧1~40 kV、最大電流50nA、倍率x600~
・SEM:加速電圧0.5~30kV、分解能1nm@15kV, 倍率x250~
・付属:マイクロサンプリング、STEM, EDS

FIB加工装置群 (Focused Ion Beam systems)

設備ID
NM-510
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
FIB加工装置群
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
JIB-4000
仕様・特徴
・FIB:加速電圧1~30 kV、最大電流60nA
・分解能:5nm (@30kV)

FIB加工装置群 (Focused Ion Beam systems)

設備ID
NM-511
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
FIB加工装置群
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
JEM-9320FIB
仕様・特徴
・FIB:加速電圧5~30 kV、最大電流30nA
・分解能:6nm (@30kV)

FIB加工装置群 (Focused Ion Beam systems)

設備ID
NM-512
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
FIB加工装置群
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
JEM-9310FIB
仕様・特徴
・FIB:加速電圧5~30 kV、最大電流10nA
・分解能:8nm (@30kV)

ピックアップシステム (Pick-up System)

設備ID
NM-513
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
ピックアップシステム
メーカー名
 ()
型番
仕様・特徴
・大気中(FIB外)でガラスプローブを使ってTEMグリッド上へ固定

ウルトラミクロトーム (Ultramicrotome)

設備ID
NM-514
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
ウルトラミクロトーム
メーカー名
ライカマイクロシステムズ (Leica Microsystems)
型番
Leica EM UC6
仕様・特徴
・ガラスナイフまたはダイヤモンドナイフを使用して薄切切片を製作
・液体窒素冷却機能付属

TEM試料作製装置群 (TEM sample preparation apparatus)

設備ID
NM-516
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
TEM試料作製装置群
メーカー名
Gatan 日本電子 BEUHLERAllied 日本レーザー電子真空デバイス マルトー  (Gatan JEOL BEUHLERAllied Nippon Laser & ElectronicsVacuum Device Maruto)
型番
Dimple Grinder(Model 656) PIPS II(Model 695) PIPS(Model 691) Ion Slicer(EM-09100IS) ISOMETMultiprepCarbon coater(JEC-560) Platinum coater(JFC-1600)Au coater(JFC-1500)Osmium coater(NL-OPC80A)Osmium coater(HPC-1SW)PECS(Model 682)Flat Polisher(ML-150L)Flat Polisher(ML-150P)Disc Cutter(Model 601)
仕様・特徴
Dimple Grinder(Model 656)
・初期試料厚さ: 200 µm以下
・自動停止機構付き
PIPS II(Model 695)
・加速電圧: 0.1~6 kV
・液体窒素冷却ステージ
PIPS(Model 691)
・加速電圧: 0.1~6 kV
・液体窒素冷却ステージ
Ion Slicer(EM-09100IS)
・加速電圧: 1〜8 kV
ISOMET
・4インチダイヤモンド切断砥石
Multiprep
・試料傾斜角度: 0〜10°
・精密マイクロメーター付き
PECS(Model 682)
・コーディング材料:カーボン, クロム, 金パラジウム, コバルト
Disc Cutter(Model 601)
・金属試料の3mmディスク切り出し
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