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共用設備検索結果

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プラズマCVD装置 (TEOS-CVD)

設備ID
WS-030
設置機関
早稲田大学
設備画像
プラズマCVD装置
メーカー名
サムコ (samco)
型番
PD-220
仕様・特徴
プラズマCVDの原理による成膜
高いカバレッジ成形
基板サイズ6インチ以下
面内分布 5%以内(仕様)
標準条件での基板温度300℃

SiO2プラズマCVD装置 [PD-220NL] (SiO2 PECVD [PD-220NL])

設備ID
NM-633
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
SiO2プラズマCVD装置 [PD-220NL]
メーカー名
サムコ (samco)
型番
PD-220NL
仕様・特徴
・プラズマ方式:平行平板型
・電源出力:30-300W
・原料:TEOS (SiO2)
・成膜温度:400度以下
・最大試料サイズ:φ8inch

スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #3] (Sputter [CFS-4EP-LL #3])

設備ID
NM-607
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #3]
メーカー名
芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)
型番
CFS-4EP-LL (i-Miller)
仕様・特徴
・用途:金属・絶縁薄膜形成
・スパッタ方式:DC/RFマグネトロンスパッタ,反応性/2元同時/逆スパッタ/バイアススパッタ可能
・電源出力:Max 500W
・カソード:φ3インチ×4式
・プロセスガス:Ar,O2,N2
・最大試料サイズ:φ8inch(水冷ステージ)
・現有ターゲット:Ti, Au, Al, Si, Cu, W, Ta, Ag, Ni, Cr, ITO, ZnO, SiO2(2020年4月時点)

スパッタ装置 [JSP-8000] (Sputter [JSP-8000])

設備ID
NM-608
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
スパッタ装置 [JSP-8000]
メーカー名
アルバック (ULVAC)
型番
j-Sputter
仕様・特徴
・用途:金属・絶縁薄膜形成
・スパッタ方式:DC/RFマグネトロンスパッタ,反応性/3元同時/逆スパッタ可能
・電源出力:Max 500W
・カソード:φ4インチ×4式
・プロセスガス:Ar,O2,N2
・最大試料サイズ:φ6inch
・その他:試料ステージ水冷/加熱可 (最大300度)
・現有ターゲット:Al, Ag, Au, Al2O3, Cr, Cu, ITO, Mo, Ni, Pt, Si, Si3N4, SiO2, Ta, Ta2O5, Ti, TiN, TiO2, W, Zn, ZnO

電子銃型蒸着装置 [ADS-E86] (EB Evaporator [ADS-E86])

設備ID
NM-609
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
電子銃型蒸着装置 [ADS-E86]
メーカー名
アールデック (R-DEC)
型番
ADS-E86
仕様・特徴
・用途:自動金属薄膜形成
・蒸着方式:電子銃型
・ターゲット:Ti, Cr, Al, Ni, Au, Pt
・到達真空度:10-5 Pa
・TS間距離:500 mm
・最大試料サイズ:φ8inch
・その他:ロードロック式、水冷式試料ステージ

電子銃型蒸着装置 [RDEB-1206K] (EB Evaporator [RDEB-1206K])

設備ID
NM-610
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
電子銃型蒸着装置 [RDEB-1206K]
メーカー名
アールデック (R-DEC)
型番
RDEB-1206K
仕様・特徴
・用途:リフトオフ向け金属薄膜形成
・蒸着方式:電子銃型×1式
・ターゲット:12連式(Ti, Cr, Al, Ni, Cu, Pt, Au×2, Pd, Ag, MgO, Co, Fe, AuGe, Ge, 他)
・到達真空度:1.0e-5 Pa
・TS間距離:500mm
・最大試料サイズ:φ6inch
・その他:水冷式試料ステージ

原子層堆積装置 [AD-230LP] (ALD [AD-230LP])

設備ID
NM-611
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
原子層堆積装置 [AD-230LP]
メーカー名
サムコ (Samco)
型番
AD-230LP
仕様・特徴
・用途:多種ALD薄膜形成装置
・仕様成膜方式:サーマルまたはプラズマALD
・原料:TMA, TDMAT, BDEAS, 他
・酸化剤:H2O, O3, O2プラズマ
・窒化剤:N2プラズマ, NH3プラズマ
・試料サイズ:最大φ8インチ
・その他:ロードロック式

SiNプラズマCVD装置 [PD-220NL] (SiN PECVD [PD-220NL])

設備ID
NM-612
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
SiNプラズマCVD装置 [PD-220NL]
メーカー名
サムコ (samco)
型番
PD-220NL
仕様・特徴
・用途:PECVDによるSiO2, SiNの薄膜形成
・プラズマ方式:平行平板型
・電源出力:30-300W
・原料:TEOS (SiO2), SN-2 (SiN)
・成膜温度:400度以下
・最大試料サイズ:φ8inch

イオンスパッタ [E-1045] (Ion Sputter [E-1045])

設備ID
NM-627
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
イオンスパッタ [E-1045]
メーカー名
日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
型番
E-1045
仕様・特徴
・用途:SEM,FIB-SEMの前処理
・成膜材料:プラチナ/カーボン
・プラチナ成膜方式:ダイオード放電マグネトロン型
・カーボン成膜方式:直接通電加熱蒸着
・最大試料サイズ:φ60mm

薄膜応力測定装置 [FLX-2000-A] (Thin-Film Stress Tester [FLX-2000-A])

設備ID
NM-628
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
薄膜応力測定装置 [FLX-2000-A]
メーカー名
東朋テクノロジー (Toho Technology)
型番
FLX-2000-A
仕様・特徴
・用途:薄膜応力測定
・測定方式:レーザースキャン方式(670nm&750nm半導体レーザー)
・測定範囲:1~4000MPa
・測定再現性:1.3MPa(1σ)
・試料サイズ:φ3inch, φ6inch, φ8inch
・その他:3Dマッピング機能
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