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多元スパッタ装置 (i-Miller) (Sputter-depo System (i-Miller))

メーカー名
芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)
型番
CFS-4EP-LL (i-Miller)
設備画像
多元スパッタ装置 (i-Miller)
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
仕様・特徴
・用途:金属・絶縁薄膜形成
・スパッタ方式:DC/RFマグネトロンスパッタ,反応性/2元同時/逆スパッタ/バイアススパッタ可能
・電源出力:Max 500W
・カソード:φ3インチ×4式
・プロセスガス:Ar,O2,N2
・最大試料サイズ:φ8inch(水冷ステージ)
・現有ターゲット:Ti, Au, Al, Si, Cu, W, Ta, Ag, Ni, Cr, ITO, ZnO, SiO2(2020年4月時点)

全自動スパッタ装置 (Automatic Sputter (j-Sputter))

メーカー名
アルバック (ULVAC)
型番
j-Sputter
設備画像
全自動スパッタ装置
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
仕様・特徴
・用途:金属・絶縁薄膜形成
・スパッタ方式:DC/RFマグネトロンスパッタ,反応性/3元同時/逆スパッタ可能
・電源出力:Max 500W
・カソード:φ4インチ×4式
・プロセスガス:Ar,O2,N2
・最大試料サイズ:φ6inch
・その他:試料ステージ水冷/加熱可 (最大300度)
・現有ターゲット:Al, Ag, Au, Al2O3, Cr, Cu, ITO, Mo, Ni, Pt, Si, Si3N4, SiO2, Ta, Ta2O5, Ti, TiN, TiO2, W, Zn, ZnO

6連自動蒸着装置 (E-gun Evaporator)

メーカー名
アールデック (R-DEC)
型番
ADS-E86
設備画像
6連自動蒸着装置
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
仕様・特徴
・用途:自動金属薄膜形成
・蒸着方式:電子銃型
・ターゲット:Ti, Cr, Al, Ni, Au, Pt
・到達真空度:10-5 Pa
・TS間距離:500 mm
・最大試料サイズ:φ8inch
・その他:ロードロック式、水冷式試料ステージ

12連電子銃型蒸着装置 (12 E-gun Evaporator)

メーカー名
アールデック (R-DEC)
型番
RDEB-1206K
設備画像
12連電子銃型蒸着装置
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
仕様・特徴
・用途:リフトオフ向け金属薄膜形成
・蒸着方式:電子銃型×1式
・ターゲット:12連式(Ti, Cr, Al, Ni, Cu, Pt, Au×2, Pd, Ag, MgO, Co, Fe, AuGe, Ge, 他)
・到達真空度:1.0e-5 Pa
・TS間距離:500mm
・最大試料サイズ:φ6inch
・その他:水冷式試料ステージ

多機能型原子層堆積装置 (Multifunctional ALD system)

メーカー名
サムコ (Samco)
型番
AD-230LP
設備画像
多機能型原子層堆積装置
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
仕様・特徴
・用途:多種ALD薄膜形成装置
・仕様成膜方式:サーマルまたはプラズマALD
・原料:TMA, TDMAT, BDEAS, 他
・酸化剤:H2O, O3, O2プラズマ
・窒化剤:N2プラズマ, NH3プラズマ
・試料サイズ:最大φ8インチ
・その他:ロードロック式

プラズマCVD装置 (PECVD)

メーカー名
サムコ (samco)
型番
PD-220NL
設備画像
プラズマCVD装置
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
仕様・特徴
・用途:PECVDによるSiO2, SiNの薄膜形成
・プラズマ方式:平行平板型
・電源出力:30-300W
・原料:TEOS (SiO2), SN-2 (SiN)
・成膜温度:400度以下
・最大試料サイズ:φ8inch

イオンスパッタ (Ion Sputter)

メーカー名
日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
型番
E-1045
設備画像
イオンスパッタ
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
仕様・特徴
・用途:SEM,FIB-SEMの前処理
・成膜材料:プラチナ/カーボン
・プラチナ成膜方式:ダイオード放電マグネトロン型
・カーボン成膜方式:直接通電加熱蒸着
・最大試料サイズ:φ60mm

薄膜応力測定装置 (Thin-Film Stress Measurement)

メーカー名
東朋テクノロジー (Toho Technology)
型番
FLX-2000-A
設備画像
薄膜応力測定装置
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
仕様・特徴
・用途:薄膜応力測定
・測定方式:レーザースキャン方式(670nm&750nm半導体レーザー)
・測定範囲:1~4000MPa
・測定再現性:1.3MPa(1σ)
・試料サイズ:φ3inch, φ6inch, φ8inch
・その他:3Dマッピング機能

ミカサ スピンコータ (Mikasa Spin coater)

メーカー名
ミカサ (Mikasa)
型番
1H-DXII
設備画像
ミカサ スピンコータ
設置機関
東北大学
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~6インチ

アクテス スピンコータ#1 (Spin coater)

メーカー名
アクテス (Actes)
型番
ASC-4000
設備画像
アクテス スピンコータ#1
設置機関
東北大学
仕様・特徴
サンプルサイズ:小片~6インチ
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