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ナノプローバ[N-6000SS] (NanoProber〔N-6000SS〕)

メーカー名
日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
型番
N-6000SS
設備画像
ナノプローバ[N-6000SS]
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
仕様・特徴
・型式:N-6000SS
・試料サイズ:15mm×15mm、厚さ1mm以下
・試料ステージ:加熱・冷却機能付
・可動範囲:15mm×15mm以上
・付加機能:EBAC(Electron Beam Absorbed Current)
プローブユニット
・ユニット数:6本(探針数)
・駆動方式:ピエゾ素子使用
・微動範囲:5μm(X,Y軸)
・粗動範囲:5mm(X,Y軸)
電子光学系
・電子銃:冷陰極電界放出型電子顕微鏡
・加速電圧:0.5~5kV (※EBACモード:最大30kV)
・イメージシフト:±100μm以上(2kV、WD=15mm)
デバイスアナライザ
・型式:B1500(Agilent製)
・モジュール:B1520A MFCMU [1KHz~5MHz CV機能]
B1517A HRSMU [100mA/42V 電流/電圧出力、1fA/0.5μV電流/電圧測定分解能]

四探針プローブ抵抗測定装置 (Four Point Probe Resistance Measurement System)

メーカー名
ケースレーインスツルメンツ (Keithley Instruments)
型番
K-89PS40μR, K-89PS150μR
設備画像
四探針プローブ抵抗測定装置
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
仕様・特徴
・型式:K-89PS40μR, K-89PS150μR
・試料サイズ: 4インチ□
・プローブ材質:タングステンカーバイト
・針間:1mm
・プローブ径:40μm, 150μm
・針圧:約800g, 約200g
・ステージZ軸移動:40mm(ラックピニオン式)
・針圧調整:ウエイト加減方式
・デジタルソースメータ(抜粋)
最大印加電圧 ±210V, 電流 ±1.05A(MAX 21V), ±1.05mA(MAX 210V)
最小設定分解能 5μV(200mVレンジ), 50 pA(1μAレンジ)

デバイスパラメータ評価装置 (Semiconductor Device Parameter Analyzer)

メーカー名
アジレントテクノロジー (Agilent)
型番
4156C
設備画像
デバイスパラメータ評価装置
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
仕様・特徴
・型式:4156C
・試料サイズ:150φ×10mm以下
・最小電流レンジと測定分解能:±10 pAレンジ(電圧 0~±100 V)⇒ 1 fA
・最大電流レンジと測定分解能:±100 mAレンジ(電圧 0~±20 V)⇒ 100 nA
・最小電圧レンジと測定分解能:±2 Vレンジ(電流 0~±100 mA)⇒ 2 µV
・最大電圧レンジと測定分解能:±100 Vレンジ(電流 0~±20 mA)⇒ 100 µV

デバイス容量評価装置 (Capacitance-Voltage (C-V) Analyzer)

メーカー名
ケースレー アジレント (Keithley Agilent)
型番
Model 82-WIN, 4284A LCRメータ
設備画像
デバイス容量評価装置
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
仕様・特徴
・型式:Model 82-WIN(ケースレー社製), 4284A LCRメータ(アジレントテクノロジーズ社製)
・試料サイズ:2インチ
・Model 82-WIN: Quasistatic C-Vと高周波C-V(100kHz or 1MHz)の同時特性評価
・4284A LCRメータ:低周波20Hz~高周波1MHzの主にC-V特性評価、及び 周波数変化時の容量であるC-F特性評価

マニュアルウエハープローバー(2F) (Manual Wafer Prober)

メーカー名
MJCKEYTHLEYHP (MJCKEYTHLEYHP)
型番
MJC_708fT-0114200SCSHP4284A
設備画像
マニュアルウエハープローバー(2F)
設置機関
産業技術総合研究所(AIST)
仕様・特徴
・型式:MJC_708fT-011(マニュアルプローバ)
・試料サイズ:75~200 mmφ、 10~30 mm□
・300 mmウェーハ:中央付近のみ測定可能
・小片試料:0.5インチΦ(専用チャック)
・ステージトラベル:X, Y ±110 mm (取り出し用ストローク含まず)
・サブステージトラベル:X, Y ±5 mm (マイクロメータ駆動)
・Zトラベル:0, 0.3, 3.5 mm固定+3 mm
・プローブ接続:リモートセンシング対応(Force, Sence独立配線)
・プローブ数:3系統+チャックテーブル1系統
・プローブ先端径:R=12.5μm
KEITHLEY 4200-SCS
・SMU搭載数:4200-SMU(4200-PA付き)×4
・電流分解能:0.1fA~100pA
・最大電流:±100mA
・電圧レンジ:200mV~210V(4レンジ)
HP4284A LCRメータ

高耐圧デバイス測定装置+ 高耐圧プローバ (high votage semiconductor device analyzer)

メーカー名
プローバ:長瀬産業株式会社(特注品) 測定装置:アジレント社製B1505A  (NAGASE & CO., LTD.)
型番
プローバ:長瀬産業社製(特注品) 測定装置:アジレント社製B1505A
設備画像
高耐圧デバイス測定装置+ 高耐圧プローバ
設置機関
早稲田大学
仕様・特徴
10K~600Kの真空環境下での高耐圧デバイス(2000V又は20A MAX)測定可能、25mmx25mm以下(測定範囲)
測定装置:アジレント社製B1505A
3000V までの電圧印加と高精度測定
最小パルス幅50 μs の
大電流モジュール(最大20 A)
カーブトレーサ・モードでの
デバイスのクイックチェック

高性能半導体デバイス アナライザ+プローバ (semiconductor device analyzer)

メーカー名
キーサイト・テクノロジー株式会社 (Keysight Technologies, Inc.)
型番
プローバ:長瀬産業社製(特注品) 測定装置:アジレント社製B1500A LCRメータ4284A
設備画像
高性能半導体デバイス アナライザ+プローバ
設置機関
早稲田大学
仕様・特徴
・0.1 fAおよび0.5 μVまでの電流/電圧(IV)測定をサポート
・ハイ・パワー/メモリ・デバイス・テストのための高電圧パルス発生(最大±40 V)をサポート
・準静的および中間周波数キャパシタンス/電圧(CV)測定をサポート

電気計測装置群(オシロスコープ、スペクトルアナライザー、LCRメーター、等) (Electrical measuring device group)

メーカー名
キーサイト 株式会社エヌエフ回路設計ブロック (Keysight Technologies, Inc. NF CORPORATION)
型番
DSO X-3054T N9322C ZM2371
設備画像
電気計測装置群(オシロスコープ、スペクトルアナライザー、LCRメーター、等)
設置機関
早稲田大学
仕様・特徴

東京エレクトロン300mm ウェハプローバ (Tokyo Electron 300mm Wafer Prober)

メーカー名
東京エレクトロン (Tokyo Electron)
型番
PrecioNanoPV00043
設備画像
東京エレクトロン300mm ウェハプローバ
設置機関
東京工業大学
仕様・特徴
150mm, 200mm, 300mmウェハ対応プローバー
多数枚自動測定対応、シリコンフォトニクス受動デバイス静特性測定

FormFactor 300mm ウェハプローバ (FormFactor 300mm Wafer Prober)

メーカー名
FormFactor (FormFactor)
型番
CM300
設備画像
FormFactor 300mm ウェハプローバ
設置機関
東京工業大学
仕様・特徴
チップ~ 300mmウェハ対応プローバー
単枚自動測定対応、シリコンフォトニクス受動デバイス静/動特性測定
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